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[发明专利]包括氮化层的半导体器件-CN03123129.2无效
发明人：井上真雄;寺本章伸;土本淳一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：n型半导体衬底(1)，其主表面上含有源极区(20)和漏极区(21)；高介电系数绝缘膜(2)，含有高介电系数材料而形成，覆盖夹在源极区(20)和漏极区(21)之间的区域的上部；掺硼栅极电极(6)，形成在高介电系数绝缘膜(2)的上部；以及高介电系数氮化层(4)，形成在高介电系数绝缘膜(2)和掺硼栅极电极(6)之间。
包括氮化半导体器件

[发明专利]一种高导热改性聚偏氟乙烯介电材料及其制法-CN202010757194.5在审
发明人：熊书伟 -专利权人：新昌县希亭科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及介电材料技术领域，且公开了一种高导热改性聚偏氟乙烯介电材料，包括以下配方原料及组分：改性石墨烯气凝胶、环氧树脂‑氮化硼复合材料、聚偏氟乙烯。该一种高导热改性聚偏氟乙烯介电材料，石墨烯气凝胶通过丙烯腈原位聚合，形成聚丙烯腈包覆层，改善了石墨烯气凝胶在聚偏氟乙烯中的分散性和相容性，石墨烯形成微量的导电网络降低了材料的介电损耗，促进了表面极化效应，增强了材料的介电性能，纳米氮化硼接枝的N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷的氨基，与环氧树脂中的环氧基团发生开环反应，环氧树脂改善了纳米氮化硼在聚偏氟乙烯中的相容性，均匀分散的石墨烯气凝胶和纳米氮化硼
一种导热改性聚偏氟乙烯材料及其制法

[发明专利]高导热低介电损耗的聚碳酸酯组合物及其制备方法-CN201711173421.4有效
发明人：柏莲桂;李强;罗明华;辛敏琦 -专利权人：上海锦湖日丽塑料有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明涉及高导热低介电损耗的聚碳酸酯组合物及其制备方法，采用以下重量份含量的组分制备得到：聚碳酸酯60～95，聚酰亚胺树脂5～20，纳米氮化硼3～10，增韧剂5～10，相容剂0.1～3，抗氧剂0.1～1与现有技术相比，本发明的方法简单易行，利用聚酰亚胺树脂具有耐高温、低介电的特点，同时通过纳米氮化硼的层状结构，提高材料的刚性和低介电损耗的性能，处理后的纳米氮化硼解决了与PC的相容性问题。
导热低介电损耗聚碳酸酯组合及其制备方法

[发明专利]一种具有优异介电性能的六方氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法-CN201911133573.0在审
发明人：龚明兰 -专利权人：苏州溪能环保科技有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种具有优异介电性能的六方氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，依次包括六方氮化硼纳米粉体的制备、六方氮化硼/聚偏氟乙烯的复合；所述六方氮化硼纳米粉体的制备，包括如下步骤：将块体六方氮化硼粉末加入去离子水中，搅拌均匀后，得到悬浊液；通过超声波细胞粉碎机进行超声剥离；二次离心；离心机下部沉淀为被剥离后的六方氮化硼纳米片，将所述六方氮化硼纳米片放入真空干燥箱中，干燥后得到所述六方氮化硼纳米粉体。本发明所述的具有优异介电性能的六方氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，制备方法简单，制备方法简单，制得的六方氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料，具备高击穿、低介损和高储能，应用前景广泛。
一种具有优异性能氮化聚偏氟乙烯复合材料制备方法

[发明专利]一种高介电的纳米氮化硼改性环氧树脂复合材料和制法-CN202110097050.6在审
发明人：张训海 -专利权人：重庆十九分科技有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明涉及环氧树脂技术领域，且公开了一种高介电的纳米氮化硼改性环氧树脂复合材料，通过化学键的连接，将纳米氮化硼与环氧树脂有机结合，显著提高了环氧树脂与氮化硼的界面相容性，使纳米氮化硼高度分散在环氧树脂的基体中，减少了纳米氮化硼的团聚和聚集，更有利于纳米氮化硼在环氧树脂基体中形成三维导热网络，只需要很少量的纳米氮化硼，就可以显著提高环氧树脂的热导率和导电性能，并且纳米氮化硼在环氧树脂中产生界面极化效应和偶极极化效应，提高了环氧树脂材料的介电常数，改善了材料的介电损耗，使复合材料表现出更高的介电性能。
一种高介电纳米氮化改性环氧树脂复合材料制法

[发明专利]高膨胀低介电低损耗LTCC基板用复合瓷粉及制法-CN202211577633.X在审
发明人：宋婷婷;周立鸣;周一鸣 -专利权人：贵州宇光鸿宇电气照明科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C03C3/118 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种高膨胀低介电低损耗LTCC基板用复合瓷粉及其制法。所述的复合瓷粉包括50‑60wt％的硼硅玻璃粉和40‑50wt％的钙硼硅玻璃粉。本发明所述的复合瓷粉,含可微晶化玻璃和硼硅玻璃,且不含外加的形核剂和陶瓷相，可低温烧结致密，并且可满足低介电、低损耗、高膨胀LTCC基板性能要求，具有综合性能优良、组成简单、易于烧结的特点。
膨胀低介电低损耗 ltcc 基板用复合制法

[发明专利]一种高介电高导热的纳米Ag-BN改性环氧树脂材料及其制法-CN202010394638.3在审
发明人：赵汉波 -专利权人：赵汉波
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及环氧树脂材料技术领域，且公开了一种高介电高导热的纳米Ag‑BN改性环氧树脂材料，包括以下配方原料及组分：纳米银修饰氮化硼纳米片、硅烷偶联剂、3,5‑二氨基苯甲酸，催化剂、促进剂、环氧树脂E44该一种高介电高导热的纳米Ag‑BN改性环氧树脂材料，3‑缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷接枝改性纳米银修饰氮化硼纳米片，3,5‑二氨基苯甲酸生成的聚酰胺接枝纳米Ag‑BN，再与环氧树脂进行开环交联反应，改善了纳米银和氮化硼纳米片与环氧树脂的相容性，分散均匀的纳米银修饰氮化硼纳米片在环氧树脂中形成三维导热通路，提高了环氧树脂的热导率，纳米银和氮化硼纳米片之间形成的表面极化效应，协同作用下增强了环氧树脂材料的介电性能。
一种高介电高导热纳米 ag bn 改性环氧树脂材料及其制法

[发明专利]高导热、低介电复合材料及其制备方法-CN202111221975.3在审
发明人：丘陵;许兰淑;成会明 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种高导热、低介电复合材料的制备方法，包括：提供氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液；混合氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液，得到混合分散液；对混合分散液进行烘干处理，得到混合浆料；及对混合浆料进行热辊压处理，得到混合膜；对混合膜进行烧结处理，得到高导热、低介电复合材料，其中，所述高导热、低介电复合材料包括聚四氟乙烯和分布于聚四氟乙烯中的氮化硼纳米片，氮化硼纳米片首尾搭接，形成若干层连续导热通路。本申请还提供一种由所述高导热、低介电复合材料的制备方法制得的高导热、低介电复合材料。本申请的高导热、低介电复合材料不仅具有较高的热导率，还具有极低的介电常数和介电损耗，以及优异的可加工性和力学性能。
导热低介电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法-CN201610029618.X有效
发明人：吉艳凤;潘成斌;惠飞;石媛媛;肖娜;马里奥兰扎 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法，所述的RRAM器件包括介电层、下电极、上电极，所述的介电层为多层氮化硼，所述的下电极为铜箔，所述的上电极为钛和金。制备方法为：（1）采用化学气相沉积法生长氮化硼，得到最终的氮化硼/铜箔样品，氮化硼生长的衬底铜箔作为器件下电极；（2）使用电子束蒸镀仪和掩模板蒸镀钛电极和金电极。该器件与热门的高介电材料氧化铪器件相比，电学性质稳定；器件制备方法简单，避免二维材料常见的转移手段对样品造成的污染；使用掩膜版直接蒸镀上电极，避免光刻等微加工手段，工业化大规模生产前景广阔。
一种基于多层氮化 rram 器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化硼包覆磺化石墨烯-环氧树脂复合材料及其制备方法-CN201710193557.5有效
发明人：丁锡锋;陈钱;倪荣凤;段明松;李辉 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼包覆磺化石墨烯‑环氧树脂复合材料及其制备方法。采用静电自组装方法，将氮化硼粒子包覆在磺化石墨烯表面，再将BN@SGO复合导热填料用机械喷涂的方法添加到环氧树脂基体中，实现氮化硼包覆磺化石墨烯复合填料在树脂基体中均匀分布。本发明利用氮化硼低介电性能，并结合氮化硼和磺化石墨烯高导热的特性，有效提高了环氧树脂的导热性且保持其低介电性，明显改善传统添加方案带来的导热不均匀问题。本发明的氮化硼包覆磺化石墨烯‑环氧树脂复合材料导热性能优异、介电性能良好、热稳定性优良，在电子封装材料领域具有巨大的应用前景。
一种氮化硼包覆磺化石墨环氧树脂复合材料及其制备方法

[发明专利]堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法-CN202010604966.1在审
发明人：崔锺武;金成基;王桂磊;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力，解决了介电层的漏电问题。
堆叠电容器半导体存储器件制备方法

[发明专利]一种三明治结构高储能密度聚合物基介电复合材料及其制备方法-CN201710928412.5有效
发明人：党智敏 -专利权人：南通洪明电工科技有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B29C35/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用氮化硼纳米片与钛酸铜钙纳米纤维为功能填料，制备具有三明治结构的高储能密度聚合物基介电复合材料的方法。该方法通过静电纺丝技术或水热法制备钛酸铜钙纳米纤维，通过液相超声剥离得到氮化硼纳米片，然后用溶液分散法或熔融共混法将其均匀分散于聚合物基体中，制成薄膜，继而将钛酸铜钙纤维复合薄膜作为中间介电层，氮化硼复合薄膜置于外侧本发明提供的制备方法，通过引入高绝缘性氮化硼作为耐受电压层，大幅提高复合材料的击穿强度，而高介电陶瓷钛酸铜钙的加入，又进一步强化了材料的介电性能，从而整体提高复合材料的储能密度。
一种三明治结构高储能密度聚合物基介电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电栅介质及其制备方法-CN03116931.7有效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉一种超薄Si－N－X高介电栅介质材料及其制备方法。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.4nm时，SiON－Si3N4高介电堆层，已不能满足其要求－穿过栅介电层的漏电流过大。本发明通过掺杂高介电元素形成SiON－SiNX(X为Ba、Sr、Ta)高介电栅介质材料。制备高介电堆层SiON－SiNX采用4步法。使用低压快速热生长炉子(LPCVD)生长，具有低的漏电流、抑制硼穿透、可比拟的载流子迁移率、稳定性好和产额高。本工艺成熟，操作简便，很适合于大生产。
一种高介电栅介质及其制备方法

[发明专利]一种低介电高导热界面膜及其制备方法-CN202111528190.0有效
发明人：任泽明;任泽永;杨应彬;廖骁飞;王号;吴攀;张松;李宏高;潘锋芳 -专利权人：广东思泉新材料股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本申请涉及导热材料技术领域，更具体地说，涉及一种低介电高导热界面膜及其制备方法，该低介电高导热界面膜按照重量份包括以下原料制成：有机聚合物、氮化硼粉、二氧化硅、粘结剂、增强剂、分散剂、聚乙烯蜡和乙醇；本申请通过混合上述原料，经过涂布、热压成型及模切制得低介电高导热界面膜，使得制备的低介电高导热界面膜密度高，且具有较好的导热性能、曲扰性和耐折性以及较低的介电常数。
一种低介电高导热界面及其制备方法

[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

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