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[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺

[发明专利]锂硒电池正极材料及其制备方法以及锂硒电池-CN201410638938.6有效
发明人：杨全红;张辰;吴承骏;李静;吕伟;李宝华;康飞宇 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供一种锂硒电池正极材料的制备方法，其包括以下步骤提供一惰性气氛饱和的氧化石墨烯分散液；向该惰性气氛饱和的氧化石墨烯分散液中通入硒化氢气体，以惰性气氛为载气，将所述氧化石墨烯还原为石墨烯的同时在石墨烯表面生成单质硒，得到单质硒‑石墨烯分散液；将所述负载硒的石墨烯分散液进行溶剂热处理，得到一石墨烯基凝胶；以及将所述石墨烯基凝胶进行干燥处理。本发明还提供一种锂硒电池正极材料以及应用该正极材料的锂硒电池。
电池正极材料及其制备方法以及

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310687514.4有效
发明人：熊治雨;肖旭东;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法-CN202210760569.2在审
发明人：唐江;薛家有;陈超;杨许可;李康华;卢岳;包晓庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开了一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，该方法是以快速热蒸发方法制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且气氛环境的压强在50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小。本发明通过在特定温度及特定环境气氛条件下对硒化镉薄膜进行原位热退火处理，能够解决现有的基于快速热蒸发法制备的硒化镉薄膜质量不佳的技术问题。
一种提升硒化镉薄膜质量原位退火方法

[发明专利]一种纳米铁硒化合物的制备方法及钠离子电池-CN201710137835.5有效
发明人：张五星;万忞;黄云辉;薛丽红 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明属于过渡硒化物制备相关技术领域，其公开了一种纳米铁硒化合物的制备方法，其包括以下步骤：(1)将纯度大于99％的商业普鲁士蓝密封在充满惰性气氛的容器内，并将所述容器进行烧结，以获得被氮掺杂的石墨化碳层包覆的纳米尺寸的金属铁颗粒；(2)将所述金属铁颗粒与纯度大于99％的硒粉在惰性保护气氛下研磨混合均匀后密封在充满惰性气氛的容器内，并进行烧结、冷却以得到产物；(3)将得到的所述产物在惰性保护气氛下升温至650℃，并保持4小时，以获得被氮掺杂的石墨化碳层包覆的纳米尺寸的铁硒化合物本发明还涉及采用如上所述的制备方法制备的铁硒化合物作为负极材料的钠离子电池。
一种纳米化合物制备方法钠离子电池

[发明专利]一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用-CN200810053051.5有效
发明人：孙云;于涛;李凤岩;李宝璋;李长健;何青 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括：将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽；向上步产生的硒蒸汽中并入氢气，或氢气与氩气的混合气体；将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成，得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐，反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔，以及反应罐外的加热装置和激励电源，同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口，反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点，又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛，使之具有硒化氢的高活性硒源的特性，还可节省大量的硒原料，降低成本，具有重要的实用价值。
一种用于处理活性产生方法装置应用

[发明专利]硒化锂的制备方法-CN202110654303.5在审
发明人：潘禹君;伽龙;杨莹;严超 -专利权人：南京同宁新材料研究院有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化锂的制备方法，属于锂电池技术领域，包括以下步骤：在惰性气氛下配制含锂还原性溶液；配制含硒溶液；在惰性气氛下，将含硒溶液和含锂还原性溶液混合，室温下搅拌反应4‑6h得到反应物料；反应结束后取反应物料中的不溶物即得到硒化锂本发明以含硒溶液与含锂还原性溶液为原料，在常温常压下进行反应，制备方法安全，且生产成本低、反应过程无有害副产物，得到的硒化锂粉体晶相完整。
硒化锂制备方法

[发明专利]制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法-CN201210535592.8有效
发明人：陈旺寿;肖旭东;张撷秋;刘壮;顾光一;杨春雷;宋秋明 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上继续沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；蒸发监控装置，蒸发监控装置用于监测衬底表面温度、衬底在监测读数快速上升的时候离开第三镀膜室；第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550~650℃。本发明还提供一种制备铜铟镓硒光吸收层的方法。
制备铜铟镓硒光吸收装置方法

[发明专利]一种铁稳定富硒陶瓷材料及其制备方法-CN202010945876.9有效
发明人：王莲花;邸明宇;刘冰心;崔斌;姚亚平;胡江波;彭瑶;刘韬;刘业明 -专利权人：陕西省现代农业科学研究院;西北大学
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C04B33/04 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，具体公开了一种铁稳定富硒陶瓷材料及其制备方法，主要由高岭土、硒源和铁源组成，混合均匀后的富硒陶土材料通过常规的制陶工艺成型、烘干并在还原性气氛或其他惰性气氛下于800‑1200℃保温1‑6h后烧结制备得到富硒陶样品，对其硒含量及其在水种浸泡后的硒溶出量进行检测，得到铁稳定富硒陶瓷材料；其中铁含量为1wt％‑15wt％，硒含量为10‑200ppm。本发明的制备方法有利于富硒陶瓷在高温下烧结并且使硒稳定存在于陶瓷中，并且该富硒陶瓷在使用时能够在水或者含有食物的水中浸泡时溶出适量的硒。本发明的特点是通过加入铁源能够提高富硒陶瓷的烧结温度和稳定其中硒的含量，同时能够控制硒的释放量，从而达到安全、稳定和长期释放硒的作用。
一种稳定陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种处理制备CIGS太阳能电池吸收层的硒化炉及制备方法-CN201110082043.5有效
发明人：潘勇;范清喜;陈浩;周兆锋;李凯;周杰 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及到一种采用固态硒源法对柔性CIGS太阳能电池预制层连续快速硒化处理形成具有黄铜矿相结构吸收层的硒化炉。炉子两侧设置传动装置，炉子的主体由四部分构成，分别为过渡段、快速加热区、高温硒硫化区和冷却区。过渡段、快速加热区和冷却区充满保护气氛，高温硒硫化区为氮气或氩气与Se、S蒸汽的混合气氛。高温硒硫化区炉腔下部设有气垫装置防止衬底背面被硫化。硒化炉的硒蒸汽供应装置实现硒蒸汽的方便的可控性。
一种处理制备 cigs 太阳能电池吸收硒化炉方法

[发明专利]一种硒半导体薄膜的制备方法-CN201911075887.X有效
发明人：尹行天;文森;陈武磊;阙文修 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种硒半导体薄膜的制备方法，首先清洗纯玻璃基片或ITO基片；其次将称量好的硒粉体的和基片放置在石英管的相应位置；然后对腔体抽真空，在较低温度下(接近室温)以一定升温速率给气氛炉升温，到达一定温度后，保温几分钟，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积得到硒半导体薄膜，再将沉积得到的薄膜在空气气氛中一定温度下退火一定时间。本发明的优点是：(1)操作简单，重复性高，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验设备及环境要求较低；(2)制备的硒半导体薄膜形貌规则、薄厚均匀。
一种半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种提纯硒的方法-CN201710306227.2有效
发明人：刘晓智;任理维;刘大春;梅青松;刘舲航 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开一种提纯硒的方法，包括如下步骤：1)以工业硒为原料，在CO的气氛中，以N，N—二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，以无机碱为助溶剂，在0.1‑0.6MPa，10‑50℃下搅拌反应10min，反应完毕后，取出溶剂液，隔绝空气抽滤，将漏斗上的硒固体避光烘干，得除硫纯化硒粉；2)将除硫纯化硒粉置于CO气氛中，以DMF为溶剂，以有机碱为助溶剂，在0.1‑0.4MPa，25‑50℃下搅拌反应20min，反应完毕后，取出溶剂液，隔绝空气抽滤，取固体、洗涤、避光烘干，得纯硒粉。
一种提纯方法

[实用新型]一种处理制备CIGS太阳能电池吸收层的硒化炉-CN201120093917.2无效
发明人：潘勇;范清喜;陈浩;周兆锋;李凯;周杰 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C8/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及到一种采用固态硒源法对柔性CIGS太阳能电池预制层连续快速硒化处理形成具有黄铜矿相结构吸收层的硒化炉。即一种处理制备CIGS太阳能电池吸收层的硒化炉，炉子两侧设置传动装置，炉子的主体由四部分构成，分别为过渡段、快速加热区、高温硒硫化区，冷却区。过渡段、快速加热区和冷却区充满保护气氛，高温硒硫化区为氮气或氩气与Se、S蒸汽的混合气氛。高温硒硫化区炉腔下部设有气垫装置防止衬底背面被硫化。硒化炉的硒蒸汽供应装置实现硒蒸汽的方便的可控性。
一种处理制备 cigs 太阳能电池吸收硒化炉

[发明专利]一种话梅状二硒化铁电极材料及其制备方法与应用-CN201910968401.9在审
发明人：康雄武;门双;高洪成 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种话梅状二硒化铁电极材料及其制备方法与应用。所述电池材料为二硒化铁颗粒，二硒化铁颗粒呈话梅状，且颗粒尺寸为1‑3μm，以及颗粒表面具有孔结构。制备方法包括以下步骤：将硝酸铁和聚乙烯吡咯烷酮与溶于去离子水，得到喷雾干燥前驱液，然后经过喷雾干燥得到前驱体，最后在惰性气氛下高温碳化，与硒粉混合后在还原性气氛下硒化，制得所述二硒化铁负极材料。以该二硒化铁材料作为负极活性物质制得的钠离子电池具有良好的电化学性能，并且通过改变硒化时间，可以实现对循环稳定性的调控。同时，该制备工艺简单，成本低廉，产量高效率高，具有可观的商业化应用前景。
硒化铁话梅喷雾干燥硒化制备聚乙烯吡咯烷酮负极活性物质电化学性能还原性气氛钠离子电池商业化应用循环稳定性电池材料电极材料负极材料高温碳化颗粒表面去离子水制备工艺高效率孔结构前驱体前驱液硝酸铁硒粉调控应用

[发明专利]一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用-CN202210254539.4在审
发明人：潘锋;梁军 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法，包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100‑600℃加热10～60分钟，冷却到室温，即获得硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请的制备方法，先采用磁控溅射制备无定型的硒化亚锡膜层，再进行氯化物溶液处理和100‑600℃的退火处理，得到结晶硒化亚锡p型半导体薄膜。
一种硒化亚锡半导体薄膜及其制备方法应用

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