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[发明专利]硅中介层-CN201510413740.2有效
发明人：管式凡;施能泰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅中介层，包含一硅基板，具有一正面及相对于正面的一背面；一第一集成电路芯片，设置在硅基板的正面；一第二集成电路芯片，设置在硅基板的正面且靠近第一集成电路芯片；一虚设切割道区域，设置在第一集成电路芯片与第二集成电路芯片之间；以及至少一电路器件，设置在硅基板正面的虚设切割道区域中。
中介

[发明专利]绝热硅层-CN98809948.9无效
发明人： A·P·R·哈平;A·G·里克曼;J·R·蒂德马斯 -专利权人：布克哈姆技术有限公司
申请日： 1998-04-15 - 公布日： 2000-11-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种形成于硅层中并被基片(5)支撑的集成光路,通过例如以桥的形式在该基片(5)上的一凹槽(2)上延伸使该硅层的一部分(1)与该基片(5)基本绝热。设有温控装置用来控制该硅层所述部分(1)或其上所设元件的温度。可以在所述部分(1)设置一热膨胀间隙(1A)以容纳所述部分(1)相对于基片(5)的热膨胀。
绝热

[发明专利]一种全对称的MEMS全硅摆式加速度计及惯性导航系统-CN202111472846.1在审
发明人：宋运康;闫鑫;赵坤帅;熊恒;孙国良;王刚 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明属于加速度计领域，涉及一种全对称的MEMS全硅摆式加速度计及惯性导航系统。加速度计为上下对称结构，包括：底支撑硅层、中间硅层、顶支撑硅层，以及介于中间硅层与底支撑硅层的底层隔离硅层，介于中间硅层与和顶支撑硅层之间的顶层隔离硅层；各硅层通过硅硅键合方式固连，通过氧化绝缘层进行电气绝缘；底支撑硅层和顶支撑硅层结构相同且镜像对称的硅层，底层隔离硅层和顶层隔离硅层结构相同且镜像对称的隔离硅层；隔离硅层用于隔离中间硅层和硅层之间的寄生电容，底支撑硅层、底层隔离硅层、顶层隔离硅层和顶支撑硅层都为中心对称结构；中间硅层沿自身的两个弹性梁的中垂线对称。
一种对称 mems 摆式加速度计惯性导航系统

[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201210011805.7无效
发明人：李佳霖;毕建中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法-CN201510707673.5有效
发明人：高剑琴;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；在所述外延锗硅层上方形成单晶硅层，所述单晶硅层包覆所述外延锗硅层；在所述单晶硅层上形成多晶硅层，所述多晶硅层与单晶硅层共同构成盖帽层；对所述盖帽层依次进行退火工艺和镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。
嵌入式外延锗硅层盖帽制作方法

[发明专利]一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法-CN202010338081.1在审
发明人：黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，封堵结构，顶层金属件，谐振器结构；底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层，中间硅层为在底层氧化层上沉积的硅薄膜，中间氧化层为在中间硅层形成的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜。一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，衬底硅作为谐振器的支撑层，SOI晶圆的埋层氧化层或者利用热氧化或者化学气相沉积技术在底层硅上沉积的氧化层，形成空腔。本发明优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；在硅晶圆上沉积氧化层和硅薄膜，是密封单晶硅谐振器的新结构性能稳定，新工艺和新方法。
一种基于氧化硅叠层振荡器结构制备方法

[发明专利]栅极制造方法-CN200910199222.X无效
发明人：向阳辉;刘艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极制造方法，包括：在已形成有栅氧化层的半导体衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硅化钨层；依次蚀刻所述硅化钨层、多晶硅层及栅氧化层，至暴露出半导体衬底，蚀刻后的硅化钨层及多晶硅层作为栅电极；对所述硅化钨层退火；对所述栅电极退火；氧化所述硅化钨层，在所述硅化钨层表面形成栅电极保护层。通过所述栅极制造方法，可以避免在硅化钨层和多晶硅层界面附近产生空洞。
栅极制造方法

[发明专利]对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法-CN201911373845.4有效
发明人：吴长明;冯大贵;欧少敏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅多晶硅层，控制栅多晶硅层上形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅多晶硅层的表面形成有硅氧化物层，硅氮化物层周侧的硅氧化物层形成侧墙；通过ICP刻蚀设备中对硅氧化物层进行刻蚀，去除硅氮化物层顶层的硅氧化物层且使侧墙减薄，直至控制栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备中对侧墙之间的控制栅多晶硅层进行刻蚀本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和控制栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。
氧化物多晶刻蚀方法

[发明专利]HBC光伏电池及其制作方法-CN202211576806.6在审
发明人：钱锋;姚飞;廖运华;宋银海;贾银海;王小东 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种HBC光伏电池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面设有N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层，所述N+型非晶硅层与所述P+型非晶硅层呈间隔交替地布置；所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层内分别设有金属电极；所述玻璃基板的表面设有非晶硅本征层，且所述非晶硅本征层覆盖于所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层上；所述非晶硅本征层的表面设有掺杂型晶体硅层以及与所述掺杂型晶体硅层的掺杂类型相同的高浓度掺杂型晶体硅层；所述掺杂型晶体硅层为N型晶体硅层或P型晶体硅层；所述高浓度掺杂型晶体硅层为N+型晶体硅层或P+型晶体硅层。
hbc 电池及其制作方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延结构的形成方法-CN202210784396.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅外延结构的形成方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底中形成有凹槽；执行外延工艺，在凹槽中形成锗硅层，硅衬底及锗硅层的表面上形成有缺陷颗粒；形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒；执行硅刻蚀工艺，去除硅层及缺陷颗粒。本发明通过形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒，使得缺陷颗粒与硅层具有相较于硅衬底的表面具有更强的结合力，从而在硅刻蚀工艺中较为容易地去除缺陷颗粒及硅层，由此以解决形成锗硅外延结构时的缺陷颗粒问题
嵌入式外延结构形成方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法-CN201711070385.9有效
发明人：何怀亮 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层；以及对所述第一硅层及所述第二硅层进行退火以形成一多晶硅层。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201911206365.9在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;张娟;高勇;白星亮;黄金;杨骥;任法渊;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括硅层衬底、设置在硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；所述受光面掺杂层至少包括掺杂非晶硅层B和掺杂微晶硅层。本发明制备的高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池在减小HJT电池受光面非晶硅寄生吸收的同时，也提高受光面非晶硅层的导电性，膜层同时具有优异的光学性能和电学性能。
一种高效非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法-CN202110216899.0在审
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;林鸿霄;孔真真;罗雪;张青竹;殷华湘;余嘉晗 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法，属于半导体工艺技术领域，能够提供集成度更高、栅控更好的器件。本发明的沟道结构包括硅衬底、沟道层以及多层硅层和多层支撑层，多层硅层依次层叠在硅衬底上，支撑层设于硅衬底与硅层之间和相邻两层硅层之间，沟道层设于硅层的表面，沟道层为WS2层。本发明的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底；在硅衬底上形成硅层和支撑层；在硅层的表面形成沟道层。本发明的沟道结构及其制备方法可用于GAAFET器件。
一种叠层环栅沟道结构及其制备方法

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201910779112.4在审
发明人：李宏伟;翁高登;马玉超;何胜;周盛永;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请公开了钝化接触太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的本征多晶硅层；位于本征多晶硅层背离隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离本征多晶硅层的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离扩散层的表面的减反层；位于减反层背离第二钝化层的表面的第二电极。在隧穿层和掺杂多晶硅层之间设有本征多晶硅层，可以提高掺杂多晶硅层沉积速率，还可以减少杂质离子向硅衬底扩散，减少硅衬底复合，从而提高光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
硅衬底掺杂多晶硅层背离钝化层本征多晶硅层隧穿层扩散层减反层光电转换效率太阳能电池第二表面第二电极第一表面第一电极杂质离子沉积钝化制备申请复合扩散

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