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[发明专利]半导体装置-CN201510761493.5有效
发明人：松田成修 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，其用于解决如下问题：当水分从半导体装置的外部侵入到硅玻璃(BPSG)膜上表面时，露出的硅玻璃(BPSG)膜的膜内含有的磷游离，腐蚀附近的源极电极和总线这样的以Al为主材料的电极的表面，导致源极电极和总线等电极的可靠性降低其特征在于，层间膜包括：磷扩散防止膜，其防止磷的扩散；硅玻璃膜，其位于磷扩散防止膜上方且含有磷；以及磷扩散防止膜，其位于含有磷的硅玻璃膜上方。
半导体装置

[发明专利]一种硅反外延片的制备方法-CN202011573642.2有效
发明人：李杨;傅颖洁;李明达;薛兵;唐发俊 -专利权人：中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅反外延片的制备方法，反应腔体内通入氯化氢气体；将直筒式石墨基座表面沉积一层无掺杂致密多晶硅；向反应腔体内直筒式石墨基座上装入硅衬底片；磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在硅衬底片上进行第一层硅外延层生长；第一层硅外延层生长完成后，磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在第一层硅外延层上进行第二层硅外延层生长；第二层硅外延层生长完成后，磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在第二层硅外延层上进行第三层硅外延层生长；第三层硅外延层生长完成后得到硅反外延片。本方法显著提升了硅外延片的硅外延层掺杂浓度一个数量级，硅外延层厚度达到250~260μm的超厚状态。
一种外延制备方法

[发明专利]一种洗涤硅铝磷分子筛的处理液及用于检测该处理液中胺类组分和含量的方法-CN201710344836.7在审
发明人：刘俊生;李欢;王聪;王海国;陈存银;左宜赞;石华;刘国防 -专利权人：中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C01B37/08 文献下载
摘要：本发明旨在针对新合成的硅铝磷分子筛进行洗涤以及改性，通过该申请的处理液洗涤硅铝磷分子筛的过程，可以节约洗涤硅铝磷分子筛的用水量，同时提升硅铝磷分子筛的性能指标，为企业创造更多的利润；与此同时，该申请也根据处理后的硅铝磷分子筛的洗涤液的特点
一种洗涤硅铝磷分子筛处理用于检测液中胺类组分含量方法

[发明专利]磷硅镉单晶的生长方法-CN201110083331.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。
磷硅镉单晶生长方法

[发明专利]一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110220767.1无效
发明人：谭毅;刘应宽;盛之林;李佳艳;石爽;刘振远;董伟;姜大川 -专利权人：大连理工大学;宁夏宁电光伏材料有限公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法，第一步备料及预处理；第二步形成高纯硅衬底：然后开启电子束束流为200-500mA完全熔化高纯硅料，缓慢降低束流为零，即在水冷坩埚中形成高纯多晶硅锭，调节电子束束流为150-300mA熔化高纯多晶硅锭，2-5min后形成一层高纯硅衬底；第三步熔炼提纯：高磷硅料连续缓慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，杂质磷得到去除后从导流口流入坩埚之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅锭。
一种高纯衬底电子束熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]一种低温去除硅中硼磷的方法-CN201310637020.5无效
发明人：李京伟;陈健;张涛涛;白枭龙;李彦磊;班伯源 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明是一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域。该方法利用硅在镓基合金液中的重结晶净化硅中的硼磷杂质。该方法将工业硅与镓基合金加热完全共熔，冷却使硅重结晶析出，酸洗将重结晶硅分离，可得硼磷浓度低的高纯硅。该方法的重结晶温度为100-1400℃，硅损失量小于5%。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600-1900℃。
一种低温去除硅中硼磷方法

[实用新型]一种栅工艺处理中的多层膜结构-CN02261131.2无效
发明人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：具体是在栅成长之后，依次成长一层掺磷浓度低的多晶硅、一层浓度高的多晶硅、一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
一种工艺处理中的多层膜结构

[发明专利]一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法-CN202210453892.5有效
发明人：罗英;陈家荣 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提出了一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法，将磷量子点滴涂在衬底上，通过真空干燥除去溶液中的溶剂，通过热蒸发方法将SiO、Si交替沉积到含有磷的衬底上，将制备好的含磷SiO/Si多层薄膜放入退火炉中，在惰性气氛下退火，生成镶嵌在SiO2基质中的磷掺杂硅纳米晶薄膜。本发明通过在硅纳米晶中引入磷原子，钝化界面悬挂键，减少非辐射复合中心，增强了硅纳米晶的发光强度；磷掺杂的硅纳米晶发光强度相比纯硅纳米晶提升了近一个数量级，在光电子器件方面具有很大的潜在应用价值；同时由于用热蒸发制备掺杂薄膜工艺简单且沉积薄膜质量相对较好，稳定性强，因而制备得到的磷掺杂硅纳米晶薄膜有望应用于电子器件领域。
一种掺杂增强纳米发光强度方法

[发明专利]含硅环三磷腈、其制备方法及应用-CN201811532575.2在审
发明人：彭学刚;明鹏;谢云;常明阳;丁庚 -专利权人：航天科工武汉磁电有限责任公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C08K5/544 文献下载
摘要：一种含硅环三磷腈、其制备方法及应用，涉及含硅有机化合物及阻燃技术领域。本发明提供了一种含硅环三磷腈及其制备方法，该含硅环三磷腈的制备方法包括以下步骤：将羟基硅油、六氯环三磷腈和催化剂溶于溶剂，搅拌并升温至50‑80℃，随后滴入缚酸剂保温反应12‑24h，冷却至室温后分离提纯得到含硅环三磷腈本发明提供的含硅环三磷腈的制备方法具有反应条件温和可控、产率高的优点。此外，本发明涉及将上述含硅环三磷腈作为阻燃剂的应用。
硅环磷腈制备催化剂二月桂酸二丁基锡应用含硅有机化合物马来酸二丁基锡六氯环三磷腈保温反应反应条件分离提纯羟基硅油缚酸剂阻燃剂溶剂产率滴入可控阻燃冷却

[发明专利]一种铁水预处理脱硅/脱磷剂及其使用方法-CN201510676813.7在审
发明人：王小璞;王博;张佩;于亮涛;王强;刘洪银;杜金科;贾崇雪;李鹏芸;张百庆 -专利权人：山东钢铁股份有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C21C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁水预处理脱硅/脱磷剂，由高铁赤泥和石灰颗粒按质量比为1：(0.2-0.3)混合而成；所述高铁赤泥中的TFe含量为40-50wt％，高铁赤泥的粒度为0.088-0.5mm。脱硅/脱磷剂的粒度≤3mm，其中，粒度为1-3mm的脱硅/脱磷剂的含量≤5wt％。本发明还公开了该铁水预处理脱硅/脱磷剂的使用方法，步骤如下：根据炼钢冶炼钢种需求以及铁水进站条件确定是单独进行脱硅操作，脱磷操作还是两种操作均进行。本发明的高铁赤泥在作为脱硅/脱磷剂进行铁水预处理时，可以避免炉渣发泡，防止炉渣从铁水炉中溢出，而且脱硅、脱磷的效果好。
一种铁水预处理脱磷剂及其使用方法

[发明专利]高硅磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏的方法-CN201410069087.8有效
发明人：龚家竹 -专利权人：龚家竹
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C01B25/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏的方法，由含高硅磷矿粉进入1级以上逆流分解反应槽进行1级以上逆流分解反应及稠厚，所述逆流分解反应槽由分解反应槽和稠厚分级器组成；经逆流分解反应及稠厚后的物料一部分进入沉淀结晶槽与硫酸进行沉淀结晶反应后制取磷酸和低硅磷石膏，另一部分进入固液分离机进行固液分离，再一部分返回第一级分解反应槽与高硅磷矿粉进行反应。解决了生产湿法磷酸时副产磷石膏中硅含量太高的难题，提高了副产磷石膏的产品质量，且降低了磷石膏中硅含量，消除了因硅含量对磷石膏开发应用的影响因素，为全方位的利用磷石膏打下了坚实的资源基础，增加了生产者的经济效益，消除了磷石膏堆放处理的环保难题。
磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏方法

[发明专利]一种铁水预处理复合脱硅脱磷剂及其制备方法-CN201910202014.4有效
发明人：姜茂发;孙嘉丽;张波;刘承军 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C21C1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铁水预处理复合脱硅脱磷剂，包括提钒尾渣和活性石灰，提钒尾渣与活性石灰均匀混合，提钒尾渣在复合脱硅脱磷剂中的重量百分数为60～90％，活性石灰在复合脱硅脱磷剂中的重量百分数为10～40％。不仅有效利用了提钒尾渣，而且能够有效降低铁水中的硅、磷含量，为炼钢提供优质铁水，同时在铁水预处理过程中能够实现该复合脱硅脱磷剂中铁资源的回收。本发明还提供一种铁水预处理复合脱硅脱磷剂的制备方法，包括：对提钒尾渣和活性石灰进行烘干处理；然后将烘干后的提钒尾渣和活性石灰按照上述复合脱硅脱磷剂中提钒尾渣与活性石灰的用量混合均匀，得到复合脱硅脱磷剂。
一种铁水预处理复合脱硅脱磷剂及其制备方法

[发明专利]一种含磷氮笼型聚倍半硅氧烷、其制备方法及其作为结壳成炭剂的用途-CN202211714703.1有效
发明人：李信成;孙东明;陈楚宏 -专利权人：广州硅碳新材料有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08G77/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种含磷氮笼型聚倍半硅氧烷、其制备方法及其作为结壳成炭剂的用途，所述含磷氮笼型聚倍半硅氧烷具有式I所示结构。所述含磷氮笼型聚倍半硅氧烷的制备方法包括：(1)将含氰基硅烷单体与醇水溶液进行水解反应，得到含氰基硅醇；(2)将步骤(1)得到的含氰基硅醇与含磷单体反应，得到中间体；(3)在催化剂存在下，将步骤(2)得到的中间体继续反应，得到所述含磷氮笼型聚倍半硅氧烷。本发明中，所述具有特定结构的含磷氮笼型聚倍半硅氧烷，磷、氮含量高、成炭性好，阻燃效果好，且制备简单、环保，应用范围广；包括所述含磷氮笼型聚倍半硅氧烷的材料不仅具有优异的阻燃效果，力学性能也能满足要求。
一种含磷氮笼型聚倍半硅氧烷制备方法及其作为结壳成炭剂用途

[实用新型]一种移动式硅磷晶罐-CN201920169158.X有效
发明人：董丽丽 -专利权人：山东特清环保科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动式硅磷晶罐，包括硅磷晶罐本体，所述硅磷晶罐本体的两侧均固定安装有安装箱，安装箱远离硅磷晶罐本体的一侧内壁上开设有椭圆孔，椭圆孔内活动安装有调节柱，调节柱靠近硅磷晶罐本体的一端转动安装有调节杆本实用新型结构简单，硅磷晶罐本体通过固定板安装在工作区域，先转动再拉动调节柱，即可在万向轮下移至与固定板平齐后收起固定板，使得硅磷晶罐本体的支撑点由固定板变为万向轮，硅磷晶罐本体能够便捷的通过万向轮移动
硅磷晶罐本体安装箱调节杆调节柱万向轮本实用新型活动安装固定板椭圆孔移动块内壁固定板安装工作区域转动安装移动式支撑点下移转运转动延伸移动

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途-CN202210886651.X在审
发明人：周雨;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和磷烷作为反应气源，在反应腔内采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面沉积得到磷掺杂非晶硅膜；抽除反应腔内的气体，并通入保护气，调节热丝化学气相沉积法中热丝距离对所述的磷掺杂非晶硅膜进行加热退火，加热退火后制备得到所述的磷掺杂多晶硅膜。本发明以磷烷和正硅酸乙酯作为原料，采用利用热丝化学气相沉积法制备磷掺杂多晶硅膜，通过热丝距离调节，实现催化沉积和退火加热激活，大大缩短了制备时间，且避免了大气对磷掺杂非晶硅膜的污染。
一种掺杂多晶制备方法用途