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- [发明专利]嵌入式外延层的形成方法-CN202210959790.0在审
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陈亚旭;李刚;曹坚
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-08-11
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2022-12-27
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H01L21/336
- 本申请公开了一种嵌入式外延层的形成方法，包括：在栅极结构之间的硅衬底中形成凹槽，栅极结构形成于硅衬底上，栅极结构的两侧形成有侧墙结构；在栅极结构之间的硅衬底上生长硅薄膜层，硅薄膜层填充凹槽；在栅极结构之间的硅薄膜层上生长磷硅层，在生长磷硅层的过程中，通入氯化氢气体以抑制磷硅层形成于侧墙结构上。本申请通过在形成栅极结构以及栅极结构两侧的侧墙结构后，在栅极结构之间的硅衬底中形成凹槽，在栅极结构之间生长硅薄膜层，在栅极结构之间生长磷硅层，由于硅薄膜层的厚度能够填充凹槽，因此硅薄膜层能够覆盖侧墙的底部，从而能够保护侧墙的底部在生长磷硅层时被通入的氯化氢气体损伤，提高了器件的可靠性。
- 嵌入式外延形成方法
- [发明专利]一种用于提纯硅的除磷熔渣-CN200910102782.9无效
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吴展平
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贵阳宝源阳光硅业有限公司
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2009-09-09
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2011-04-20
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C01B33/037
- 本发明涉及一种用于提纯硅的除磷熔渣，其特征在于：熔渣由脱磷剂、助熔剂和助剂组成，脱磷剂是具有强还原性的钙的化合物或含钙的金属合金CaC2、CaAl、CaSi、CaSiAl、CaSiMg、CaMg中的任一种或两种以上本发明可应用于在真空感应炉上提纯硅去除杂质磷的过程中，在惰性气体保护下进行脱磷的反应。经过脱磷后的硅，磷含量小于1ppm。该熔渣具有强还原性，能提高硅中磷的活度，易于与硅中磷发生化学反应；易于吸收、络合经过脱磷后的反应产物，从而降低脱磷产物的活度，使脱磷反应进行的彻底；具有比金属单质钙低的蒸汽压，利于提高渣的利用率和磷的去除率
- 一种用于提纯磷熔渣
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