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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]与质量分析结合的甲基化特异性扩增产物的碱基特异性切割-CN200580017164.4无效
发明人：马蒂亚斯·埃里希;迪克尔·约翰内斯·范德博姆 -专利权人：斯昆诺有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C12P19/34 文献下载
摘要：本发明提供了方法、组合物和试剂盒，该方法、组合物和试剂盒用于鉴定靶核酸分子的甲基化状态、靶核酸分子中核苷酸基因座的甲基化状态，或者用于鉴定靶核酸分子中一个或多个甲基化或未甲基化核苷酸的基因座。甲基化状态通过以下方式进行：用可修饰靶核酸分子中一个或多个核苷酸作为靶核酸分子甲基化状态的函数的试剂处理甲基化的靶核酸分子，甲基化特异性扩增靶核酸分子、断裂扩增产物并且检测一个或多个片段，从而鉴定靶核酸分子的甲基化状态、靶核酸分子中核苷酸基因座的甲基化状态、或者靶核酸分子中一个或多个甲基化或未甲基化的核苷酸的基因座。
质量分析结合甲基化特异性扩增产物碱基切割

[发明专利]硒化镉多足纳米晶体的制备方法-CN201180074686.3有效
发明人：钟新华;张文进 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：例如，多足硒化镉纳米晶体可以通过包括以下的方法制备：将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。
硒化镉多足纳米晶体制备方法

[发明专利]多层膜金属化的靶材-CN200610096720.8有效
发明人：狄国庆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2006-10-11 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层膜金属化的靶材，包括非金属材料构成的基材层，其特征在于：在所述基材层的背侧设置有三层薄膜层，每层薄膜层的厚度范围分别为0.05～10微米，其中，中间层中含有不少于10％重量的低熔点金属，所述低熔点金属选自铋、锡、铅、铊、钋、硒中的一种或几种。本发明在陶瓷或玻璃基材层上镀制了三层金属膜，使用时可以保证靶材与金属背板的良好粘合，避免靶材的脱落，特别适合于在磁控溅射真空镀膜中采用直接溅射各种陶瓷或玻璃靶材的工艺。
多层金属化

[发明专利]用于薄膜光伏材料硒化的自清洁大规模方法和熔炉系统-CN201010503991.7有效
发明人：罗伯特D·维廷 -专利权人：思阳公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了用于薄膜光伏材料的硒化的自清洁大规模方法和熔炉系统。本发明的利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法包括将多个基板转移至熔炉中，熔炉包括处理区域和至少一个与处理区域可拆卸接合的端帽区域，将多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置，用数字N限定多个基板该方法还包括将包括氢物质和硒化物物质以及载气的气态物质引入熔炉中并将热能转移入熔炉中，从而使温度从第一温度升高至第二温度，第二温度的范围为约350℃至约450℃，以在每个基板上至少开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物膜；使熔炉的处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解。
用于薄膜材料清洁大规模方法熔炉系统

[发明专利]硫属化物膜的形成方法以及记录元件的制造方法-CN200880002896.X有效
发明人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与上述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；上述靶的直径为T(m)，上述靶与上述基板之间的距离为L(m)时，将上述距离L与上述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对上述基板施加偏置功率，对上述靶施加溅射功率的溅射工序，在上述接触孔内形成硫属化物膜的步骤。
硫属化物膜形成方法以及记录元件制造

[发明专利]一种纳米层状六方相贵金属硒化物及其制备方法与应用-CN202211532981.5在审
发明人：罗威;李芸博;付露红;杨超逸 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米层状六方相贵金属硒化物的制备方法，包括以下步骤：将铱源、硒源按照比例溶解于溶剂中，在惰性气氛下加热反应获得产物，对产物进行收集、洗涤和烘干，即得到一种纳米层状六方相贵金属硒化物。本发明利用向贵金属中加入非金属元素Se，形成金属‑非金属化合物，能进一步降低催化剂的成本，并采用胶体合成法在有机相中制备得到六方密堆积(hcp)结构。本发明制得的贵金属硒化物作为碱性氢析出反应的电催化剂，其催化性能远远高于正交相贵金属硒化物的催化性能，在碱性HER上具备巨大的应用前景，降低了成本，拓宽了催化剂种类，且制备方法简单易行，快速方便，产物多
一种纳米层状六方相贵金属硒化物及其制备方法应用

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN201310189678.4有效
发明人：李德军;贾涛;董磊 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它是采用直流磁控溅射的方法在soda-lime玻璃上沉积双层金属Mo电极，然后用射频磁控溅射的方法通过溅射铜铟镓硒四元合金单靶（CuIn0.7Ga0.3Se2溅射过程中保持一定的基底温度和溅射功率，溅射所得到的CIGS薄膜具有黄铜矿结构，适合作为太阳能电池的吸收层，本发明所述的方法不仅成本低，工艺简单，而且省去了硒化退火，更有利于环保。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]一种硒砷锗多元合金溅射靶材的制备方法-CN201811502667.6在审
发明人：储茂友;王星明;白雪;刘宇阳;杨磊;桂涛;韩沧;张恒 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒砷锗多元合金溅射靶材制备方法，其包括以下步骤：1)真空熔炼制备As2Se3，GeSe，As2Te3，As2Ge，GeTe二元化合物；2)依据目标成分，选用所述二元化合物辅以各元素单质进行配料；3)采用真空熔炼制备多元合金；4)对所述多元合金进行破碎磨粉；5)以步骤4)所得粉料为原料，通过真空热压制备硒砷锗多元合金溅射靶材。该靶材为制备集成电路薄膜阈值开关以及薄膜相变存储器的重要原材料。
多元合金制备溅射靶材二元化合物真空熔炼集成电路薄膜相变存储器元素单质阈值开关热压制靶材粉料磨粉薄膜破碎

[发明专利]一种高硒含量硒化茶多酚制剂-CN201410080979.8在审
发明人：陈躬;宋昆元 -专利权人：上海爱启生态科技有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C07D311/62 文献下载
摘要：一种高硒含量硒化茶多酚，具有如下结构：其中，R₁为碱金属离子硒配合物；R₂＝H，一种所述的高硒含量硒化茶多酚的制备方法，包括：A.将茶多酚至少与一种金属无机碱反应，获得茶多酚羟酸基盐；B.将获得的所述茶多酚羟酸基盐与SeO₂反应，获得所述的高硒含量硒化茶多酚。
一种含量硒化茶多酚制剂

[发明专利]硒油墨及其制备和使用方法-CN201010235827.2有效
发明人： D·莫斯利;K·卡尔兹亚 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：提供了一种硒油墨，其包含稳定分散在液体介质中的硒，所述硒油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备所述硒油墨的方法以及使用所述硒油墨在基材上沉积硒、用来制造各种含硫属化物的半导体材料的方法，所述半导体材料是例如用来制造薄膜晶体管(TFT)，发光二极管(LED)；以及光响应器件{例如电子照相术(例如激光打印机和复印机)，整流器，照相曝光计以及光伏电池}，以及含硫属化物的相变储存材料。
油墨及其制备使用方法

[发明专利]一种阻隔重金属进入可食用部分的叶面阻控肥及施用方法-CN201911073956.3在审
发明人：刘俐 -专利权人：刘俐
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻隔重金属进入可食用部分的叶面阻控肥及施用方法，该叶面阻控肥为包含硒肥和硅肥的水溶液；硒肥为硒化物或硒化物的水合物或二者的混合物；硅肥为硅酸盐或硅酸盐的水合物或二者的混合物；叶面阻控肥水溶液中的阳离子除氢离子外其余为钾离子、钠离子中的一种或两种；硒肥与硅肥的质量比为1~5：1~10。
一种阻隔重金属进入可食用部分叶面阻控肥施用方法

[发明专利]一种硒前驱液及其制备硒化镉或硒化锌量子点的方法-CN200710193409.X无效
发明人：蒋阳;王春;张忠平;李国华 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：一种硒前驱液，由单质硒在惰性气体保护下并加热溶于油酰吗啉溶剂中制备得到的硒前驱液。用该硒前驱液制备硒化镉或硒化锌量子点的方法是将硒前驱液与脂肪酸镉或脂肪酸锌前驱液在惰性气体保护下搅拌混合后于150～330℃条件下进行热解反应，最后用低碳醇分离和纯化。油酰吗啉对单质硒溶解能力强，且与其他绿色常规溶剂相容性好，可以提高硒化物纳米晶的体积产率，得到尺寸较窄的高质量的量子点。
一种前驱及其制备硒化镉硒化锌量子方法

[发明专利]一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法-CN201110155988.5无效
发明人：彭寿;王芸;任志艳;马给民;石玉英;曹欣;曹志强 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2011-06-11 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：首先在衬底上沉积底层导电膜，然后在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜，铜铟镓硒/硫薄膜沉积形成后，被置入热处理室进行热处理，所述的在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜是以氩气为溅射气体，以铜铟镓硒/硫合金靶为靶材，通过直流脉冲磁控溅射的方法来沉积形成的。本发明的有益效果是：①制备过程均在真空状态下完成，衬底没有暴露在大气，为制备出优质的薄膜提供了良好的环境基础；②避免了使用硒化氢/硫等有毒气体，提高了镀膜的安全性；③采用直流脉冲磁控溅射的方法制备铜铟镓硒
一种铜铟镓硒太阳电池吸收制备方法

[发明专利]化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法-CN202310938576.1在审
发明人：张伟;窦富良;李栋婵;李军;李诚达 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明为一种化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法。该方法在以硒粉、三氧化钨为前驱体的基础之上加入氯化钠作为辅助生长剂，采用双温区加热可以控制硒粉、三氧化钨与氯化钠混合物各自的温度，制备大面积多层的硒化钨单晶薄膜；同时提供了一种硒化钨薄膜转移的方法，通过湿法转移技术，将二硒化钨薄膜从基底上面剥离下来，转移到更适合特定应用的基底上。本发明生长的硒化钨晶体具有高质量和均匀性，可以实现对硒化钨的形貌和尺寸、材料纯度和成分的控制；转移工艺简单且质量好。
化学沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜方法

[发明专利]以预合金靶进行一次溅镀方式制作半导体化合物薄膜层方法-CN201110229408.2无效
发明人：陈谊浩;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明系提出一种以IB-IIB-IVA形成预合金靶材(预合金：将靶材元素选自至少一种以上之元素与靶材其他元素组合形成预合金)，利用此单一预合金靶材制作前驱膜层，避免因多步骤溅镀时需使用较多的靶材，大幅降低靶材损耗与增加靶材使用率本发明目标为半导体化合物I-II-IV-VI太阳电池，既具有与铜铟二硒(CIS)可比拟的光电学特性，又因不包含地球资源匮乏的贵金属铟且铜、锌、锡、硫等元素存量丰富、对环境无污染且造价低廉，很有希望成为新一代低成本高效率薄膜太阳电池的理想吸收层材料
合金进行一次方式制作半导体化合物薄膜方法

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