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[发明专利]利用机械力化学去除冶金硅中微量磷、硼杂质的方法及所用助剂-CN200910117384.4无效
发明人：祁利民;刘海 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及在制造高纯金属硅过程中除杂的方法，尤其是利用机械力化学去除冶金硅中微量磷、硼杂质的方法及所用助剂，其特点是，包括如下步骤，在金属硅粉中添加2-8％重量百分含量的权利要求1或2所述的助剂，充分混匀后，一起粉碎至金属硅达到140-200目，然后通过酸洗后，去离子水洗涤至中性，过滤分离出固体物后，干燥即可。本发明采用机械力化学的方法，在精选冶金硅被粉碎的过程中添加能够与磷、硼等元素结合，但不与金属硅反应的复合助剂，使金属硅中磷杂质的含量达到4ppm以下，将硼杂质降低至1ppm以下。
利用机械化学去除冶金微量杂质方法所用助剂

[发明专利]一种具有换电网的太阳能电池及制作方法-CN201711261761.2在审
发明人：孙健春 -专利权人：孙健春
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有换电网层的太阳能电池和制作方法，包括上硅板和下硅板，所述上硅板上表面分布嵌装有上硅板导电带，所述上硅板上表面贴合有钢化玻璃层，所述钢化玻璃层上表面贴合有透镜层，所述上硅板的下表面一体成型有掺磷层，所述下硅板的下表面嵌装有下硅板导电带，所述下硅板下表面贴合有反光层，所述反光层下表面贴合有承重层，所述下硅板上表面一体成型有掺硼层，所述掺硼层与掺磷层紧密贴合，且掺硼层与掺磷层之间夹装有换电网层；通过透镜层将光线进行聚合
一种具有电网太阳能电池制作方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202010813062.X在审
发明人：张玥;金井升;王东;熊诗龙;白明华 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，方法包括以下步骤：对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；对半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在第一氧化层表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；在掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在第二氧化层表面形成背面钝化层；在硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及在正面钝化层和/或所述背面钝化层上形成电极。本申请的太阳能电池及其制备方法，减少掺杂多晶硅层和钝化层之间的未饱和缺陷，能够有效改善钝化效果，提升电池转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种双面钝化接触太阳能电池及其制作方法-CN202210393399.9在审
发明人：杨露;刘大伟;倪玉凤;张婷;魏凯峰 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：提供了一种双面钝化接触太阳能电池及其制作方法，其包括：对N型硅片衬底的正面进行第一次硼扩散处理，以形成发射结层；在发射结层上依序形成层叠的第一隧穿氧化层和第一本征多晶硅层；对第一本征多晶硅层进行第二次硼扩散处理，以形成硼掺杂多晶硅层；在N型硅片衬底的背面依序形成层叠的第二隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；在硼掺杂多晶硅层上依序形成层叠的钝化层和第一减反射层，且在所述磷掺杂多晶硅层上形成第二减反射层；形成正面电极和背面电极所述制作方法可使硼掺杂多晶硅层与金属电极接触的接触电阻率被有效降低，从而有效改善了硼掺杂多晶硅层与金属电极的接触不良问题，进而有利于提高电池的效率。
一种双面钝化接触太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种用于晶体硅太阳电池硼掺杂的方法-CN201110389090.4无效
发明人：尹海鹏;徐礼;张俊兵;刘淑华;乔柳;杨玉杰;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池硼掺杂的方法，在制绒后的硅片的表面沉积第一层薄膜-掺硼的氧化硅薄膜，在第一层薄膜表面再沉积第二层薄膜-氧化硅薄膜作为阻挡层，接着对硅片进行高温处理，使硼原子扩散进硅基体，形成硼掺杂层。该方法可在n型硅片上制备硼发射极(p+)，或者在p型硅片上形成硼背场(p+)。通过阻挡层的设置，可以实现单面硼掺杂，同时无需在扩散炉管中通入硼源，减少了炉管的腐蚀，延长了使用寿命；如果在高温退火过程中通入磷源，可以在硅片的两面分别产生硼掺杂和磷掺杂。
一种用于晶体太阳电池掺杂方法

[发明专利]一种新型镍基高温合金涡轮增压器密封环材料及生产方法-CN202211238231.7在审
发明人：蒋红亮;陈西 -专利权人：无锡威易发精密机械股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明涉及涡轮增压器密封环的制备领域，且公开了一种新型镍基高温合金涡轮增压器密封环材料，包括碳、硅、锰、钴、铬、钼、钛、铝、磷、硫、铁、铜、硼、锆以及镍，所述碳、硅、锰、钴、铬、钼、钛、铝、磷、硫、铁、铜、硼以及锆的质量配比为碳0.02‑0.10、硅≤0.75、锰≤0.10、钴12.00‑15.00、铬18.0‑21.0、钼3.50‑5.00、钛2.60‑3.30、铝1.00‑1.60、磷≤0.03、硫≤0.03、铁≤2.00、铜≤0.50、硼0.003‑0.01、锆0.02‑0.12，该新型镍基高温合金涡轮增压器密封环材料，在620℃以及780℃环境下，不同材料的涡轮增压器密封环均能保持可靠弹性，
一种新型高温合金涡轮增压密封材料生产方法

[发明专利]一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法-CN202210537360.X有效
发明人：孙建;王建明;舒华富;章康平;刘勇 -专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说，涉及一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。其包括以下步骤：取用6‑10重量份的碳、12‑15重量份的氯化氢、6‑10重量份的二氧化硅、1‑2重量份的扩散剂、6‑8重量份的硼、氮和磷混合料；加热二氧化硅并投入碳，使得硅被还原得到粗硅，投入氯化氢，对粗硅提纯得到精硅；对精硅沉积得到单质硅，使得单质硅熔融，投入扩散剂改变透光性，并投入硼、氮和磷，使得单质硅冷却凝固形成含有硼、氮和磷杂质的高纯度单晶硅；对单晶硅进行切片，将单晶硅切割成多个方片，并将多个方片叠加排版本发明提出一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。
一种单晶硅基底太阳能电池及其制作方法

[发明专利]双面电池的掺杂方法-CN201610349479.9在审
发明人：何川;金光耀;王懿喆;洪俊华;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面电池的掺杂方法，包括对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散，扩散温度为850℃‑1000℃，以使得含磷掺杂剂中的磷进入第一表面侧的硅衬底中以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中该磷掺杂层的掺杂剂量至少为2.5e15/cm2；对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀通过本发明所限定的特定条件的工艺，只需要一步高温工艺，简化了双面电池生产步骤，并且可以保留硅衬底两个表面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率与正面效率非常接近。
双面电池掺杂方法

[发明专利]一种N型单晶硅双面电池的制作方法-CN201611064978.X在审
发明人：和江变;邹凯;郭永强;郭凯华;马承鸿;李健;段敏 -专利权人：内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型单晶硅双面电池的制作方法，所采用的N型硅片衬底包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述方法包括对所述硅片衬底进行表面制绒处理；对所述硅片衬底的第一表面进行硼扩散处理，制得硼掺杂层；在所述硼掺杂层形成至少一层掩膜；对所述硅片衬底的第二表面进行磷扩散处理，制得磷掺杂层；去除所述至少一层掩膜；以及分别在通过硼扩散处理的第一表面以及通过磷扩散处理的第二表面制作电极，制得所述N型单晶硅双面电池本发明一实施方式的N型单晶硅双面电池的制作方法，工艺简单，有效地提高了电池的效率。
一种单晶硅双面电池制作方法

[发明专利]一种双面晶体硅太阳电池及其制备方法-CN202010528564.8有效
发明人：沈梦超;张梦葛;黄海冰 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种双面晶体硅太阳电池制备方法，先在硅片上制备硼掺杂面所需表面形貌，然后进行硼掺杂，利用硼掺杂过程表面生成的氧化层作为掩膜制备磷掺杂面所需表面形貌并进行磷掺杂；通过氢氟酸水上漂去除硅片边沿的氧化层；通过边沿抛光对硅片进行边沿隔离，利用硼掺杂面和磷掺杂面的氧化层作为掩膜保护硅片两面掺杂层不被破坏；最后在硅片两面制作钝化层和金属电极。进一步，本发明还公开一种通过这种方法制得的双面晶体硅太阳电池。该方法工艺过程简单，制作成本低，可以匹配不同类型的电池衬底和电池结构，并具有优良的边沿隔离效果，能大大降低双面晶体硅太阳电池的边沿漏电。
一种双面晶体太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池背面SE结构的制备方法-CN202310304957.4在审
发明人：韩宜辰;邢军;张岳琦 -专利权人：安徽旭合新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池背面SE结构的制备方法，在经过双面制绒清洗后的硅片；在所述制绒清洗后的硅片进行硼扩，在正面形成发射极硼掺杂层；之后再所述硅片上进行单面碱抛光，未硼扩的一面形成抛光面；之后再将上述硅片的抛光面进行制备隧穿层和磷掺杂多晶硅层之后再将上述硅片磷掺杂层的一面进行激光掺杂形成磷重掺层。之后将上述硅片BOE清洗，之后将上述硅片进行沉积氧化铝层和钝化减反射膜层。本发明背面采用SE结构形成了高低磷掺杂层，高掺杂层降低金属接触电阻有效改善FF，低掺杂层可降低磷掺杂内扩造成的复合提升，可有效降低背面非晶硅的厚度。本发明既能提高TOPCon电池的转换效率，且可降低非晶硅厚度提高工序产能，适合工业化量产。
一种 topcon 电池背面 se 结构制备方法

[发明专利]纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺-CN201310739043.7有效
发明人：刘国钧;将红彬;万剑;沈晓燕;程亮;沈晓东 -专利权人：苏州金瑞晨科技有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01B1/18 文献下载
摘要：本发明公开了纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺，在普通电池生产工艺的基础上，加入印刷本发明所述纳米硅硼浆形成具有“全屏蔽”效果的硼背场，以代替现有铝背场，解决了铝背场带来的硅片翘曲，减少碎片提高良品率；另外，硼背场的电场强度比铝背场高，更有效地阻止光生载流子溢出硅片表面或界面发生复合。同时，纳米硅硼浆中的硅粒发生交联，并形成一层致密结构牢牢粘连在硅片基板上，有效地防止硼、磷扩散相互干扰。
纳米硅硼浆及其应用于制备屏蔽硼背场工艺

[实用新型]一种P型电池-CN202222562749.8有效
发明人：钱小波;赵福祥;李宝磊 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P型电池，其包括P型硅片，P型硅片的正面依次设有磷扩散层、正面减反射层，对应磷扩散层与正面减反射层设有正面电极；P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，背面钝化减反射层上开设有开槽，开槽内设有背面电极，背面电极与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触。本实用新型提供的电池的硅片背面增加隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层，且背面钝化减反射层上开设开槽，背面电极位于开槽内并与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触，有效避免金属电极与硅直接接触，利用隧穿及势垒效应，载流子选择性传输
一种电池

[发明专利]N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法-CN202010549589.6有效
发明人：袁声召;崔艳峰;庄宇峰;于元元;胡玉婷;杨斌;张文超;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该制造方法包括以下步骤：制绒、硼扩散、刻蚀、隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积、磷扩散、去绕镀、氧化铝沉积、双面氮化硅沉积以及丝网印刷。在隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积步骤，将每两片硅片背靠背竖直放置，沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜；在磷扩散步骤，将每两片硅片背靠背水平放置，进行磷扩散。该方法，多晶硅薄膜沉积步骤中两个硅片之间的缝隙较大，使得多晶硅绕镀区域绕较大，磷扩散步骤，两个硅片之间的缝隙较小，使得磷扩散绕镀区较小，从而使得磷扩散绕镀区域局限在多晶硅绕镀区域内部，避免后续去绕镀工序对硼结的破坏
接触钝化太阳电池制造方法提高

[发明专利]在栅极电极上具有硅层的半导体器件-CN200510136967.3有效
发明人：山田悟;永井亮 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种CMOS器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于100。
栅极电极具有半导体器件