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[发明专利]一种附磷涂硼工艺-CN201310107237.5无效
发明人：张仓生 -专利权人：昆山东日半导体有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。本发明用于半导体制造的扩散工艺，工艺操作简单，磷、硼扩散均匀，良品率高，节省材料，生产成本低。
一种附磷涂硼工艺

[发明专利]一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法-CN201310263648.3有效
发明人：王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备方法以及N型电池制备方法，所述磷扩散方法包括：对扩散炉进行加热；当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后，通入设定流量的小氮以及氧气，并持续加热，其中，所述小氮为携带三氯氧磷的氮气，所述小氮的流量小于氧气的流量；当扩散内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后，使小氮的流量大于氧气的流量，开始磷扩散；预设时间的磷扩散后，进行退火处理。所述磷扩散方法在进行加热以及稳定炉温阶段，可去除硅片表面的金属离子，从而避免了进行磷扩散时，金属离子扩散入硅片内形成复合中心，采用所述磷扩散方法制备的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。
一种扩散方法电池制备

[发明专利]磷扩散均匀性的修复方法-CN201711263983.8在审
发明人：乐雄英;李静 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开一种磷扩散均匀性的修复方法，包括氧化、第一次沉积、第二次沉积、第三次沉积、推结五个步骤，且五个步骤于不相同的温度条件下完成。通过将传统的单步磷扩散过程变为多步扩散过程，同时将传统的恒温磷扩散过程变成了变温磷扩散过程，克服了传统的磷扩散方法在界面区域容易扩散不均匀的弊端，增加多步变温磷扩散处理，可以使磷扩散沉积的界面的均匀性得到比较好的修复，提高磷扩散的均匀性的同时，提升晶硅电池的转换效率。
扩散均匀修复方法

[发明专利]一种太阳能电池及其扩散方法-CN201210461743.X有效
发明人：范志东;张小盼;赵学玲;李倩 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其扩散方法，该方法包括：将硅片放入扩散炉中，将扩散炉内温度升温至750℃~800℃，包括端点值，向扩散炉内通源进行磷扩散，向硅片中扩散磷的量基本为，在当前扩散炉内温度下的磷在硅片中的最大固溶度；将扩散炉内温度升温至810℃~820℃，包括端点值，使磷向硅片内部扩散；将扩散炉内温度升温至840℃~850℃，包括端点值，升温过程中通源，以进行变温扩散；保持升温后的温度，通入氧气以进行高温推进，直至磷在硅片中的扩散量达到目标值，对扩散炉内进行降温后，打开扩散炉取出硅片。采用本方法生产的电池片，表面磷杂质浓度低，“死层”厚度小，磷浓度分布梯度大，转换效率提高。
一种太阳能电池及其扩散方法

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池扩散工艺中三氯氧磷的供给装置-CN201420207177.4有效
发明人：周莹;殷国安;郑会刚;田娜;王春燕;杨雄磊 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2014-04-27 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池扩散工艺中三氯氧磷的供给装置，其包括有充足三氯氧磷的新扩散源瓶、剩余有少量不能直接供给三氯氧磷的旧扩散源瓶和两个恒温装置；小流量氮气供给系统的氮气出口通过氮气进管连接旧扩散源瓶的进气管，旧扩散源瓶的出气管通过进气管和双向阀气管接头连接新扩散源瓶的进气管，新扩散源瓶的出气管通过进气管连接扩散炉的三氯氧磷的进气口。本实用新型能使剩余有少量不能直接供给三氯氧磷的扩散源瓶内的三氯氧磷用尽，避免了三氯氧磷的浪费，提高了三氯氧磷的利用率，节省了生产成本；消除了剩余有少量三氯氧磷扩散源瓶在储存过程中存在的危险。
一种晶体太阳能电池扩散工艺中三氯氧磷供给装置

[发明专利]磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法-CN201310610878.2有效
发明人：范志东;马继奎 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法。磷掺杂硅片的制作方法包括升温待掺杂硅片、前净化、磷沉积扩散以及降温的步骤，磷沉积扩散步骤采用POCl3作为磷源使其与O2反应分步沉积扩散，在分步沉积扩散步骤中POCl3与O2的体积比呈递减的方式进行。采用分步沉积扩散工艺在开始阶段扩散速度较快，随着硅片表面的磷向硅片衬底内部扩散，硅片表面磷浓度逐步降低，后续随着磷源浓度的降低沉积到硅片衬底表面的磷数量减少，在硅片衬底表面及内部的磷浓度分布相对于目前沉积扩散过程中不断有较大浓度的磷源
掺杂硅片制作方法太阳能电池及其

[发明专利]扩散用磷糊料和利用该磷糊料制造太阳能电池的方法-CN200980114553.7有效
发明人：月形信太郎;松冈敏文;山本谦儿;植栗丰敬;石川直挥;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：公开了扩散用磷糊料，其用于通过丝网印刷在基板上的扩散用磷糊料的连续印刷。该扩散用磷糊料不经历环境湿度对粘度的显著影响，甚至在长时间连续印刷后没有增粘的可能性。将扩散用磷糊料通过丝网印刷涂布在基板上，以在基板上形成扩散层。扩散用磷糊料包括作为用于扩散层的掺杂剂的含磷掺杂剂、含有机粘合剂和固体物质的触变剂、和有机溶剂。掺杂剂是有机磷化合物。
扩散糊料利用制造太阳能电池方法

[发明专利]一种芯片的制造方法、制造设备和芯片-CN202110348496.1有效
发明人：王超;任宏志 -专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片的制造方法、制造设备和芯片，所述制造方法包括步骤：将磷源和硅片层叠放置，使磷源扩散至硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除经磷扩散后的所述硅片的其中一面上的所述磷扩散结构层；将镓源涂布在去除磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散；在硼扩散前先进行镓扩，使得硼结形成的结深平缓，改善现有的芯片的电压离散性和压降特性。
一种芯片制造方法设备

[发明专利]一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法-CN201710537036.7在审
发明人：杨自芬 -专利权人：合肥市大卓电力有限责任公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法，包括以下步骤1)将待处理的晶体硅片置于扩散炉中，升温通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散；2)停止通入携磷源氮气，升温通入干氧和大氮进行推进；3)通入携磷源氮气及干氧，进行低温扩散；4)停止通入携磷源氮气，恒温推进；5)升温通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散；6)停止通入携磷源氮气，进行有氧限定源扩散；7)降温通入携磷源氮气、干氧及大氮，进行降温扩散；8)降温出舟即可该种磷扩散方法简单易行，应用广泛，采用该种方法能有效提高硅片光电转换效率，改善太阳电池的电性能，适于推广应用。
一种太阳能电池晶体硅片扩散方法

[发明专利]一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法-CN201110299285.X无效
发明人：孙良欣;周坚;郭育林 -专利权人：桂林尚科光伏技术有限责任公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法，包括以下步骤：(1)高浓度磷扩散：由N2携带高浓度的POCL3进入扩散炉管，在硅片正表面沉积一层浓磷扩散层；(2)去除浓磷扩散层：将沉积浓磷扩散层的硅片重新酸洗制绒，去除硅片正表面的浓磷扩散层；(3)制绒：重新制绒，形成新的绒面。本发明工艺采用浓磷扩散的方式，在POCL3气氛下热处理，在硅片内部形成高磷层，经过处理后的金属杂质会聚集在磷重扩的地方，通过酸洗工艺出除，从而达到吸杂的作用。
一种用于太阳电池制造杂工方法

[发明专利]链式吸杂用磷源及其制备方法和应用-CN202210735102.2在审
发明人：任常瑞;张佳舟;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种链式吸杂用磷源，其各组分的质量百分含量为：磷源前驱体2%～10%，聚乙二醇1%～20%，柠檬酸1%～5%，有机溶剂1%～10%，余量为水。本发明还提供上述链式吸杂用磷源的制备方法和应用。本发明的磷源能很好的匹配现有链式扩散吸杂设备，可避免或改善现有磷源链式高温扩散吸杂产生偏磷酸、焦磷酸残留的问题。本发明通过调整磷源配方，优化链式扩磷吸杂的温度、时间、氛围等参数，使扩磷的扩散均匀性、结深等性质较常规磷酸混合液有所提升。采用本发明制备的磷源，结合链式设备进行快速磷扩散，可在较短的时间内达到与传统管式扩散一样的扩散水平，使链式扩散的工业化应用得以实现，解决了目前管式扩散设备及自动化昂贵的问题。
链式杂用及其制备方法应用

[发明专利]一种PN结的扩散方法-CN201210143416.X无效
发明人：马桂艳;宋连胜;田世雄;张东升 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。由于本发明所提供的PN结的扩散方法，首先在硅片表面形成氧化层；然后提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。如此磷原子透过氧化层向硅片内部扩散的扩散方法，可以降低硅片表面杂质浓度，减少高浓度浅结磷扩散对硅片表面带来的晶格损伤，进而提高电池片的转换效率。
一种 pn 扩散方法

[实用新型]一种磷扩散系统及其气路装置-CN202220726691.3有效
发明人：周建科;顾生刚;时宝;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磷扩散系统的气路装置，包括输气装置、第一磷源、第二磷源和扩散装置；所述第一磷源通过第一管道与所述输气输入装置连接，且所述第一管道伸入磷源液面下方；所述第一磷源通过第二管道与所述第二磷源连接；所述第二管道上设有第一开关；所述第一磷源通过第三管道与所述扩散装置连接，且所述第三管道于磷源液面的上方。本实用新型通过增设副磷源，为主磷源在工作过程中补充磷源溶液，消除磷源余量对扩散方阻的影响，且换源过程中扩散装置可正常运行。
一种扩散系统及其装置

[发明专利]一种磷扩散方法-CN201510162493.3有效
发明人：司红康 -专利权人：安徽康力节能电器科技有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷扩散方法，用于PN制结，其步骤为：提供硅片于扩散炉内，通入20ml/min的大氮，升温至950摄氏度；向扩散炉内通入携三氯氧磷气体和氧气分六段三周期进行扩散工艺，扩散30分钟；关闭携三氯氧磷气体和氧气，在大氮的氛围中，降低扩散炉温度到800摄氏度，保温10分钟进行推进；最后降温出舟，取出硅片。采用本发明的磷扩散方法能够改善扩散时磷吸杂，提高磷掺杂区方块电阻的均匀性，并且成本不高，以现有的设备能够完成。
一种扩散方法

[发明专利]一种低漏电的低压TVS器件及其制造方法-CN201810813141.3在审
发明人：邹有彪;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电的低压TVS器件，包括P+型衬底和扩散于P+型衬底上表面和下表面的磷区，磷区由两个部分组成，一部分是N+浓磷区，一部分是N‑淡磷区，N‑淡磷区沉积扩散于N+浓磷区的两侧，所述TVS器件的上、下表面均热生长有二氧化硅钝化层；本发明还公开了所述低漏电的低压TVS器件的制造方法，包括硅片双面抛光、氧化、淡磷区光刻、淡磷扩散、浓磷区光刻、浓磷区扩散、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金本发明先光刻淡磷区进行淡磷扩散，达到减小表面漏电的效果，然后光刻浓磷区进行浓磷扩散，达到提高浪涌能力的效果，击穿区是浓磷区，通过调整浓磷区的表面浓度和结深可精确控制击穿电压，极大地提高了低压TVS的性能
浓磷区淡磷光刻漏电扩散下表面背金反刻磷区二氧化硅钝化层衬底上表面硅片双面击穿电压铝合金引线孔抛光击穿沉积衬底减小结深均热浪涌浓磷蒸铝制造生长

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