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[发明专利]一种多层膜电化学沉积设备及方法-CN201611035297.0在审
发明人：萧国瑞 -专利权人：瑞尔太阳能投资有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多层膜电化学沉积设备及方法，所述设备包括电沉积腔和多个电沉积液存储装置，每个电沉积液存储装置的两端分别设有电沉积液出口和电沉积液入口，每个电沉积液出口和电沉积液入口处均设有阀门，电沉积腔的两端分别与多个的电沉积液出口和电沉积液入口连通，电沉积腔内固定有阴极材料和阳极材料，阴极材料和阳极材料之间连接有电压源。本发明的电沉积腔同时连通多种电沉积液存储装置，可以通过依次切换电沉积腔与不同电沉积液存储设备的连通使不同电沉积液流经阴极材料和阳极材料之间来完成多层膜的镀制，整个过程无需移动阴极材料和阳极材料，无需更换电沉积设备
一种多层电化学沉积设备方法

[实用新型]一种多层膜电化学沉积设备-CN201621256575.0有效
发明人：萧国瑞 -专利权人：瑞尔太阳能投资有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多层膜电化学沉积设备，所述设备包括电沉积腔和多个电沉积液存储装置，每个电沉积液存储装置的两端分别设有电沉积液出口和电沉积液入口，每个电沉积液出口和电沉积液入口处均设有阀门，电沉积腔的两端分别与多个的电沉积液出口和电沉积液入口连通，电沉积腔内固定有阴极材料和阳极材料，阴极材料和阳极材料之间连接有电压源。本实用新型的电沉积腔同时连通多种电沉积液存储装置，可以通过依次切换电沉积腔与不同电沉积液存储设备的连通使不同电沉积液流经阴极材料和阳极材料之间来完成多层膜的镀制，整个过程无需移动阴极材料和阳极材料，无需更换电沉积设备
一种多层电化学沉积设备

[发明专利]低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法-CN201010022573.6无效
发明人：李景伦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种低k值介电材料沉积设备部件清洗装置及清洗方法，其中低k值介电材料沉积设备部件清洗方法包括：提供多次沉积低k值介电材料后的低k值介电材料沉积设备部件；采用上述的清洗装置对所述低k值介电材料沉积设备部件加热并采用紫外光线处理；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用稀释的氢氟酸清洗；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用去离子水清洗；烘干所述低k值介电材料沉积设备部件。本发明能够完全去除低k值介电材料的堆积，并且对沉积低介电材料设备的有降低成本及环保再利用效果。
值介电材料沉积设备部件清洗装置方法

[发明专利]电沉积图样的制造方法-CN95100365.8无效
发明人：中山广男 -专利权人：特富科国际株式会社
申请日： 1995-01-29 - 公布日： 1996-10-16 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：本发明的电沉积图样的制造方法的特征在于在导电性基体材料表面形成电沉积图样、包围该电沉积图样的线状电沉积和四周缕空中间块状电沉积；将上述电沉积图样及线状电沉积等从该导电性基体材料上剥离，并转印至设置有压敏粘结剂层的支承基体材料的该压敏粘结剂层上；在固定上述电沉积图样及线状电极等的整个保持侧面上形成固定用粘结剂层；除去上述线状电沉积；将上述电沉积图样从上述支承用基体材料上剥离的同时，通过上述固定用粘结剂层将上述电沉积图样贴附在被粘贴物之表面。按照本发明，可将电沉积图样从支承基体材料上容易地剥离，还可防止粘结剂从图样中溢出等。
沉积图样制造方法

[发明专利]一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法-CN202310480510.2在审
发明人：张国栋;许金龙;程光华;吕静 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C25D5/36 文献下载
摘要：本发明属于电沉积技术领域，涉及一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，包括以下步骤：1)基底材料预处理，2)镀膜，在预处理后的基底材料上沉积绝缘薄膜层；3)激光选区除膜，根据待沉积图案，利用超快激光在基底材料上进行图形化选区，剥蚀图形化选区的绝缘薄膜层；4)电沉积，将剥蚀后的基底材料置于电化学沉积环境中进行电镀，在基底材料的选区上沉积出三维微结构。本发明提供一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，工艺简单、电沉积效率高、能容易沉积出三维结构；通过循环重复，实现立体、多层、多种材料在基底材料上的沉积。
一种基于激光选区剥蚀定域电沉积方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201711114368.0在审
发明人：黄彦钧;唐邦泰;彭治棠;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供半导体装置的形成方法，此方法包含执行原子层沉积工艺，以沉积介电材料于基底上，使用紫外光将沉积的介电材料硬化，以及在硬化之后，将沉积的介电材料退火。
半导体装置介电材料沉积硬化原子层沉积工艺退火沉积介电材料紫外光基底

[发明专利]形成多个粒子的方法-CN201280040232.9在审
发明人：菲尔·雷纳;迈克·莱恩;杰里米·巴克 -专利权人：奈克松有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：一种沉积用于金属离子电池组的活性材料的方法，所述方法包括以下步骤：在电沉积浴中提供导电材料，其中所述电沉积浴含有电解质，所述电解质包含活性材料的源；和将所述活性材料电沉积至所述导电材料的表面上。
形成粒子方法

[发明专利]制造静电吸盘的方法-CN202080020969.9在审
发明人：安格斯·麦克法登;杰森·瑞特 -专利权人：泰科耐斯集团有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02N13/00 文献下载
摘要：提供了一种沉积材料以制造静电吸盘的方法。该方法首先使用旋涂和/或直接喷涂方法在柄上沉积第一介电材料的至少一层。接着在第一介电材料的至少一层上沉积功能电层。最后，静电吸盘通过使用旋涂和/或直接喷涂方法在功能电层和第一介电材料上沉积第二介电材料的至少一层而形成。
制造静电吸盘方法

[发明专利]一种羧甲基纤维素的电沉积方法-CN201610767359.0有效
发明人：王艺峰;章政;郭传航;王霞;耿增华;雷健 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C25D9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种羧甲基纤维素的电沉积方法。一种羧甲基纤维素的电沉积方法，其特征在于，它包括如下步骤：1）配制羧甲基纤维素电沉积液；2）金属电极材料的准备：采用金属铜或金属钴作为羧甲基纤维素电沉积的阳极金属材料，采用铂片作为羧甲基纤维素电沉积的阴极金属材料；3）羧甲基纤维素的电沉积：将阳极和阴极同时浸入到装有羧甲基纤维素电沉积液的容器中，并将阳极和阴极连接到直流电源，进行羧甲基纤维素的电沉积，沉积时间为3～10分钟，得到电沉积在阳极金属电极材料表面的羧甲基纤维素电沉积层该方法可在金属电极上电沉积形成羧甲基纤维素电沉积层，具有制备条件温和、操作简单方便、易于控制、仪器设备简单、绿色环保、可重复性好、成本低廉的优点。
羧甲基纤维素电沉积阳极阴极电沉积层电沉积液沉积金属电极材料阳极金属电极阴极金属材料金属材料金属电极可重复性绿色环保仪器设备直流电源制备条件浸入金属铜金属钴铂片上电配制

[发明专利]铝基复合材料表面离子液体电沉积铝膜的制备方法-CN201110107852.7有效
发明人：黄文貌;马乃恒;王浩伟;刘预;周聪 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C25D3/44 文献下载
摘要：一种复合材料技术领域的铝基复合材料表面离子液体电沉积铝膜的制备方法，采用季铵盐类、吡啶盐类或咪唑盐类与无水三氯化铝和添加剂配制得到电沉积液，在氩气保护环境下经过电化学活化后以铝基复合材料为阴极、纯铝为阳极，在电沉积液中进行直流电沉积使复合材料表面形成铝膜。本发明提高了该复合材料表面的抗腐蚀性能，同时也保证了复合材料电沉积铝膜的耐蚀性不会低于基体合金电沉积铝膜的耐蚀性。
复合材料表面离子液体沉积制备方法

[发明专利]用于在包含密间隔线的结构上形成具增加可靠度的层间介电材料的技术-CN200880022651.3有效
发明人： F·福伊斯特尔;K·弗罗贝格;C·彼得斯 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。
用于包含间隔结构形成增加可靠层间介电材料技术

[发明专利]介电间隙填充-CN201811608154.3有效
发明人：彭羽筠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：通常，提供关于用介电材料填充间隙的实例，例如填充用于浅沟槽隔离(STI)的鳍之间的沟槽。在一个实施例中，使用原子层沉积(ALD)工艺将第一介电材料共形地沉积在沟槽中。在共形地沉积第一介电材料之后，第一介电材料被转换为第二介电材料。在进一步的实例中，第一介电材料可以共形地沉积在另一个沟槽中，并且填充介电材料可以流入其他沟槽中并被转换。本发明实施例涉及介电间隙填充。
间隙填充

[发明专利]优选地但非排他地用于眼镜的部件等的用于在由金属制成的材料上形成装饰和/或标识的方法-CN202180084877.1在审
发明人：菲利波·邦法努佐;戴维德·格切勒;亚力山德罗·多诺利 -专利权人：陆逊梯卡有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：一种用于在由金属制成的材料上形成装饰和/或标识的方法，该方法优选地但非排他地用于眼镜的部件等，该方法包括以下步骤：‑从至少部分地由金属材料制成的基板(1)开始，执行第一次电沉积和第二次电沉积，在基板(1)上沉积第一层材料和第二层材料(3，4)，其中，第一次电沉积和第二次电沉积中的至少一次电沉积的材料是贵金属；‑至少部分地去除由第二次电沉积产生的表面层(4)，使得由第一次电沉积产生的下方的层(3)基本不变
优选排他用于眼镜部件金属制成材料形成装饰标识方法

[发明专利]在介电材料上选择性沉积阻挡层-CN02828198.5有效
发明人： H·钟;L·陈;V·W·顾;M·X·杨;G·姚 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-12-17 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种选择性沉积阻挡层于介电材料上的方法，该材料包围衬底上的一个或多个金属互连。阻挡层是用循环沉积工艺选择性沉积于金属膜上，循环沉积工艺包括预定次数的沉积循环，然后是清洗步骤。每次沉积循环可替换地包括吸附含难熔金属的前体和在介电材料上的还原气体，该介电材料在工艺腔室中形成于衬底上。
材料选择性沉积阻挡

[发明专利]用于直接连接到PCB的嵌入式IC芯片的制造方法-CN201980080803.3在审
发明人：哈里斯·巴斯特;迈克尔·莱利·文森;池田新地 -专利权人：艾瑞科公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H05K3/14 文献下载
摘要：在基板上沉积一层介电材料，并在介电材料中形成空腔。将电气元件(例如，集成芯片等)沉积在空腔中，并用嵌入电气元件的另外的介电材料覆盖。在另外的介电材料中形成另一个空腔，并且将催化剂(例如，电解沉积催化剂、无电沉积催化剂等)沉积在另外的介电材料和电气元件的至少一部分上。然后将导体镀在催化剂上，优选地与电气元件的I/O端口接触。
用于接连接到 pcb 嵌入式 ic 芯片制造方法

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