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[发明专利]硅片和其制造方法及装置-CN200810032278.1无效
发明人：陈科 -专利权人：陈科
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置，该硅片是由低纯度硅底板和高纯度硅层构成，高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结晶凝固而成，可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率并提供了六种硅片的制造方法及装置，分别是甩脱式硅片制造方法及装置，倾斜式硅片制造方法及装置，连续式硅片制造方法及装置，模铸式硅片制造方法及装置，竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。
硅片制造方法装置

[发明专利]一种硅片电学测试的早期侦测系统及方法-CN201410115031.1有效
发明人：包巧霞;余志贤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片电学测试的早期侦测系统及方法，所述早期侦测系统包括数据采集模块，用于采集硅片电学测试数据，并基于所述测试数据确定出正常硅片及异常硅片；制造路径获取模块，用于获取各该正常硅片及各该异常硅片在工艺机台矩阵中的制造路径；计算模块，用于依据所述制造路径计算出工艺机台矩阵中各个工艺机台的正常硅片通过率及异常硅片通过率；制造路径生成模块，用于依据所述正常硅片通过率及异常硅片通过率生成硅片合适的制造路径。采用本发明的硅片电学测试的早期侦测系统及方法能够自动选择没有异常的制造路径，同时禁用掉表现不好的工艺机台，解决了工艺整合工程师的人工检查的不及时性，并节约了分析数据的时间。
一种硅片电学测试早期侦测系统方法

[发明专利]硅片加强清洗方法、硅片清洗装置和硅片制造方法-CN202310436832.7在审
发明人：谷宁宁;吕合彬;张银鹏 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅片制造技术领域，具体公开一种硅片加强清洗方法、硅片清洗装置和硅片制造方法。硅片加强清洗方法包括以下步骤：提供经一次清洗后表面仍残留有脏污的脏污硅片；将脏污硅片传送入清洗装置；清洗装置具有清洁腔室，脏污硅片在清洁腔室内呈移动状态；烘吹硅片，在传送脏污硅片的同时，对脏污硅片进行至少两个不同梯度温度、并同时使用吹扫气体吹扫脏污硅片的表面，形成清洁硅片；其中：烘吹硅片的过程中，相邻温度梯度之间至少相差100℃；输出硅片，将清洁硅片传送出清洗装置。本发明提供的硅片清洗方法，对于脏污硅片反洗耗时短，良率高。
硅片加强清洗方法装置制造

[发明专利]一种硅片辨别方法-CN201811593780.X有效
发明人：李佳青 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片辨别方法，包括以下步骤：步骤S01：利用一硅片盒，当完成硅片取放后，对硅片盒内每个槽位位置上待辨别硅片的ID信息进行扫描，得到硅片盒内所有待辨别硅片的ID信息；步骤S02：将所述待辨别硅片的ID信息传递给制造执行系统；步骤S03：通过所述制造执行系统对所述待辨别硅片的ID信息进行比对，确认所述待辨别硅片的种类。本发明可以减少硅片盒种类的使用，提高硅片盒利用率，减少相关硅片分片过程的复杂性，降低出错风险，提高生产效率。
一种硅片辨别方法

[发明专利]一种硅片抛光方法-CN200910242232.7有效
发明人：库黎明;闫志瑞;索思卓;葛钟;陈海滨;盛方毓 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：一种硅片抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将硅片放入贴在陶瓷板上的夹持垫内；(2)将硅片抛光；(3)在硅片背面和硅片夹持垫之间持续通入压缩空气，气压为：0.1～50kpa，持续吹入气压的抛光时间为通过该工艺方法制造硅片，可以获得高平整度的硅片。本发明的优点在于提出一种简易提高硅片产品表面几何参数的硅片制造方法。
一种硅片抛光方法

[发明专利]一种硅片的制造装置及其使用方法-CN202111298169.6在审
发明人：杨阳;杨振华;季富华;管家辉 -专利权人：无锡上机数控股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的制造装置及其使用方法，涉及硅片制造技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：硅片固定机构，用以对硅片进行自动定位和固定；硅片固定机构包括有硅片吸附机构，硅片吸附机构用以对硅片进行固定，硅片吸附机构配套设置有硅片定位机构；转动机构，用以带动硅片固定机构进行转动；硅片检测机构，用以对硅片的平整度进行检测。本发明通过各个配件的配合，能够自动对硅片进行定位和吸附，并通过带动硅片进行匀速转动，配合硅片检测机构能够有效的对硅片侧壁的平整度进行检测，有效的避免了因为硅片偏位而导致的检测结果出现错误，从而大大的提升了检测的准确率
一种硅片制造装置及其使用方法

[发明专利]降低硅片金属杂质的方法-CN202110690063.4在审
发明人：周星星;郑刚;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种降低硅片金属杂质的方法。所述方法在进行器件制造工艺之前进行，所述降低硅片金属杂质的方法包括以下步骤：提供硅片本体；通过热退火工艺使得所述硅片本体的表层被氧化形成氧化层，所述氧化层和剩余硅片本体形成分界层，所述硅片本体中的金属杂质向所述分界层富集；去除包括所述分界层在内的所述氧化层，降低剩余硅片本体中包含的金属杂质，能够在硅片进行金属元素测试之前，降低硅片金属杂质。
降低硅片金属杂质方法

[发明专利]太阳电池及其制造方法-CN202211042264.4在审
发明人：程浩;陈功兵;杨秀清;闫涛 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池的制造技术领域，且特别涉及一种太阳电池及其制造方法。太阳电池制造方法包括：先对硅片的两个表面进行制绒，然后在硅片的正面依次沉积第一本征非晶硅层和磷掺杂的非晶硅层，再对硅片的背面做氧化处理，使硅片的背面形成氧化硅层，然后采用酸溶液去除所述硅片背面的氧化硅层，最后在所述硅片的背面依次沉积第二本征非晶硅层和硼掺杂的非晶硅层。该制造方法可以去除绕镀的同时，减少对硅片背面的绒面的影响，以便在一定程度上解决电池漏电的问题，得到电性能佳、良率优的电池片。
太阳电池及其制造方法

[发明专利]一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法-CN202211539736.7在审
发明人：王小波;王波;张克芹;王赞玉;蒲国冰;柏文玲 -专利权人：无锡科瑞泰半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，包括以下步骤：步骤一：硅片的制备；步骤二：确定硅片的方向；步骤三：对硅片进行研磨；步骤四：硅片的化学抛光处理；步骤五：硅片的能量测试操作；步骤六：硅片的切割操作；步骤七：硅片的扩膜分离操作。本发明的有益效果是，本技术方案的激光器用镀膜硅陪条的制造方法，简化了现有硅陪条的加工工艺，提高了硅陪条的生产效率，同时保证了硅陪条的生产质量，运用此硅陪条制造方法生产出的硅陪条，具有使用寿命长，无污染的特点，此外，此硅陪条的制造方法，也有效降低了生产成本。
一种激光器用镀膜硅陪条制造方法

[实用新型]硅片正反两面各压一条线的JFET二极管-CN201220271997.0有效
发明人：孙传帮;赵卫;宋洪德;叶武扬 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片正反两面各压一条线的JFET二极管，属于半导体器件制造技术领域。现有JFET二极管单芯占用硅片面积较大，硅片材料利用率低，造成材料浪费，成本增加。本实用新型采用通常压线设备及铝引线，漏极压线区D位于硅片正面一侧，其特征在于，条状深磷区位于硅片正面另一侧的源极压线区位置，深磷区将源极与硅片背面导通，整个硅片背面成为源极压线区。本实用新型之方案用于JFET二极管制造，可以减小JFET二极管在制造过程中的单芯占用硅片面积，由于硅片用料的节省、封装工艺的简化以及成品率的提高，整只JFET二极管的制造成本至少降低5%。
硅片正反两面一条 jfet 二极管

[发明专利]一种硅片制造工艺-CN202010938546.7在审
发明人：库黎明;闫志瑞;陈海滨 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片制造工艺。该工艺包括以下步骤：(1)在研磨和腐蚀后，对硅片进行抛光；(2)在硅片抛光后对硅片进行预清洗，去除硅片表面的磨料残留；(3)对硅片进行低温退火；(4)对低温退火的硅片进行最终清洗，去除步骤(3)中的表面金属残留本发明的硅片制造工艺在最终清洗前用退火炉对硅片进行低温退火，使硅片体内金属扩散到表面，再经过最终清洗工艺进行去除。通过该工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片表面的金属沾污水平，特别是随着时间延长，表面金属水平保持稳定，提高硅单晶的合格率。
一种硅片制造工艺

[发明专利]制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路-CN201610018737.5有效
发明人：赖建文 -专利权人：上海申矽凌微电子科技有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路，包括如下步骤：步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在第一衬底硅片上制造与温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线；步骤2，在第一衬底硅片上制造第二衬底硅片，在第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器，在第二衬底硅片面向第一衬底硅片的一侧设有与红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线；步骤3，连接红外光和可见光亮度传感器与温湿度传感器集成电路本发明的有益效果如下：可将温度、湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器集合制造在一起，成为一个单一器件，减少体积，功耗和制造成本，提高测量的精度。
衬底硅片红外光制造亮度传感器可见光温湿度传感器集成电路传感器集成电路金属铝布线集成电路连接湿度传感器制造成本功耗封装测量集合

[发明专利]一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法-CN201711050050.0在审
发明人：顾晶伟;刘宗贺;陆益;李超;刘宗帅;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，包括如下步骤将硅片进行预处理，清洗烘干；硅片进行氧化；硅片单面进行匀胶；将涂敷光刻胶的硅片进行曝光；将曝光后的硅片进行显影；将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；对硅片进行去胶；将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜，并利用负性光刻胶的性质，可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解，而匀胶面通过曝光，负性光刻胶产生交联聚合反应，在负胶显影液中不会去除，从而达到保护的作用，为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础，减少了返工次数和制造成本，进而提高了工艺质量和制造效率。
一种用于降低光刻单面保护缺陷制造方法

[发明专利]硅片承载舟及其制造方法-CN200810043755.4无效
发明人：邹建祥;顾华平;吴智翔 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片承载舟，硅片承载舟的沟槽侧面包含多个断面。本发明还公开了制造这种硅片承载舟的方法，以聚四氟乙稀或者四氟乙烯为原材料，注射成型。或者以聚四氟乙稀或者四氟乙烯为原材料，通过热成型得到平滑沟槽的硅片承载舟，再通过机加工制作断面。利用本发明方法制造的硅片承载舟，可以减少硅片与硅片承载舟沟槽侧面接触的面积，使硅片的处理工艺进行的更加充分。
硅片承载及其制造方法

[发明专利]半导体硅片制造工艺-CN200910241461.7无效
发明人：库黎明;闫志瑞;索思卓;陈海滨;盛方毓 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅片制造工艺，该工艺包括：(1)在磨削和腐蚀后，将硅片进行双面抛光粗抛，去除量为5～100微米；(2)在双面粗抛后，进行双面中抛，抛光布的硬度或抛光液颗粒的粒径比粗抛小，抛光去除量为1～100微米；(3)对双面抛光后的硅片直接进行单面最终抛光，此步的抛光去除量为小于0.5微米。通过该工艺方法制造硅片，可以获得高平整度的硅片，提高产品的一次收率。本发明的优点在于提出一种提高硅片表面的几何参数水平的大尺寸硅片制造方法。
半导体硅片制造工艺

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