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[发明专利]经表面处理的铜箔和包括其的电路板-CN202180088211.3在审
发明人：刘日焕;郑周永;甄明玉;柳智娟;吴丞培 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：根据示例性实施方案的经表面处理的铜箔包括铜箔层和在铜箔层的一个表面上形成的突起层。在突起层中或在铜箔层与突起层之间的边界周围形成孔。通过所述孔可以防止突起的异常生长，从而可以使与绝缘层的结合强度增强。
表面处理铜箔包括电路板

[发明专利]多硫醇组合物、光学组合物和光学产品-CN202180079463.X在审
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;柳景桓;郑周永;柳智娟;甄明玉 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G18/70 文献下载
摘要：根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括主多硫醇化合物和分子量高于主多硫醇化合物的分子量的副化合物。对应于副化合物的在230nm波长处获得的高效液相色谱(HPLC)分析谱图中保留时间在34至40分钟的范围内的峰面积(％)为2.5％以下。通过精细控制副化合物，可以制造具有优异的透射率和光学性质的光学产品。
硫醇组合光学产品

[发明专利]抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法-CN202011253564.8有效
发明人：许惠暎;尹钟旭;甄明玉;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法。根据本发明的抛光垫，通过将气孔区域和非气孔区域的模量平均值调节为0.5GPa至1.6GPa，从而实现抛光垫的优异的寿命特性，而且可以改善在半导体衬底的表面上出现的划痕和表面缺陷，还可以进一步提高抛光速率。
抛光及其制造方法利用半导体器件

[发明专利]多硫醇组合物、光学组合物和光学产品-CN202180079426.9在审
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;柳景桓;郑周永;甄明玉;柳智娟 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C08G18/70 文献下载
摘要：根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括：在230nm波长处获得的高效液相色谱(HPLC)分析谱图中提供最大峰的第一多硫醇化合物，和分子量大于第一多硫醇化合物的分子量且由C9H20S6表示的第二多硫醇化合物。通过在230nm波长处的HPLC分析谱图测量的第二多硫醇化合物的峰面积与第一多硫醇化合物的峰面积的比为0.05％至5.0％。
硫醇组合光学产品

[发明专利]碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法-CN202211665374.6在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：公开了一种碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法。碳化硅粉末包含碳和硅并且通过二维图像分析测量的颗粒圆形度为0.4至0.9。
碳化硅粉末以及利用制造方法

[发明专利]碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片-CN202211665498.4在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉末、碳化硅粉末的制备方法及碳化硅晶片。碳化硅粉末包含碳和硅，并且在碳化硅粉末中，通过X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。
碳化硅粉末利用制造方法晶片

[发明专利]二异氰酸酯组合物、其制备方法以及使用其的光学材料-CN202011430121.1有效
发明人：裵栽荣;金正武;明正焕;韩赫熙;郑周永;甄明玉 -专利权人： SKC株式会社;宇利精密化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07C263/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种二异氰酸酯组合物、其制备方法以及使用其的光学材料。在实施方案中，在从二胺通过二胺盐酸盐制备二异氰酸酯的过程中可以使用盐酸水溶液代替氯化氢气体以及固体三光气代替光气气体。另外，实施方案提供了制备二异氰酸酯组合物以及高品质光学镜片的方法，其中将二胺盐酸盐组合物与三光气的反应中使用的有机溶剂中的水含量、阳离子含量或含有3个或更多个氯(Cl)的芳族化合物的含量调节至特定范围。
氰酸组合制备方法以及使用光学材料

[发明专利]多硫醇组合物、光学聚合性组合物和光学产品-CN202180063797.8在审
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;柳景桓;郑周永;甄明玉;柳智娟 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括第一多硫醇化合物和分子量高于第一多硫醇化合物的分子量且官能团数量大于或等于第一多硫醇化合物的官能团数量的第二多硫醇化合物。第二多硫醇化合物的含量基于第一多硫醇化合物的重量为500ppm至20,000ppm。可以通过第二多硫醇化合物控制异氰酸酯系化合物的反应速率，从而防止光学产品的条纹现象并且光学产品的机械性质可以得到改善。
硫醇组合光学聚合产品

[发明专利]制备二异氰酸酯组合物和光学镜片的方法-CN202011430101.4有效
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;郑周永;甄明玉 -专利权人： SKC株式会社;宇利精密化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G18/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二异氰酸酯组合物和光学镜片的方法。在所述实施方案中，可以在从二胺通过二胺盐酸盐制备二异氰酸酯的方法中使用盐酸水溶液和有机溶剂代替氯化氢气体以及固体三光气代替光气气体。另外，所述实施方案提供了制备二异氰酸酯组合物和光学镜片的方法，所述方法通过控制二胺盐酸盐组合物中金属、阳离子或阴离子的总含量而具有优异的产率和品质并且减轻环境问题。
制备氰酸组合光学镜片方法

[发明专利]二异氰酸酯组合物、其制备方法以及使用其的光学材料-CN202011431226.9有效
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;甄明玉;郑周永 -专利权人： SKC株式会社;宇利精密化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G18/76 文献下载
摘要：本发明公开了二异氰酸酯组合物、其制备方法以及使用其的光学材料。根据本发明的实施方案的二异氰酸酯组合物在所述组合物中包含5ppm至200ppm的量的具有甲基基团的异氰酸苄基酯、5ppm至1,000ppm的量的具有卤素基团的芳族化合物、1ppm至1,000ppm的量的具有乙基基团的异氰酸苄基酯、或其组合。可以通过防止出现黄变、条纹和浑浊来改善光学特性并同时增强机械特性诸如耐冲击性。因此，其可以有利地制备高品质的光学材料。
氰酸组合制备方法以及使用光学材料

[发明专利]制备二异氰酸酯组合物及光学镜片的方法-CN202011437156.8有效
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;郑周永;甄明玉 -专利权人： SKC株式会社;宇利精密化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G18/76 文献下载
摘要：本发明公开了制备二异氰酸酯组合物及光学镜片的方法。在实施方案中，在从二胺通过二胺盐酸盐制备二异氰酸酯的过程中可以使用盐酸水溶液代替氯化氢气体以及使用固体三光气代替光气气体。另外，所述实施方案提供了通过控制制备二异氰酸酯的二胺盐酸盐组合物中的水含量在特定范围内来制备具有更高品质的二异氰酸酯组合物和光学镜片的方法。
制备氰酸组合光学镜片方法

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法-CN202211379327.5在审
发明人： 甄明玉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;朴钟辉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅晶片及其制造方法。碳化硅晶片包括上表面和下表面，所述上表面包括第一目标区域，所述第一目标区域是以所述上表面的中心为基准在所述上表面的半径的85％以内的区域，在所述第一目标区域中，沿第一方向以15mm的间隔测量的摇摆曲线中的第一峰值ω角以在所述上表面的中心测量的摇摆曲线中的中心峰值ω角为基准在‑0.5°至+0.5°以内，所述第一方向是[1‑100]方向，是通过所述上表面的中心的方向。
碳化硅晶片及其制造方法

[发明专利]制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭及其生长系统-CN202080101647.7在审
发明人：朴钟辉;崔正宇;金政圭;具甲烈;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：在本发明的制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭、制造碳化硅锭的系统中，碳化硅锭通过以下方法提供：准备坩埚组件，该坩埚组件包括具有内部空间的坩埚本体和覆盖该坩埚本体的坩埚盖；布置原料和碳化硅晶种，然后生长碳化硅锭并进行应用等，使得基于原料的重量为1，坩埚组件的重量为1.5至2.7。因此，提供了具有大面积的同时具有减少缺陷的碳化硅锭。
制造碳化硅方法及其生长系统

[发明专利]二胺组合物和制备二异氰酸酯组合物的方法-CN202011431161.8有效
发明人：裵栽荣;金正武;韩赫熙;明正焕;郑周永;甄明玉 -专利权人： SKC株式会社;宇利精密化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C07C263/10 文献下载
摘要：本发明公开了二胺组合物和制备二异氰酸酯组合物的方法。根据本发明的实施方案的二胺组合物包含在所述组合物中量为10ppm至2,000ppm的具有甲基的苄基单胺。当将其制备二异氰酸酯组合物和光学材料时，可以通过防止所述光学材料中黄变、条纹、和浑浊的出现来改善光学特性并且同时增强诸如耐冲击性的机械特性。另外，在根据另一个实施方案的制备二异氰酸酯组合物的方法中，将二胺组合物的根据CIE色坐标的b*值调节至特定范围，由此不仅可以提高所述二异氰酸酯组合物的产率和纯度，而且还可以增强最终光学镜片的光学特性。因此，所述制备二异氰酸酯组合物的方法可以应用于高品质塑料光学镜片的制备。
组合制备氰酸方法

[发明专利]碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件-CN202210692252.X在审
发明人：崔正宇;甄明玉;朴钟辉;徐正斗;金政圭;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片，外延晶片以及半导体器件。所述碳化硅晶片具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面。一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小。边缘区域是从碳化硅晶片边缘到中心的距离为碳化硅晶片半径的5％到75％的区域，中心区域是在碳化硅晶片的中心具有碳化硅晶片半径的25％的区域。该一个表面边缘区域的平均Rmax粗糙度和一个表面中心区域的平均Rmax粗糙度之间的差值为0.01nm至0.5nm。本发明的碳化硅晶片在表面的几乎所有区域都具有优异的粗糙度和光学特性，并且表现出均匀的质量。
碳化硅晶片外延半导体器件

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