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- [发明专利]三维半导体存储器件-CN202010100961.5在审
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白石千
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三星电子株式会社
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2020-02-19
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2020-11-17
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H01L27/11524
- 一种三维半导体存储器件包括:衬底,所述衬底包括单元阵列区域和连接区域;以及电极结构,所述电极结构沿第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域,并且包括垂直堆叠在所述衬底上的多个电极,每个所述电极包括位于所述单元阵列区域上的电极部分和位于所述连接区域上的焊盘部分,其中,所述电极包括位于距所述衬底的第一水平高度处的第一电极和位于距所述衬底的第二水平高度处的第二电极,所述第二水平高度高于所述第一水平高度,并且所述第一电极的所述焊盘部分比所述第二电极的所述焊盘部分更靠近所述单元阵列区域
- 三维半导体存储器件
- [发明专利]光电倍增管-CN200710162499.6无效
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大村孝幸;山口晃彦
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浜松光子学株式会社
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2007-10-16
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2008-04-23
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H01J43/02
- 本发明涉及一种光电倍增管,其能够实现响应时间特性的显著改进,并具有适合批量生产的结构。在密封容器里,容纳有光电阴极,倍增电极单元和聚焦电极单元,其中,倍增电极单元至少包括一个倍增电极组,优选包括两个系列的倍增电极组,聚焦电极单元配置在光电阴极和倍增电极单元之间。聚焦电极单元被设定为电势与第二倍增电极相同,并配有分隔板,其中,第二倍增电极位于来自所述第一倍增电极的二次电子所到达的位置,所述第一倍增电极响应于光电子的入射,发射二次电子,分隔板沿着第二倍增电极的纵向将第二倍增电极分成两部分
- 光电倍增管
- [发明专利]微结构双向弯拉疲劳试验装置-CN200510132113.8无效
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丁雷;尚德广;贾冠华;孙国芹;李浩群
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北京工业大学
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2005-12-16
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2006-06-28
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G01N3/38
- 本发明公开了一种微结构双向弯拉疲劳试验装置,包括有驱动电极、检测电极和与之相连接的悬置梳齿单元;在圆心相同但直径不同的数个非闭合圆盘状环臂分布有6个梳齿单元;该梳齿单元分为用来驱动整个悬置结构的驱动组和用来测量悬置结构摆动的幅度的检测组;驱动组和检测组交替分布;每个梳齿单元包含一个悬置梳齿和两个位于悬置梳齿两边的固定梳齿;所有梳齿单元的悬置梳齿通过内侧环臂连于一体并最终与直流电极相连;所有驱动梳齿单元两侧的固定梳齿与驱动电极相连,在驱动电极上分别接入两频率相同、相位相反交流电;该微疲劳试验结构装置具有加工容易,操作简便等特点,对MEMS结构强度的研究具有很高的实用价值。
- 微结构双向疲劳试验装置
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