“碲化镓”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2419337个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种碲化镉薄膜太阳能电池结构-CN201620438129.5有效
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池结构，所述的碲化镉薄膜太阳能电池包括：基板、透明导电层、窗口层、第一本征碲化镉膜层、第一掺杂的碲化镉膜层、第二本征碲化镉膜层、第二掺杂的碲化镉膜层、背接触层，所述第一掺杂的碲化镉膜层是掺杂有铷、硅等元素的碲化镉膜层，所述第二掺杂的碲化镉膜层是掺杂有铜等元素的碲化镉膜层。本实用新型的优点是在热处理过程中，第一掺杂碲化镉膜层中的一部分掺杂剂会扩散进入到窗口层中，从而使更多的入射光穿透窗口层进入到光吸收层中，同时窗口层又可以很好的覆盖在缓冲层表面；第二掺杂碲化镉膜层中的掺杂剂会使光吸收层与背接触层之间形成良好的欧姆接触
一种碲化镉薄膜太阳能电池结构

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910019216.5有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层、背接触层和背电极层，所述的光吸收层为碲化镉薄膜层，所述的背接触层由碲化锑与硒化铜的复合材料构成。本发明所述的碲化镉薄膜太阳能电池设置碲化锑与硒化铜的复合材料的背接触层，可以与碲化镉光吸收层形成良好的欧姆接触，降低了势垒，同时掺杂的硒化铜可以有效的改善碲化镉光吸收层的缺陷，而且硒扩散到碲化镉界面后，可以有效的提高碲化镉的禁带宽度，呈现深“V”型的梯度变化，电池初始性能、长期稳定性优异，转换效率高。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种从碲化镉中分离回收碲、镉的方法-CN202211121489.9在审
发明人：方立浩;罗鑫;徐月柳;刘崇淘 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种从碲化镉中分离回收碲、镉的方法，包括如下步骤：S1.碲化镉样品与过量碱混合均匀，在1100～1200℃、含氧氛围中进行焙烧，含氧氛围中的氧气与碲化镉样品中碲化镉的摩尔比例为氧气：碲化镉＝(3～3.5)：2；S2.向步骤S1.反应后得到的混合物中加水混合得到分散液，过滤后得到固体含镉副产物与含碲溶液；S3.向步骤S2.得到的含碲溶液中添加酸，以调节溶液的pH至酸性，反应完全后，过滤得到二氧化碲与沉碲后液本发明通过碲化镉与氧气和碱反应生成亚碲酸盐和氢氧化镉，利用其在水中的溶解性不同，实现碲和镉的分离；无需添加各种辅助添加剂，产生的污水对环境污染小，处理成本低。
一种碲化镉中分离回收方法

[发明专利]一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件的方法-CN200910058316.5无效
发明人：张静全;冯良桓;雷智;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 -专利权人：四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲化镉薄膜太阳电池组件，属于新能源材料与器件领域。本发明首先在未经激光刻划的透明导电薄膜玻璃上，沉积硫化镉薄膜、碲化镉薄膜，获得“玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”结构，对其进行热处理，然后进行激光刻划，刻掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”，然后进行化学腐蚀，然后在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻线位置填注低温固化聚酰亚胺，然后沉积背接触层并进行后处理，然后使用激光刻划掉在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕附近刻划掉“硫化镉/碲化镉/背接触层”，沉积金属背电极层，然后使用激光刻划掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕和“硫化镉/碲化镉/背接触层”刻痕附近的“硫化镉/碲化镉/背接触层/金属背电极”，获得串联集成的碲化镉薄膜太阳电池组件。该方法保证了全干法制备碲化镉薄膜太阳电池组件的工艺中，沉积硫化镉、碲化镉薄膜时可获得质量均匀一致的薄膜，保证了后续含氯化镉气氛中热处理均匀性，同时又不影响单元电池的形成及其串联集成的实现，从而提高了组件的转换效率
一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件方法

[发明专利]用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法-CN201110356225.7无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明名称为“用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法”。一般公开碲化镉薄膜光伏器件(10)包括：在硫化镉层(18)和碲化镉层(20)之间的硫化镉和碲化镉的混合层(19)。一般来说，混合层(19)具有在从硫化镉层(18)朝向碲化镉层(20)的方向中延伸的、增加的碲浓度和降低的硫浓度。还一般地公开了用于制造具有硫化镉和碲化镉的混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。
用于薄膜器件硫化碲化镉层混合以及它们制造方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜电池的集成方法-CN201810812297.X在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;赵雷;李飏;王彦珏 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/0463 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜电池的集成方法，碲化镉薄膜太阳能电池自上而下的结构依次是：背电极层、窗口层和碲化镉光吸收层、透明导电层、玻璃基底，通过两步激光刻蚀，完成碲化镉薄膜电池的集成，该方法能够很好的控制刻线死区，提高碲化镉薄膜电池的短路电流、填充因子，从而提高碲化镉薄膜电池的转换效率。
碲化镉薄膜电池碲化镉薄膜太阳能电池透明导电层背电极层短路电流光吸收层激光刻蚀填充因子转换效率玻璃基窗口层碲化镉刻线死区

[发明专利]精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法-CN200610060337.7无效
发明人：罗建国 -专利权人：罗建国
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明适用于III－V或II－IV化合物半导体材料，比如砷化镓、磷化铟、砷化铟、磷化镓、锑化铟、硒化镉、碲化锌等等，及锗和硅等单晶体的生长。
精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置方法

[实用新型]碲化镉发电玻璃连接节点-CN202320573018.5有效
发明人：郭小龙;顾家;孙开润;郑昶;谷峰 -专利权人：河南天元装备工程股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及发电玻璃技术领域，具体为碲化镉发电玻璃连接节点，包括：第一碲化镉发电玻璃，第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆；螺杆，螺杆的表面设置有套环，套环的表面设置有升降板，升降板的表面设置有连接杆；及滑槽，设于第一碲化镉发电玻璃的表面；有益效果为：本实用提出的第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆，将插接杆插接在第二碲化镉发电玻璃端部的卡合块之间，通过伸缩块使得插接杆卡在卡合块之间，第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃起到预固定，然后旋拧螺杆，使得套环移动，套环带动固定杆移动，固定杆插接进卡合块的内部，将第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃固定在一起。
碲化镉发电玻璃连接节点

[发明专利]从含碲化镉组件中回收碲的方法-CN201010162679.6有效
发明人：张俊刚;孙永伟;张呈乾;黄群健;蔡巍;彼得·L·安德森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：从含碲化镉组件中回收碲的方法包括：用pH值约为9以上的电解质溶液接触所述含碲化镉组件，用所述电解质溶液接触相对的电极，在所述含碲化镉组件和所属相对的电极之间施加电压差，以导致碲从所述含碲化镉组件中移出并沉积在所述相对的电极上
含碲化镉组件回收方法

[发明专利]具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池-CN201410260474.X有效
发明人：李卫;王洲玲;张静全;冯良桓;武莉莉;黎兵;曾广根;王文武;胡玉;唐容喆 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。
具有多层复合薄膜碲化镉太阳电池

[发明专利]一种掺砷碲化镉的制备方法-CN202110445496.3有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺砷碲化镉的制备方法。本发明掺砷碲化镉的制备方法包括以下步骤：将除氧后的碲化镉粉末和除氧后的砷化镉粉末混合均匀，在650～850℃下热压烧结，得到掺砷碲化镉，其中热压烧结在真空或保护气保护下进行。本发明采用碲化镉和砷化镉而非相应单质作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，使原料全程为固态，避免出现偏析，确保所得掺砷碲化镉材料具有良好的均匀性；同时，采用除氧后的碲化镉粉末和砷化镉粉末作为原料，并在真空或保护气保护下进行热压烧结，确保所得掺砷碲化镉材料具有较低的氧含量和较高的纯度。
一种掺砷碲化镉制备方法

[发明专利]一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法-CN201710935893.2有效
发明人：牛金钟;徐巍巍;马晓华;田贵敏;康秀宝;郝好山 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法，本制备方法属于半导体材料制备技术领域。本方法是用乙二醇溶解亚碲酸钠，聚乙烯吡咯烷酮，乙酸钠，乙二胺和乙酰丙酮锌，并在惰性环境下排除溶液中的氧气，升温得到前驱体。然后分别加入乙酰丙酮铜，乙酰丙酮铋，乙酰丙酮镉，乙酰丙酮铅和乙酰丙酮锑，就可以成功制备出碲化铜,碲化铋，碲化镉，碲化铅和碲化锑的花状微纳结构。制备的碲化铜,碲化铋，碲化镉，碲化铅和碲化锑花状微纳结构的直径为8‑10微米。本方法的优点是合成过程简单，重复性好，安全环保，可节约成本。
一种金属碲化物花状微纳结构制备方法

[发明专利]含碲对电极、具有该对电极的太阳能电池及其制造方法-CN201410268022.6无效
发明人：过家好;马廷丽;严学庆 -专利权人：大连理工大学;江苏欧力特能源科技有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种含碲对电极，为具有碲化物之导电玻璃基片，碲化物为碲化钴、碲化镍的其中之一，或者其混合物。含碲对电极的制造方法，包括：含碲对电极的反应原料配制；低温反应，将反应混合物放入反应釜密封，并置于具有预设温度的烘箱中反应；冷却洗涤；高温烧结，将干燥后之固体物置于管式炉中，在氮气氛围下进行烧结；含碲对电极制造本发明太阳能电池采用含碲对电极，不仅光电转换效率大幅度提升，而且所述含碲对电极成本低廉，适于产业化发展需要。同时，所述含碲对电极之制造方法采用低温反应和高温烧结工艺，所获得的含碲对电极不仅催化性能优异，而且制造工艺简单，避免了传统工艺制备所需的苛刻条件。
电极具有太阳能电池及其制造方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法-CN200910198969.3有效
发明人：叶振华;黄建;胡伟达;尹文婷;林春;陈路;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题
碲镉汞红外平面芯片碲化镉原位钝化方法

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳