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[实用新型]一种具有减反膜涂层的太阳能热发电专用反射镜-CN201620975320.3有效
发明人：徐梦溪;杨萍;陈帆;王蓉晖;张伟;卢鹏 -专利权人：中材海外工程（北京）有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G02B5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有减反膜涂层的太阳能热发电专用反射镜，属于太阳能利用技术领域，所述反射镜依次由保护层、银镜层、6mm超白热弯玻璃和减反膜涂层组成。减反膜涂层涂覆在热弯玻璃的上表面，其中减反膜是单层的二氧化硅(SiO2)或二氧化钛(TiO2)、SiO2/TiO2或TiO2/SiO2双层膜、或SiO2/TiO2/SiO2多层复合膜，硬质保护层即减反膜涂层厚度为
一种具有减反膜涂层太阳能发电专用反射

[发明专利]一种具有减反增效功能的光伏组件-CN201210526929.9有效
发明人：沈晓东;钟朝伟;康佩;顾杰;黄梅;周卫卫 -专利权人：江苏金瑞晨新材料有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减反增效功能的光伏组件，包括从上到下依次层叠设置的第一减反层、高透光液体硅胶层、电池片、高透光液体硅胶层及第二减反层，且所述光伏组件的边缘部均设有密封胶条，所述第一减反层和第二减反层均包含减反透射膜作为较佳应用方案之一，所述减反透射膜包括从上到下依次层叠设置的折射率为1.40的耐刮擦层、折射率为1.45的第一聚合物层、折射率为1.50的第二聚合物层、折射率为1.59的第三聚合物层以及表面处理层。
一种具有增效功能组件

[实用新型]一种耐磨性优越的湿法增透减反膜-CN202121888122.0有效
发明人：高洁 -专利权人：高洁
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本实用新型提供一种耐磨性优越的湿法增透减反膜，涉及一种采用多层复合结构，提高增透减反膜表面耐磨性的膜体结构，属于光学防护膜领域。提供的一种通过在主体膜表面悬空设置防护膜，防护膜和主体膜之间形成中空填充腔，提高耐磨性的增透减反膜，包括底胶膜、主体膜、防护膜，底胶膜置于主体膜底部，防护膜置于主体膜顶部，主体膜和防护膜之间设置有多个支撑条，支撑条和主体膜一体成型，能够在主体膜上方形成悬空防护，提高主体膜的耐磨性。
一种耐磨性优越湿法增透减反膜

[发明专利]一种太阳电池减反膜及其制备方法与应用-CN202210276550.0有效
发明人：肖祖峰;丁亮;黄滔;黄嘉敬;黄嘉明;梁福盛 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳电池减反膜及其制备方法与应用，属于太阳电池技术领域。本发明的太阳电池减反膜包括依次叠放的无机层和光刻胶层；所述无机层的折射率为2.3～2.4；所述光刻胶层的折射率为1.55～1.65；所述无机层的厚度为65nm～75nm；所述光刻胶层的厚度为90nm～110nm本发明通过对无机层和光刻胶层厚度及折射率的控制，从而实现了对减反膜的反射率进行控制，最终得到了反射率低的减反膜。
一种太阳电池减反膜及其制备方法应用

[发明专利]一种复合反射膜氮化硅太阳能电池板制备方法-CN201711347630.6在审
发明人：王凯 -专利权人：天津市瓦克新能源科技有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种复合反射膜氮化硅太阳能电池板制备方法，属于太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：制绒；热扩散制备；去PSG；氢化非晶硅层制备；在非晶硅层上放置掩膜，掩膜图形将部分氢化非晶硅层遮盖，然后沉积氮化硅，形成多孔氮化硅层，所述氢化非晶硅层、多孔氮化硅层配合形成复合减反膜；Ag背电极、Al背电场和Ag正电极的印刷和烧结。本发明利用非晶硅层优异的钝化效果和多孔氮化硅层的低反射率，及非晶硅层、多孔氮化硅层优异的光学匹配，使得太阳能电池的太阳光子利用率大大提高，载流子复合速率大大下降，从而大大提升电池的转换效率。
一种复合反射氮化太阳能电池板制备方法

[发明专利]耐刮伤减反射镀膜盖板及其制备方法-CN201911361376.4在审
发明人：刘君钧 -专利权人：苏州胜利精密制造科技股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：本发明公开了耐刮伤减反射镀膜盖板及其制备方法，其中镀膜盖板包括玻璃基板、及设置在所述玻璃基板厚度方向一侧且由内而外布置的减反增透层和防污膜层，所述减反增透层包括若干个高折射率膜层和若干个低折射率膜层，所述若干个高折射率膜层和若干个低折射率膜层依次交替层叠，贴合在所述玻璃基板和远离所述玻璃基板的膜层为低折射率膜层，所述低折射率膜层为SiON膜层，所述高折射率膜层为Si3N4膜层。本发明提供的耐刮伤减反射镀膜盖板及其制备方法，使玻璃盖板达到减反增透的效果，还可以提高玻璃盖板的抗刮性能。
耐刮伤减反射镀膜盖板及其制备方法

[发明专利]一种太阳能叠层电池的镀膜工艺-CN202211583700.9在审
发明人：陶利松;张群芳;任建强 -专利权人：浙江合特光电有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，涉及太阳能电池领域，采用N型晶硅层作为基板，N型晶硅层两侧均镀有功能膜；功能膜相背的两侧均镀有透明导电膜，透明导电膜背离N型晶硅层一侧为平滑面；其中一透明导电膜背离N型晶硅层制备有顶层电池；顶层电池背离N型晶硅层制备顶层透明导电层；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜均在背N型晶硅层侧壁间隔设置有若干保护膜；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜进行绒面处理；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜处理绒面处进行制备减反层；将保护膜卸下，通过丝印方式在保护膜卸下的凹槽内进行印刷金属电极。
一种太阳能电池镀膜工艺

[发明专利]高效P型晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202010386273.X在审
发明人：张学玲;杨阳;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效P型晶体硅太阳能电池及其制备方法，属于半导体技术领域。它包括硅片，在硅片的正面依次沉积有掺磷N型扩散层、二氧化硅薄膜、掺杂型多晶硅薄膜、透明导电薄膜和减反膜，在硅片的背面沉积有钝化膜。本发明解决了电池正面的发射极及金属接触区的复合电流密度偏高，同时减弱多晶硅薄膜正面吸光性问题，提供了一种兼顾吸光性及钝化性能的高效P型电池及其制备方法。
高效晶体太阳能电池及其制备方法

[实用新型]高效P型晶体硅太阳能电池-CN202020762128.2有效
发明人：张学玲;杨阳;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高效P型晶体硅太阳能电池，属于半导体技术领域。它包括硅片，在硅片的正面依次沉积有掺磷N型扩散层、二氧化硅薄膜、掺杂型多晶硅薄膜、透明导电薄膜和减反膜，在硅片的背面沉积有钝化膜。本实用新型解决了电池正面的发射极及金属接触区的复合电流密度偏高，同时减弱多晶硅薄膜正面吸光性问题，提供了一种兼顾吸光性及钝化性能的高效P型电池。
高效晶体太阳能电池

[实用新型]一种基于N型硅基底的太阳能电池-CN202222360826.1有效
发明人：徐聪;付少剑;郁寅珑;张明明 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于N型硅基底的太阳能电池，涉及太阳能电池领域，解决如何提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的问题。所述太阳能电池包括：N型硅片、第一钝化减反层、第二钝化减反层、在N型硅片的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一电极；以及在N型硅片的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层、第二电极；其中，第一钝化减反层环绕第一隧穿层、第一多晶硅层以及第一电极的一部分；第二钝化减反层环绕所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及第二电极的一部分；其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触
一种基于基底太阳能电池

[发明专利]一种PDLC显示模块-CN201410042063.3有效
发明人：于甄;胡坤;刘玉婷 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G02F1/1334 文献下载
摘要：一种PDLC显示模块，包括上下两层透明导电膜，以及夹在该两层透明导电膜之间的PDLC层，所述透明导电膜包括减反结构和衬底，所述减反结构包括介质层‑抗氧化金属层‑金属导电层‑抗氧化金属层‑介质层，所述抗氧化金属层为锌或钛，其中所述两层透明导电膜中的衬底面对面设置，所述两层透明导电膜中的减反结构则朝外设置，形成背靠背的结构。该PDLC所使用的透明导电膜在总体厚度远远小于现有的ITO膜的情况下，实现优异的光学性能和电学性能，并且可以实现大规模、大面积生产。同时由于减反部分是“背对背”的结构，可以直接在透明导电膜的外侧施加电压，PDLC外侧布线工艺的复杂性会大大减少。
一种 pdlc 显示模块

[发明专利]采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法-CN200710119474.8有效
发明人：伊晓燕;王良臣;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型接触层；刻蚀，将器件隔离；在P型接触层上制作ITO光学膜；在ITO光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作金属膜，构成器件的P电极；将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。
采用光学体系垂直结构发光二极管制作方法

[发明专利]一种P型HBC电池结构及其制备方法-CN202210896409.0在审
发明人：杨飞;倪志春;连维飞;刘松民;张景洋 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及的一种P型HBC电池结构及其制备方法，它包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的背面中部设有一块P型重掺杂区，所述P型硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述P型硅衬底的背面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，所述P型硅衬底的正面的非晶硅本征层的外侧设有SiNX减反膜；所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜；所述TCO导电膜的外侧设有若干N型Ag电极，所述TCO导电膜上设有一个槽口，槽口的深度贯穿TCO导电膜和N型非晶硅掺杂层，使得P型重掺杂区的底部裸露，所述P型重掺杂区的底部连接P型Ag电极。
一种 hbc 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法-CN200910046333.7无效
发明人：熊胜虎;郭明星;孔慧;郭群超;盛鹏;刘伟 -专利权人：上海交大泰阳绿色能源有限公司
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体步骤为：去除晶体硅片表面损伤层，重扩散，印刷栅线掩膜，制绒，去除掩膜，轻扩散，刻边，沉积减反膜。本发明方法采用先重扩、后制绒，背面平坦化的方法，克服了选择性发射结电池需要掩膜开槽或者光刻技术的成本高的缺点，具有设备投资低、生产效率高，电池转换效率高的优点。
一种选择性发射极晶体太阳能电池制备方法

[实用新型]一种晶硅太阳能电池用的叠层减反射膜-CN201920583284.X有效
发明人：罗学涛;廖凯霖;黄柳青;夏磊;温兆冬 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶硅太阳能电池用的叠层减反射膜，包括在晶硅太阳能电池表面依次层叠的氮化硅层、二氧化硅层以及二氧化钛‑二氧化硅复合层，所述氮化硅层、二氧化硅层以及二氧化钛‑二氧化硅复合层均为独立的减反射膜层可以对反射光依次进行干涉抵消，形成三重减反射，效果更好；氮化硅层作为接触Si基体(即晶硅太阳能电池)的减反射膜，其不但具有减反特性，还具有表面钝化作用，能有效的提高晶硅电池的少数载流子寿命；二氧化钛‑二氧化硅复合层作为最表层的减反射膜，具有一定的硬度和光催化作用，这能有效的防止晶硅电池片的表面擦伤和污渍附着；二氧化硅作为中间层，起到过渡结合的作用，使层叠结构更为紧凑、牢固。
二氧化硅复合层氮化硅层二氧化钛减反射膜晶硅太阳能电池二氧化硅层少数载流子寿命硅太阳能电池本实用新型光催化作用减反射膜层晶硅电池片表面擦伤表面钝化层叠结构二氧化硅晶硅电池污渍附着依次层叠反射光减反射中间层最表层叠层种晶紧凑抵消干涉