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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法-CN201110298403.5有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：一种硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法，其中，所述硅化镍层形成方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成硅化二镍层；在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层；对所述硅化二镍层进行第二退火处理，形成硅化镍层在进行第二退火处理形成硅化镍层之前，在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层，在进行第二退火处理时，所述氮化硅层中的氢离子会扩散到硅化二镍层中，使得最终形成的硅化镍层内含有氢离子，可有效的降低硅化镍层的电阻
硅化镍层形成方法半导体器件

[发明专利]形成硅化镍的增强方法-CN201010519988.4有效
发明人： J·P·卡哈兰;G·哈姆;G·R·奥拉德伊斯;D·L·雅克斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：采用镍涂覆含硅基体。采用一保护层涂覆镍并且加热结合体至一足够温度以形成硅化镍。硅化镍的形成可在含氧环境中进行。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供含硅基体；b)在含硅基体上沉积镍层；c)在镍层上沉积银层；和d)加热具有镍层和银层的含硅基体至足够温度以形成硅化镍。
形成硅化镍增强方法

[发明专利]毫秒退火工艺稳定性的监测方法-CN201110406808.6有效
发明人：何永根;禹国宾;吴兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种毫秒退火工艺稳定性的监测方法，包括：提供待监测晶圆，所述晶圆表面依次形成有隔离层和多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成金属镍层；对晶圆进行第一退火，使金属镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化二镍层；去除未反应的金属镍层；对晶圆进行毫秒退火，使硅化二镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化镍层，所述毫秒退火的温度范围为500～700摄氏度；测量硅化镍层的方块电阻值，并将方块电阻值与标准值进行比较，判断毫秒退火工艺的稳定性
毫秒退火工艺稳定性监测方法

[发明专利]形成硅化镍材料的方法-CN201980046439.9在审
发明人：于敏锐;任河;梅裕尔·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉积第二硅化镍层，以形成硅化镍材料。
形成硅化镍材料方法

[发明专利]改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法-CN200610030625.8无效
发明人：李泽逵;宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成硅化镍层及PMOS晶体管的方法，首先提供包括栅极结构的n型硅衬底；在n型硅衬底上进行非晶化锗注入；在栅极结构的两侧n型硅衬底中形成源极和漏极，并对源极和漏极进行退火；在n型硅衬底和栅极结构上沉积覆盖层；在覆盖层上形成镍层；退火，使镍层与源极和漏极表面的硅反应形成硅化镍层；去除未反应的镍层和覆盖层；经过后续内连线过程，形成PMOS晶体管。在上述形成源极和漏极之前先非晶化锗注入n型硅衬底中，将n型硅衬底的单晶硅非晶化为多晶硅，然后将锗掺杂入多晶硅间，使后续镍层与硅衬底反应形成硅化镍的同时不会生成二硅化镍，进而在硅衬底中也不会产生尖峰现象而导致漏电流
改善硅化镍层性能方法形成 pmos 晶体管

[发明专利]一种集成电路装置及其制造方法-CN02123342.X无效
发明人： J·S·马亚;D·J·特威特;Y·安奥;F·张;S·T·许 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种集成电路器件及其制造方法，包括制有钴中间层在(100)Si上的外延硅化镍或在非晶Si上的稳态的硅化镍。在一个实施例中，该方法包括在先于硅化反应前在Ni和Si层之间淀积钴(Co)中间层。钴中间层通过镍和硅与钴中间层的反应形成的钴/镍/硅合金层控制Ni原子流量，以致Ni原子以相同的速度到达Si界面，即没有任何的优选晶向，以至形成均匀的硅化镍层。可以退火硅化镍形成均匀的晶体二硅化镍。因此，获得在(100)Si或非晶Si上的单晶硅化镍，其中硅化镍具有提高了的稳定性并可以被用在超浅结的器件中。
一种集成电路装置及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN01139471.4无效
发明人：中嶋节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN95118410.5无效
发明人：中嶋节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液（乙酸镍溶液）的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶（单域区）的区域。$#!
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200510005697.2无效
发明人：中岛节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法-CN201110276571.4有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成离子掺杂区；在所述离子掺杂区内形成凹槽，所述凹槽伸入到栅极结构下方；在所述凹槽内形成二硅化镍材料层，利用干法刻蚀除去未被栅极结构遮挡的二硅化镍材料层，形成位于所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面的二硅化镍层；在所述凹槽内形成外延层，利用所述外延层形成硅化镍接触区。由于所述形成的二硅化镍层位于硅化镍接触区靠近栅极结构一侧的侧壁表面，阻挡了后续形成的倒棱锥体的硅化镍或二硅化镍钉入到MOS晶体管栅极结构下方的沟道区内，避免发生源/漏区击穿或短路。
具有硅化镍接触半导体结构形成方法

[发明专利]制作接触孔于硅化镍层上方的方法-CN02152212.X有效
发明人：吴启明;王美匀;张志维;谢静华;眭晓林;傅竹韵;徐祖望;蔡明桓;邱远鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-11-19 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作接触孔于硅化镍层上方的方法，其特征是利用物理性蚀刻以克服公知工序中高活性的硅化镍层与蚀刻剂发生反应的问题。方法一，不一次完全去除蚀刻终止层，而残留一厚度极薄的蚀刻终止层，以物理性蚀刻方式去除残留蚀刻终止层，蚀刻气体便不会与硅化镍层发生反应。方法二，新引用一蚀刻缓冲层于蚀刻终止层与硅化镍层之间，再利用物理性蚀刻方式去除蚀刻缓冲层，同样地，蚀刻气体便不会与硅化镍层发生反应。
制作接触硅化镍层上方方法

[发明专利]一种硅化镍热处理工艺的检测方法-CN202011327546.X在审
发明人：王韡祺;谢威 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，提供硅衬底，在硅衬底上生长氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积NiPt层；对NiPt层行退火处理，NiPt层的一部分与多晶硅层反应生成硅化镍层；去除剩余未反应的NiPt层；检测硅化镍层的电阻值。本发明通过在沉积NiPt前先生长氧化层,并沉积多晶硅，再进行NiPt沉积的方法，消除底层硅衬底的影响。在方块电阻量测前，增加去除NiPt的步骤，消除前层NiPt对量测结果的影响。从而使得量测结果及均一性更加精确，有利于提升硅化镍工艺的质量。
一种硅化镍热处理工艺检测方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201480028190.6在审
发明人：今井文一;中岛经宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在SiC晶片的背面依次形成钛层和镍层。接下来，通过高温热处理对SiC晶片进行加热而将钛层和镍层烧结，形成包含碳化钛的硅化镍层。通过该高温热处理，从而形成SiC晶片与硅化镍层的欧姆接触。其后，形成在硅化镍层上依次层叠有钛层、镍层和金层而成的背面电极层叠体。此时，在形成构成背面电极层叠体的镍层时，在将镍层的厚度记为x[nm]，将镍层的成膜速度记为y[nm/秒]时，以满足0.0＜y＜-0.0013x+2.0的条件形成镍层。由此，能够抑制背面电极剥离。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]一种高比容量改性氧化镍阴极-CN202310892491.4在审
发明人：皮尔班·贾赫罗米·锡亚马克;黄碧英;张天任;张海源;王宏杰;余凯;王光明 -专利权人：天能电池集团股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比容量改性氧化镍阴极，使用一种改性镍箔，所述改性镍箔是在镍箔衬底的表面沉积一层纳米级别的镍薄膜；然后使用甲硅烷与所得镍箔表面沉积的镍薄膜反应生成硅化镍纳米线，得到硅化镍纳米线改性的镍箔通过热线化学气相沉积技术(HWCVD)在镍箔表面沉积高导电性硅化镍，可以有效解决氧化镍作为半导体材料导电性差的问题，从而提高活性氧化镍比容量80％以上。随着循环次数的增加，电极材料和镍箔之间的间隙逐渐扩大，导致活性物质接触不良引起容量衰减，硅化镍缓冲层的引入能够明显提高接触性；硅化镍缓冲层的引入能够明显提高活性物质的可逆性，循环性能提高35％以上。
一种容量改性氧化阴极

[发明专利]形成硅化镍层以及半导体器件的方法-CN200310120207.4有效
发明人：具滋钦;宣敏喆;卢官钟;金旼炷 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi₂之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。
形成硅化镍层以及半导体器件方法

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