[发明专利]一种新的硅基微纳结构的修饰方法在审
| 申请号： | 202110769121.2 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113651290A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郑德印;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微纳 结构 修饰 方法 | ||
【主权项】：
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