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[发明专利]垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202211690864.1在审
发明人：李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，电流注入孔贯穿电流注入阻隔层以暴露出有源层的上表面；在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔；在所述电流注入层上形成第二导电半导体层。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法-CN202110894097.5有效
发明人：杨国文;王希敏 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括在半导体器件的外延层上形成第一金属层；外延层具有至少一个电流注入区和设在电流注入区两侧的非电流注入区，且电流注入区和非电流注入区之间具有间隔区，第一金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和间隔区；在第一金属层上形成第二金属层，使第二金属层位于非电流注入区上；在第二金属层上形成焊料层，使焊料层覆盖第一金属层和第二金属层；将热沉和焊料层焊接。半导体器件和热沉键合时，第二金属层起到支撑作用；第二金属层设于电流注入区两侧，电流注入区不受力，焊接熔化的焊料处于自由流动状态，减小封装时对半导体器件的应力影响。
一种半导体器件热沉键合方法

[发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法-CN202110894124.9有效
发明人：杨国文;王希敏 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括衬底上形成外延层；外延层形成至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，电流注入区和非电流注入区之间形成有隔离区；外延层上形成金属层，金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和隔离区；金属层上形成多个导电导热结构，相邻导电导热结构之间有间隙，每个非电流注入区上都设有多个导电导热结构；多个导电导热结构上形成焊接层，焊接层覆盖导电导热结构、间隙和金属层；焊接热沉和焊接层。导电导热结构保证电流注入区不受力，焊接热沉时，减少焊接应力集聚；金属层和导电导热结构的形成，减小热沉和半导体器件焊接应力，减少或避免焊接使半导体器件局部扭曲。
一种半导体器件热沉键合方法

[发明专利]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法-CN201811205139.4在审
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。
电流限制层电流注入区域垂直腔面发射激光器芯片发光层衬底多层限流制备垂直腔面发射激光器衬底背面出光孔单模申请

[实用新型]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678467.1有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。
电流限制层电流注入区域垂直腔面发射激光器芯片激光器发光层衬底多层限流垂直腔面发射激光器衬底背面出光孔单模申请

[发明专利]一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器-CN201910511848.3在审
发明人：李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种水平空气柱电流注入孔径结构，包含下电流注入层和上电流注入层，利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明提出的一种水平空气柱电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，降低器件的阈值电流密度，解决GaN基VCSEL电流注入孔径的制作难题。
电流注入孔径水平空气垂直腔面发射激光器电流注入层同质结制备半导体光电子技术分布布拉格反射镜电化学刻蚀工艺电流注入结构侧向电流激光光源降低器件外延材料外延结构外延生长一次外延电注入有效地制作扩散生长保证

[发明专利]高电流注入机台监控方法-CN201610173716.0有效
发明人：谭秀文;赖朝荣;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电流注入机台监控方法，包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行
电流注入机台监控方法

[发明专利]发光元件-CN201680042134.7有效
发明人：滨口达史;泉将一郎;滝口由朗;风田川统之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光元件设置有：层状结构(20)，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)分层来形成该层状结构；模式损耗有效点(54)，其设置在第二化合物半导体层(22)上并且形成模式损耗有效区域(55)，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极(32)；第二光反射层(42)；第一光反射层(41)；以及第一电极(31)。在层状结构(20)中，形成有电流注入区域(51)、围绕电流注入区域(51)的非电流注入内部区域(52)以及围绕非电流注入内部区域(52)的非电流注入外部区域(53)。所述模式损耗有效区域(55)的投影图像覆盖非电流注入外部区域(53)的投影图像。
发光元件

[实用新型]一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器-CN201920888251.6有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本实用新型提出一种水平空气柱电流注入孔径结构，包含下电流注入层和上电流注入层，利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本实用新型提出的一种水平空气柱电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，降低器件的阈值电流密度，解决GaN基VCSEL电流注入孔径的制作难题。
电流注入孔径本实用新型水平空气电流注入层同质结制备垂直腔面发射激光器半导体光电子技术分布布拉格反射镜电化学刻蚀工艺电流注入结构侧向电流激光光源降低器件外延材料外延结构外延生长一次外延电注入有效地制作扩散生长保证

[发明专利]一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法-CN201810080742.8有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;李特;乔忠良;任永学;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2018-01-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种电注入GaN垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法，包括底部分布布拉格反射镜(DBR)和顶部DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种带有VCSEL电流注入层外延结构，即在隧道结上方外延生长一层电流注入层，然后利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明提出的VCSEL电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，提高电流注入多量子阱有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，从而有利于实现VCSEL电注入激光光源。
一种注入 gan 垂直发射激光器结构及其制备方法

[发明专利]基于斯格明子的电子神经元及人工神经网络-CN202010165391.8有效
发明人：梁雪;张溪超;周艳 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：该电子神经元包括一斯格明子产生及驱动装置和一环形探测装置；其中，所述斯格明子产生及驱动装置包括一磁性纳米薄膜和一电流注入层；所述电流注入层和所述环形探测装置均设于所述磁性纳米薄膜上，所述电流注入层设于所述环形探测装置的中心；所述电流注入层设置为在一产生电流的作用下产生一磁性斯格明子，并在一驱动电流的作用下驱动所述磁性斯格明子以远离所述电流注入层的方向运动；其中，产生电流的电流密度大于驱动电流的电流密度；所述环形探测装置设置为对运动至其探测范围内的磁性斯格明子进行探测
基于明子电子神经元人工神经网络

[发明专利]一种Mini LED芯片及制造方法-CN201911368214.3有效
发明人：张帆 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini LED芯片及制造方法，包括依次堆叠而成的GaN基底、P型接触面及电流稳定层、P型电流注入层、P型焊接结合界面金属层、缓冲绝缘层、应力释放层、绝缘全光谱反射层、N型焊接结合界面金属层、N型电流注入层以及N型接触面及电流稳定层；本发明通过P型接触面及电流稳定层、P型电流注入层、缓冲绝缘层、应力释放层、N型电流注入层以及N型接触面及电流稳定层这些特殊功能层的使用，从而解决了耐电流问题、绝缘层应力问题、绝缘层粘附问题和焊盘与锡膏的粘附力问题，使得该Mini LED芯片的可靠性及各类性能具有优秀表现的同时，可以保证Mini LED芯片的生产效率和生产良率。
一种 mini led 芯片制造方法

[发明专利]表面发射激光器及其制造方法-CN200810131769.1有效
发明人：关口芳信 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：该表面发射激光器包括：孔口部分，其是用于将电流注入活性层的路径；电流限制区域，其被提供在孔口部分的周边；以及电流注入区域，其被提供在光输出侧的相对于活性层的相对侧上，该活性层在该光输出侧和该相对侧之间，其中，在电流注入区域中的电流注入路径的直径小于孔口部分的直径。
表面发射激光器及其制造方法

[发明专利]自调整电流注入技术-CN201980099311.9在审
发明人： I·吉塔鲁 -专利权人：罗姆电力技术控股有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G05F1/70 文献下载
摘要：一种方法包含提供初级、次级及电流注入绕组(102、112、120)。存在受控电压源(134)、输入电压源(104)、连接到所述初级绕组的初级开关(106)、跨越所述初级开关反射的寄生电容(110)、次级整流器构件(114)，及电流注入电路(13)，所述电流注入电路包含连接到所述电流注入绕组(120)的电流注入开关(140)，及连接到所述电流注入绕组的单向电流注入开关(132)。所述方法包含接通所述电流注入开关，以开始从所述受控电压源流动穿过所述单向电流注入开关及所述电流注入绕组的电流注入。所述电流注入反射到所述初级绕组中，从而使跨越所述初级开关反射的所述寄生电容放电，在所述电流注入开关接通之后以延迟时间(δ)接通所述初级开关，且在所述电流注入达到零幅值之后关断所述电流注入开关。
调整电流注入技术

[实用新型]一种半导体器件-CN202121815072.3有效
发明人：杨国文;王希敏 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底和依次层叠设在衬底上的外延层、电极层、金属结构、焊料层和热沉，外延层形成有至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，其中，金属结构位于每个非电流注入区上电极层表面形成P面电极，芯片和热沉焊接时，N面加压力，高起的金属结构起到有效的支撑；电流注入区不受力，通过焊料层熔化焊接热沉时，熔化的焊料处于自由流动状态，能完全填充衬底上各层没有整层覆盖的区域，减小应力的积聚和受力不均匀导致的芯片变形问题，实现焊料层完全包裹金属结构和电极层，电极层和金属结构的组合与焊料层之间相互卡合、包裹，有效降低焊接应力，提高半导体器件的可靠性。
一种半导体器件

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