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[发明专利]钛硅分子筛合成方法-CN201410561943.1有效
发明人：林民;夏长久;朱斌;彭欣欣;舒兴田 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：钛硅分子筛合成方法，包括将钛源、模板剂、水、多元醇、过氧化物和硅源、任选的无机铵源形成晶化混合物，晶化，回收钛硅分子筛；所述的硅源为有机硅源和/或固体硅源。该方法可以提高所合成的钛硅分子筛的活性，减小晶粒尺寸。
分子筛合成方法

[发明专利]一种高硅铝比MFI结构分子筛的制备方法-CN202110309960.6在审
发明人：崔岩;陶金泉;郭成玉;沈宜泓;王晓化;薄雅文;于宏悦;李梦晨;沈雨歌 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅铝比MFI结构分子筛的制备方法，其包括以下步骤：将硅源与水、碱源混合，在20～80℃下剧烈搅拌0.5～48h后，加入低碳醇，混合均匀，得到预处理的硅源；将铝源与水混合，在20～80℃下剧烈搅拌，加入碱源或酸源，得到碱或酸处理的铝源，其中，所述酸源加入铝源至其pH为2.3～5.7；若得到的是碱处理的铝源，则将预处理的硅源在剧烈搅拌下加入到碱处理的铝源中，得到硅铝晶化凝胶；若得到的是酸处理的铝源，则将酸处理的铝源在剧烈搅拌下加入到预处理的硅源中，得到硅铝晶化凝胶；所述硅铝晶化凝胶晶化反应得到MFI结构分子筛。本发明采用廉价绿色模板剂低碳醇来合成高硅铝比MFI结构分子筛。
一种高硅铝 mfi 结构分子筛制备方法

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN200610105461.0无效
发明人：小森重树 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种可以提高一种其中栅电极的所有部分都被硅化的MOS晶体管的性能的技术。在半导体衬底上方按照顺序形成层叠的nMOS晶体管的栅绝缘膜和栅电极。在半导体衬底的上表面中形成nMOS晶体管的源/漏区。在硅化栅电极的全部区域之后硅化源/漏区。因而，硅化物不会由于硅化栅电极之后硅化源/漏区的热处理而在源/漏区凝聚。因此，可以减小源/漏区的电阻并减小结漏。结果，提高了nMOS晶体管的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]杂原子分子筛的合成方法-CN201510182448.4有效
发明人：夏长久;林民;朱斌;彭欣欣;舒兴田 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：杂原子分子筛合成方法，包括将杂原子源、模板剂、水、多元醇和硅源、任选的无机铵源形成晶化混合物、晶化，回收杂原子分子筛分子筛；所述的硅源为有机硅源和/或固体硅源。
杂原子分子筛分子筛合成硅源晶化混合物固体硅源有机硅源杂原子源晶粒模板剂无机铵减小晶化回收

[发明专利]一种制备多级孔Y型分子筛的方法-CN201510698973.1有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种制备多级孔Y型分子筛的方法，其特征在于该方法包括:1)将硅源、铝源和水混合陈化得到晶化导向剂；2)先将晶化导向剂和硅源混合，然后加入铝源和水得到反应性硅铝溶胶，将反应性硅铝溶胶于晶化得到晶化液I，所述的晶化导向剂的添加量为所述的反应性硅铝溶胶总质量计的0.5～5％；3)将1,5‑双(N‑甲基吡咯烷)戊烷溴盐与晶化液I混合得到晶化液II，晶化液II于80～105℃晶化10～25h并回收产物。
一种制备多级分子筛方法

[发明专利]全硅化金属栅极-CN200580022861.9有效
发明人：格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。
全硅化金属栅极

[发明专利]一种高硅铝比丝光沸石的制备方法及应用-CN202011582829.9有效
发明人：裴仁彦;夏春晖;吕新新;王国建;刘骆安;王建;刘勇;王辉 -专利权人：延长中科（大连）能源科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C01B39/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种高硅铝比丝光沸石的制备方法及其应用。所述高硅铝比丝光沸石的制备方法，包含以下三个步骤：(1)将铝源、硅源、碱源、模板剂R1和水在一定条件下进行预晶化，得到高硅铝比前驱体；(2)将铝源、硅源、碱源、模板剂R2和水(或晶化后滤液)按一定比例在一定温度下搅拌陈化后制成结构导向溶胶；(3)将高硅铝比前驱体和导向溶胶按一定比例混合，水热晶化，得到高硅铝比丝光沸石。用该方法不但有效的利用了晶化后滤液，减少污染，还可以制备出硅铝比在15～50的丝光沸石，其二甲醚羰基化合成乙酸甲酯性能优异。
一种高硅铝丝光制备方法应用

[发明专利]改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法-CN200610030625.8无效
发明人：李泽逵;宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成硅化镍层及PMOS晶体管的方法，首先提供包括栅极结构的n型硅衬底；在n型硅衬底上进行非晶化锗注入；在栅极结构的两侧n型硅衬底中形成源极和漏极，并对源极和漏极进行退火；在n型硅衬底和栅极结构上沉积覆盖层；在覆盖层上形成镍层；退火，使镍层与源极和漏极表面的硅反应形成硅化镍层；去除未反应的镍层和覆盖层；经过后续内连线过程，形成PMOS晶体管。在上述形成源极和漏极之前先非晶化锗注入n型硅衬底中，将n型硅衬底的单晶硅非晶化为多晶硅，然后将锗掺杂入多晶硅间，使后续镍层与硅衬底反应形成硅化镍的同时不会生成二硅化镍，进而在硅衬底中也不会产生尖峰现象而导致漏电流
改善硅化镍层性能方法形成 pmos 晶体管

[发明专利]锡硅分子筛及其合成方法和应用以及一种苯酚羟基化的方法-CN201410286877.1有效
发明人：史春风;朱斌;林民 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种合成锡硅分子筛的方法，该方法包括(1)将有机硅源、锡源和碱源模板剂进行水解得到混合物A，将得到的混合物A进行第一晶化；(2)将第一晶化后的物料与无机硅源混合得到混合物B，将得到的混合物B进行第二晶化。本发明提供了由本发明的方法合成得到的锡硅分子筛及其应用。本发明提供了一种苯酚羟基化的方法。本发明能够利用相对廉价的无机硅源为部分甚至主要硅源，减少了有机硅酯的用量，大幅度提高了合成效益，并且合成得到的锡硅分子筛相对结晶度高，催化氧化活性高和选择性高，在探针反应苯酚羟基化反应中，其表现出催化氧化活性高以及对苯二酚的选择性高的特点
分子筛及其合成方法应用以及一种苯酚羟基

[发明专利]薄硅化钨层沉积和栅金属集成-CN200580024386.9无效
发明人：李明;树林·王 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括沉积掺杂多晶硅层、薄硅化钨层和金属层。一方面，在集成处理系统内沉积该掺杂多晶硅层和薄多晶硅层。另一方面，沉积该薄硅化钨层包括将多晶硅层暴露于硅源中、沉积硅化钨层，并将该硅化钨层暴露于硅源中。
薄硅化钨层沉积金属集成

[发明专利]一种制备介孔Y型分子筛的方法-CN201511020128.5有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种制备介孔Y型分子筛的方法，其特征在于该方法包括：(1)将硅源、铝源和水混合，然后陈化得到晶化导向剂；(2)先混合晶化导向剂和硅源，然后加入铝源和水，制得反应性硅铝溶胶，将反应性硅铝溶胶晶化，得到晶化液I，所说的反应性硅铝溶胶中，晶化导向剂的添加量占反应性硅铝溶胶总质量的0.5～5％；(3)在晶化液I中加入聚丙烯酰胺，继续晶化、回收产物。
反应性硅铝溶胶晶化导向剂制备介孔晶化液硅源晶化铝源聚丙烯酰胺对数坐标回收产物孔径分布水混合添加量脱附峰陈化峰顶孔容

[发明专利]一种制备介孔Y型分子筛的方法-CN201511020128.5有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种制备介孔Y型分子筛的方法，其特征在于该方法包括：(1)将硅源、铝源和水混合，然后陈化得到晶化导向剂；(2)先混合晶化导向剂和硅源，然后加入铝源和水，制得反应性硅铝溶胶，将反应性硅铝溶胶晶化，得到晶化液I，所说的反应性硅铝溶胶中，晶化导向剂的添加量占反应性硅铝溶胶总质量的0.5～5％；(3)在晶化液I中加入聚丙烯酰胺，继续晶化、回收产物。
反应性硅铝溶胶晶化导向剂制备介孔晶化液硅源晶化铝源聚丙烯酰胺对数坐标回收产物孔径分布水混合添加量脱附峰陈化峰顶孔容

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200510090098.5无效
发明人：邓德华;方俊雄 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，其先在基板上形成非晶硅层。接着，将非晶硅层转变为多晶硅层。然后，对于多晶硅层进行热工艺，以修补多晶硅层的晶格缺陷。之后，对多晶硅层进行离子植入工艺。接着，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖多晶硅层。然后，在栅绝缘层上形成栅极，其中栅极是位于多晶硅层上方。接着，于栅极两侧下方之多晶硅层内形成源极/漏极，而该源极/漏极之间即是通道区。在基板上形成图案化介电层，而图案化介电层暴露出部分源极/漏极。在图案化介电层上形成源极/漏极金属，其中源极/漏极金属分别与源极/漏极电连接。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管以及像素结构-CN200510098666.6无效
发明人：刘博智;方俊雄;何明彻;吕佳谦 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：首先，在基板上形成多晶硅岛状物。接着，在多晶硅岛状物上形成图案化栅极介电层与栅极。继之，在栅极下方两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而源极/漏极之间是通道区。再来，在基板上形成金属层，覆盖栅极、图案化栅极介电层与多晶硅岛状物。接着，使位于源极/漏极上方的金属层与多晶硅岛状物反应而形成硅化金属层。再来，移除未反应的金属层。继之，形成层间介电层，其覆盖基板。之后，移除源极/漏极上方的层间介电层而形成源极/漏极接触孔开口，其中硅化金属层是作为移除终止层。此薄膜晶体管的制造方法可以制造尺寸精细的源极/漏极接触孔开口，且硅化金属层可降低接触阻抗值。
薄膜晶体管制造方法以及像素结构

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