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[发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN202310092732.7在审
发明人：石鑫鑫;黄智 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，太阳电池包括：硅基体；减反膜，减反膜附着于硅基体，所述减反膜包括至少一层膜本体，减反膜中至少有一层膜本体为掺磷减反膜；电极，电极穿透减反膜与硅基体形成欧姆接触，且电极和硅基体接触的部位形成含磷的银硅合金；通过在减反膜中掺入磷，磷的加入不会影响减反膜的折射率和反射率，在栅线区在印刷电极浆料后，电极浆料会在烧结过程中刺穿减反膜，此时减反膜中的磷被烧结进银硅合金中，相当于是提高了硅基体中的磷浓度，提升了银硅合金欧姆接触，导致接触电阻降低。
一种太阳电池及其制备方法

[发明专利]减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板-CN202310315071.X在审
发明人：刘桂琪;张萌;杜凌霄;张欢欢;邓磊磊;王林松 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B1/111 文献下载
摘要：本申请提供了一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了减反膜的制备工艺复杂、难以控制、良率低，成本高昂的问题。该方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起该方法通过激光退火得到多晶硅层，有利于提高多晶硅层中晶界凸起的均匀性，进而提高了减反膜中第一凸起的均匀性，从而提高了显示面板对比度的均匀性，实现了可控、高效、低成本地制备良率高的减反膜的目的。
减反膜制备方法压印模板显示面板

[发明专利]一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法-CN201110301363.5无效
发明人：周艺;欧衍聪;黄岳文;何文红;郭长春;肖斌;黄燕;李荡 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）创新性地在多晶硅表面沉积三层不同折射率（其中n内>n中>n外）的SiN减反膜。用此制备方法制备的三层SiN减反膜钝化效果佳，减反效果好，短波区的光谱吸收提高。与传统的单层SiN减反膜工艺相比较，该方法制备出的三层SiN减反膜能有效提高多晶硅太阳电池的光电性能，其中短路电流提高了100mA，光电转换效率提高了1.34%。
一种改良多晶太阳电池三层 sin 减反膜制备方法

[实用新型]一种N型双面太阳能电池-CN201821947099.6有效
发明人：赫汉;葛祖荣 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅层，N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层，p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜，保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜，第一钝化减反膜的正面设置有正电极；N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层，N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜，第二钝化减反膜的背面设置有负电极本实用新型电池结构紧凑，制作工艺简单，成本低廉，有效提高了电池效率。
钝化镀膜本实用新型背面设置晶体硅层正面设置保护膜背场层双面太阳能电池电池结构电池效率制作工艺负电极正电极重掺杂紧凑背面

[发明专利]一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法-CN201110188006.2无效
发明人：周艺;欧衍聪;何文红;黄岳文;郭长春;肖斌 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法。传统的制备方法用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的SiNx减反膜由于其相对较高的沉积速率导致了SiNx减反膜的致密性和均匀性较差，钝化效果和减反效果都不能达到最佳。本发明以SiH4、NH3为主要反应气体，并在淀积过程中缓慢均匀充入N2作为分散剂和副反应气体，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备SiNx减反膜。用此制备方法制备的氮化硅减反膜均匀，致密性好，钝化效果佳，减反效果好。与传统的没有使用N2的工艺相比较，该方法制备出的SiNx减反膜能有效提高晶硅太阳能电池光电转换效率0.2%。
一种改良太阳能电池氮化硅减反膜制备方法

[实用新型]一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池-CN201620853240.0有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池，包括从下往上依序为背电极、背电场、P型硅、减反膜和正电极，背电场、P型硅、减反膜为层叠式设置，所述P型硅与减反膜之间层叠有若干层N型纳米硅薄膜，所述N型纳米硅薄膜边长小于P型硅边长，若干层N型纳米硅薄膜和P型硅表面没被N型纳米硅薄膜覆盖的部分由减反膜全部覆盖。与现有技术相比，本实用新型的一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池具有N型纳米硅薄膜的表面浓度低且可控，p‑n具有表面浓度低，结深小，p‑n结的质量和电池的转换效率高的优点。
一种表面浓度组装结晶体太阳能电池

[发明专利]一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法-CN201210426609.6有效
发明人：赵保星;易臻希;谢于柳 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜，该梯度折射率减反膜设置于晶硅太阳能电池硅基衬底上；所述梯度折射率减反膜上设有玻璃EVA封装膜；所述梯度折射率减反膜由下自上包括第一层薄膜，第二层薄膜和第三层薄膜本发明梯度折射率减反膜折射率在膜厚方向上按照三次方关系梯度变化；折射率变化趋势由三层具有特定折射率的膜层体现；三层具有特定折射率的膜层均由同一材料组成；三层膜层的折射率和厚度采取控制物理气相沉积的靶面与硅片表面夹角该梯度折射率减反膜具有宽光谱、光角谱减反射效果，且制备方法简单易于工业化生产。
一种太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610947227.6有效
发明人：任明冲;谷士斌;何延如;王进;杨荣;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括非晶硅层形成步骤在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤在硅片正面和背面的非晶硅层表面沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤在硅片的正面和背面的透明导电膜层表面形成电极；焊带焊接步骤将焊带焊接到电极的主栅线上；减反膜层形成步骤在硅片的正面，和/或背面的电极表面沉积减反膜，形成减反膜层。基于该方法，本发明无需额外制备镂空模具，因而可以简化工艺，从而降低成本；此外，可以在硅片的正面和/或背面的整版位置制备减反膜层，大大增加了电池的减反面积，进而可以提高电池的发电效率。
一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜-CN201310008588.0有效
发明人：李中兰;杨阳;威灵顿·皮埃尔J -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，有两种结构，第一种：该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0-2.1，厚度为70-80nm；该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3第二种：该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx，折射率为2.2-2.3，厚度为9-11nm；b、该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm；该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层，折射率为2.0应用本发明所述钝化减反膜的太阳电池，可从电池端有效地预防PID效应，且本发明基于目前的传统传统电池工艺，只改变减反膜的成分和厚度组合，能与目前的电池工艺兼容，易于实现。本发明所述能抗PID效应的钝化减反膜，适用于传统P型电池，也适用于高效背钝化电池，EWT、MWT电池，N型IBC电池等。
pid 效应太阳电池钝化减反膜

[实用新型]一种彩色光伏组件盖板玻璃-CN202120425862.4有效
发明人：夏申江;李刚;王伟健;刘小雨;黄海青;张宽翔;徐根保;程海波;许祥伟;张鑫根 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;凯盛光伏材料有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开一种彩色光伏组件盖板玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次层叠有致密减反膜、多孔减反膜与介质层；所述致密减反膜为致密硅氧化物，致密减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.8；所述多孔减反膜为多孔硅氧化物，多孔减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.55；所述介质层在550nm波长时的折射率为1.85～2.5；该盖板玻璃能够确保所制备的彩色光伏组件具有外观色彩能够自由选择和变换的优点
一种彩色组件盖板玻璃

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池减反膜-CN201320849794.X有效
发明人：张春华;李栋;高文丽;孟祥熙;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池减反膜，依次包括设于硅片衬底上的非晶硅膜层、设于非晶硅膜层上的第一富硅氮化硅膜层、设于第一富硅氮化硅膜层上的第二富硅氮化硅膜层；所述晶体硅太阳能电池减反膜的总厚度为78本实用新型设计得到了一种新的减反膜结构，实验证明，该减反射膜可以明显降低电池片表面对光的反射，增加硅片光的吸收，同时具有很好的钝化效果，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
一种晶体太阳能电池减反膜

[发明专利]N型双面电池结构-CN201710054760.4在审
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种N型双面电池结构，包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；该种N型双面电池结构，通过在表面设置隧穿氧化层
双面电池结构

[实用新型]N型双面电池结构-CN201720094304.8有效
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供一种N型双面电池结构，包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；该种N型双面电池结构，通过在表面设置隧穿氧化层
双面电池结构

[发明专利]一种多层氮化硅膜的制备方法-CN201310305712.X无效
发明人：张春萍 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是一种多层氮化硅膜的制备方法，按如下步骤进行：A.将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜；B.得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C.继续在高折射率氮化硅减反膜的基础上再次沉积折射率略低的氮化硅减反膜；D.重复B步骤；E.在第二层氮化硅减反膜的基础上沉积低折射率氮化硅减反膜，得到三层氮化硅减反膜。在晶体硅太阳能电池上面沉积多层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池表面的钝化效果，并且降低电池的反射率，对电池的短流、开压都有好处，从而提升太阳能电池的效率。
一种多层氮化制备方法

[发明专利]铸锭单晶IBC电池结构及其制备方法-CN202211061470.X在审
发明人：吕加先;职森森;逯好峰;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公布了铸锭单晶IBC电池结构及其制备方法，所述电池结构从上到下依次包括正面减反膜及正面钝化膜、正面氧化膜、正面黑硅小绒面、铸锭单晶硅基底、扩散层、背面钝化膜、背面减反膜；其中，在背面钝化膜以及背面减反膜上设置有正面电极和背电极，正电极嵌入背面减反膜及钝化膜和扩散层中，负电极P型单晶硅中。本发明采用铸锭单晶硅片可有效降低电池成本、再结合黑硅小绒面和SiON叠层膜的结构（可有效遮挡晶界、增加前表面光吸收），叠加IBC电池结构，前表面无栅线遮光，进一步增加光吸收、提升电流及电池效率，解决外观问题的同时提高了组件功率
铸锭 ibc 电池结构及其制备方法

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