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[发明专利]发光器件和显示装置-CN202210084773.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京芯海视界三维科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请涉及光学技术领域，公开了一种发光器件，包括：发光层和光转换层；发光层至少包括两个发光单元，光转换层至少包括一像素单元，两个发光单元设置有共用电极；共用电极的部分电极结构设置于发光层、部分电极结构设置于光转换层中像素单元的至少一侧本申请提供的发光器件可以实现电极的复用。本申请还公开了一种显示装置。
发光器件显示装置

[发明专利]一种超声成像器件及超声设备-CN202111554345.8在审
发明人：韩艳玲;王雷;曹永刚;勾越;崔亮;王玉波;马媛媛;李扬冰;姬雅倩;李倩岩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种超声成像器件及超声设备，超声成像器件包括：PI衬底层、设置于PI衬底上的多个阵元单元以及设置在多个阵元单元上的封装保护层；其中，各个阵元单元之间通过软填充材料隔离；阵元单元由下至上依次包括：下电极、凹形腔结构、振膜和上电极，下电极、凹形腔结构、振膜和上电极的横截面形状相同，凹形腔结构、振膜的横截面大小相同，上电极的横截面小于下电极的横截面，其中，下电极设置在靠近PI衬底层一侧，上电极设置在靠近封装保护层一侧，凹形腔结构的剖面结构为凹形，内部为中空腔室。本公开实施例的超声成像器件各个阵元单元之间互不影响，探头尺寸和形态可以随意设计，且不需要耦合剂就可以清晰呈像，性能较好。
一种超声成像器件设备

[发明专利]一种像素单元结构、阵列基板结构及液晶显示装置-CN201310755329.4有效
发明人：张沼栋;沈柏平;宋琼 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素单元结构、阵列结构及液晶显示装置，用以解决现有技术中液晶显示装置显示效果差的问题，其中，所述像素单元包括第一电极、第二电极和屏蔽电极；所述第一电极为面状结构；所述第一电极之上形成有第一绝缘层；所述第二电极形成在第一绝缘层之上，并且所述第二电极包括多条条状电极，所述多条条状电极之间间隔设置；在第二电极的多条条状电极的末端处设置有屏蔽电极。采用上述技术方案，当像素单元存在电信号时，由于屏蔽电极的存在，将屏蔽第二电极的条状电极的末端所产生的Ey方向的电场，从而有效避免了畴线现象，保证了像素单元所有显示区域对应的显示分子均能按照预设方式进行旋转
一种像素单元结构阵列板结液晶显示装置

[发明专利]标测导管-CN202310331823.1有效
发明人：姚焰;丁立刚;郑黎晖;吴灵敏 -专利权人：中国医学科学院阜外医院
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61B5/287 文献下载
摘要：本发明涉及一种标测导管，包括：主体管；控制手把，设置于主体管的近端；以及篮状结构，设置于主体管的远端；篮状结构具有膨胀构型与收缩构型，并可在膨胀构型与收缩构型之间转换；其中，篮状结构包括：多个柔性分支，多个柔性分支的远端相互连接，多个柔性分支的近端连接主体管，当篮状结构自收缩构型向膨胀构型转换时，各柔性分支的中部区域向篮状结构的外侧扩张；以及多个电极阵列，每一电极阵列设置于一个柔性分支的外侧，电极阵列包括多个接触电极单元以及多个非接触电极单元，多个接触电极单元以及多个非接触电极单元沿着柔性分支的长度方向交错设置于柔性分支。
导管

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010021500.9在审
发明人：吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：电极结构，其包括交替地层叠在源极板上的多个电极层和多个层间介电层，该源极板在第一方向上限定有单元区域和连接区域；垂直沟道，其在单元区域中穿过电极结构；硬掩模图案，其在连接区域中设置在电极结构上，并且具有多个开口孔；多个接触孔，其在开口孔下方限定在电极结构中，并且暴露电极层的焊盘区域；以及狭缝，其在连接区域中将硬掩模图案划分成比电极结构小的单元。
半导体存储器装置

[发明专利]一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法-CN200710040829.4有效
发明人：吴良才;宋志棠;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触与存储介质间有TiN薄膜钝化层作阻挡层；③顶电极通过钝化层上的顶电极引出孔与存储介质相连；④底电极与采用空心或实心管状的底电极接触的底部通过金属导电层相连；⑤金属导电层沉积在衬底上。本发明针对目前RRAM的发展现状，以减少电极接触面积降低功耗，提高可靠的电阻存储器器件单元结构。
一种电阻存储器器件单元结构制作方法

[发明专利]一种电容式触控面板、触控装置及触控方法-CN201810373322.9在审
发明人：林行;周敬禹;严木彬;洪致宏 -专利权人：北京硬壳科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：其中，电容式触控面板包括：单层电极层；所述单层电极层包括至少两组沿纵轴排列的子结构，每组子结构中包括多个沿横轴排列的电极板感应单元，每个电极板感应单元在横轴上对应一个横轴坐标单位、在纵轴上对应电极板感应单元所在子结构在所述单层电极层中的纵轴坐标范围
电容式触控面板单层电极层感应单元电极板子结构触控装置触控横轴多点触控横轴坐标纵轴排列纵轴坐标两组

[实用新型]一种电容式触控面板和触控装置-CN201820596870.3有效
发明人：林行;周敬禹;严木彬;洪致宏 -专利权人：北京硬壳科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：其中，电容式触控面板包括：单层电极层；所述单层电极层包括至少两组沿纵轴排列的子结构，每组子结构中包括多个沿横轴排列的电极板感应单元，每个电极板感应单元在横轴上对应一个横轴坐标单位、在纵轴上对应电极板感应单元所在子结构在所述单层电极层中的纵轴坐标范围
电容式触控面板单层电极层感应单元电极板子结构触控装置横轴本实用新型多点触控横轴坐标纵轴排列纵轴坐标两组

[实用新型]一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器-CN201920445209.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：嘉兴宏蓝电子技术有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器，该谐振器包括硅基片和覆盖在硅基片上的压电三明治结构，压电三明治结构自上而下包括顶电极、压电薄膜层和底电极，其中顶电极、压电薄膜层、底电极依次堆叠，且顶电极、压电薄膜层、底电极层面积逐层增大，底电极的至少一个边缘设置缓冲单元，缓冲单元为倒圆或倒角结构。上述薄膜体声波谐振器通过将底电极的边缘设置缓冲单元以使底电极的顶面与底面的高度差平缓，缓解传统的直角边缘高度差较大对压电薄膜性能造成的影响，避免出现裂纹等情况，大大提高谐振器的性能与可靠性。
缓冲单元底电极薄膜体声波谐振器压电薄膜层顶电极三明治结构边缘设置高度差硅基片谐振器压电半导体制造技术本实用新型倒角结构底电极层压电薄膜直角边缘传统的倒圆顶面堆叠缓解覆盖

[发明专利]堆叠/折叠型电极组件及其制备方法-CN201310364552.6有效
发明人：金起载;金旻修 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：在此公开了一种以下述结构构造的电极组件，在所述结构中，作为基本单元的、由具有阴极/隔离器/阳极结构的全电池形成的多个电化学电池被重叠，并且在重叠的电化学电池之间设置连续的隔离器片，其中，由所述隔离器片围绕的单元电极位于重叠的电化学电池的中间，其是绕组起点，并且在所述单元电极上方和下方设置的全电池在全电池的电极的方向上相对于单元电极彼此对称。所述电极组件被以高的生产率制造，同时电极组件显示与传统的堆叠/折叠型电极组件的性能和安全性相同的性能和安全。
堆叠折叠电极组件及其制备方法

[发明专利]堆叠/折叠型电极组件及其制备方法-CN200880120848.0有效
发明人：金起载;金旻修 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：在此公开了一种以下述结构构造的电极组件，在所述结构中，作为基本单元的、由具有阴极/隔离器/阳极结构的全电池形成的多个电化学电池被重叠，并且在重叠的电化学电池之间设置连续的隔离器片，其中，由所述隔离器片围绕的单元电极位于重叠的电化学电池的中间，其是绕组起点，并且在所述单元电极上方和下方设置的全电池在全电池的电极的方向上相对于单元电极彼此对称。所述电极组件被以高的生产率制造，同时电极组件显示与传统的堆叠/折叠型电极组件的性能和安全性相同的性能和安全。
堆叠折叠电极组件及其制备方法

[实用新型]一种用于脑电帽的柔性多层电极单元-CN201921663224.5有效
发明人：焦迪恺;王铮;李晓燕 -专利权人：脑云（常州）医疗科技有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： A61B5/0476 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于脑电帽的柔性多层电极单元，包括：电极基座，采用医疗橡胶制成，前端设有通孔；电极片，电极片由铜渡氯化银制成，电极片上均布了若干通孔，与筒底通孔相对应；电极膏存储筒，用于存储电极膏；活塞，用于挤出存储筒中的电极膏至电极片表面；密封盖，用于存储筒的防尘及密封。本发明相较于传统电极单元，采用存储筒与活塞结构，可以实时调整电极片表面电极膏的量，保证电极单元与皮肤接触良好及信号的传导，对于个别电极单元因电极膏不足引起的信号中断，可以直接调整该电极单元活塞杆的位置来加大电极膏的挤出量，无需所有电极单元重新涂抹电极膏，可以高效率的解决此类问题。
一种用于脑电帽柔性多层电极单元

[发明专利]袋型二次电池-CN201480040341.X有效
发明人：闵基泓;罗胜昊;潘镇浩 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：提供了一种袋型二次电池，其具有提高其电容量的适当结构。袋型二次电池包括容纳在袋外部部件的容纳部分中的电极组件。容纳部分的内表面的角点部分被圆化。电极组件包括单元堆叠部件，单元堆叠部件具有结构(a)，在结构(a)中，一种类型的基础单元重复地布置，其中在基础单元中电极和分隔物被交替地布置并且被一体地联接，并且电极的数目与分隔物的数目相同；或结构(b)，在结构(b)中，两种或更多种类型的基础单元以预定次序布置，其中在基础单元中电极和分隔物被交替地布置并且被一体地联接，并且电极的数目与分隔物的数目相同。结构(a)的一种类型的基础单元具有通过顺序地堆叠第一电极、第一分隔物、第二电极以及第二分隔物而形成的四层结构，或具有通过重复地堆叠所述四层结构而形成的结构。当结构(b)的两种或更多种类型的基础单元被以预定次序逐一堆叠时，形成了所述四层结构，或形成了通过重复地堆叠所述四层结构而形成的结构。分隔物的角点部分被圆化以与容纳部分的内表面的角点部分对应。
二次电池

[发明专利]具有规则布置场电极结构和终端结构的半导体器件-CN201510538350.8有效
发明人： O.布兰克;F.希尔勒;M.胡茨勒;M.珀尔茨尔;R.西米尼克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有规则布置场电极结构和终端结构的半导体器件。半导体器件（500）包括规则地布置在单元区域（610）中的行中并形成规则图案的第一部分的场电极结构（160）。终端结构（180）在围绕单元区域（610）的内边缘区域（691）中形成，其中终端结构（180）的至少部分形成规则图案的第二部分。单元台面（170）使场电极结构（160）的相邻场电极结构在单元区域（610）中彼此分离并包括漂移区（121）的第一部分（121a），其中施加到栅电极（150）的电压控制穿过单元台面（170）的电流流动。
具有规则布置电极结构终端半导体器件

[发明专利]一种阻变存储器阵列结构及制作方法-CN202010263672.7有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器阵列结构，包括：n根第一电极，第一电极为周期性排布的线条结构，每根第一电极的线条两侧分布有多对第二电极，第一电极和第二电极之间填充有阻变层，形成阻变存储器单元；第二电极和阻变层在垂直于第一电极线条的方向上组成多根周期性线状结构，线状结构与第一电极线条构成平面结构的十字交叉阵列，十字交叉阵列的每个交叉节点包含两个阻变存储器单元；任意一根线状结构上均排布有2n个阻变存储器单元，且任意两个相邻的阻变存储器单元共用一个第一电极或一个第二电极
一种存储器阵列结构制作方法