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[发明专利]一种双差动电容式力矩传感器-CN201710409974.9在审
发明人：陈琳;莫超亮;潘海鸿 -专利权人：广西安博特智能科技有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G01L3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双差动电容式力矩传感器，它由传感器外圈、若干变形梁、传感器内圈、电容动电极部分、过载保护部分、基板和电容静电极部分等构成。电容动电极部分和电容静电极部分组成了4个电容器，其中第一电容器与第三电容器关于x轴对称分布，构成差动结构一；第二电容器与第四电容器关于y轴对称分布，构成差动结构二；差动结构一与差动结构二之间呈正交分布，构成双差动式结构。通过双差动式结构可以有效提高力矩传感器的灵敏度和可靠性，减小线性误差，并能抵消横向力造成的干扰。将传感器力矩反馈信息应用于机器人控制中，能实现对机器人的精确力矩控制，提高机器人运转效率。
一种差动电容力矩传感器

[发明专利]电容器组件封装结构及其制作方法-CN202010294619.3在审
发明人：林杰 -专利权人：钰邦科技股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电容器组件封装结构及其制作方法。电容器组件封装结构包括电容单元、绝缘封装体、导电连接层以及电极单元。电容单元包括多个电容器。每一电容器包括一正极部以及一负极部。绝缘封装体部分地包覆多个电容器。每一电容器的正极部的一正极侧面从绝缘封装体的一第一侧面裸露。导电连接层电性连接于电容器的负极部。电极单元包括一第一电极结构以及一第二电极结构。借此，当第一电极结构包覆绝缘封装体的一第一部分时，能电性连接于每一电容器的正极部；当第二电极结构包覆绝缘封装体的一第二部分时，能电性连接于导电连接层。
电容器组件封装结构及其制作方法

[发明专利]一种电容器-CN202310896316.2在审
发明人：姚刚;袁华锋;俞芳琴 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电容器，该电容器包括依次设置的底层导电结构、至少一个中间导电结构和顶层导电结构。其中，中间导电结构包括形成插指图案的第一导电图案和第二导电图案，顶层导电结构包括形成插指图案的第三导电图案和第四导电图案。第一导电图案和第三导电图案相互电连接并作为第一电容极部，底层导电结构、第二导电图案和第四导电图案相互电连接并作为第二电容极部，相邻且不属于同一电容极部的导电图案在层叠方向上部分重叠。本发明通过上述设置，使得电容器同一层在两个导电图案之间形成侧壁电容，增大单位电容的电容密度，减小匹配电容的失配。
一种电容器

[发明专利]双面电容结构及其形成方法-CN202010199381.6有效
发明人：胡文佳;吴晗;陆勇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的多个电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的多个电容孔，所述叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；形成第一导电填充层于所述电容孔内；形成封闭所述电容孔的辅助层；去除部分所述辅助层、若干层所述支撑层和所述牺牲层，暴露所述第一电极层；形成第二电介质层和第三电极层本发明减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险，同时还有助于增大双面电容结构的电容值。
双面电容结构及其形成方法

[实用新型]一种双差动电容式力矩传感器-CN201720635056.3有效
发明人：陈琳;莫超亮;潘海鸿 -专利权人：广西安博特智能科技有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G01L3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双差动电容式力矩传感器，它由传感器外圈、若干变形梁、传感器内圈、电容动电极部分、过载保护部分、基板和电容静电极部分等构成。电容动电极部分和电容静电极部分组成了4个电容器，其中第一电容器与第三电容器关于x轴对称分布，构成差动结构一；第二电容器与第四电容器关于y轴对称分布，构成差动结构二；差动结构一与差动结构二之间呈正交分布，构成双差动式结构。通过双差动式结构可以有效提高力矩传感器的灵敏度和可靠性，减小线性误差，并能抵消横向力造成的干扰。将传感器力矩反馈信息应用于机器人控制中，能实现对机器人的精确力矩控制，提高机器人运转效率。
一种差动电容力矩传感器

[发明专利]形成多个电容器的方法-CN201010541963.4有效
发明人：古尔特杰·S·桑胡;马克·D·杜尔詹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包含形成多个电容器的方法。在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极。所述电容器电极包括外部横向侧壁。所述多个电容器电极至少部分由保持结构(40)支撑，所述保持结构(40)与所述外部横向侧壁啮合。所述保持结构(40)至少部分通过以下方式形成：对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层(36)进行蚀刻以形成所述保持结构。将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
形成电容器方法

[发明专利]形成多个电容器的方法-CN200680008606.3有效
发明人：古尔特杰·S·桑胡;马克·D·杜尔詹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包含形成多个电容器的方法。在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极。所述电容器电极包括外部横向侧壁。所述多个电容器电极至少部分由保持结构(40)支撑，所述保持结构(40)与所述外部横向侧壁啮合。所述保持结构(40)至少部分通过以下方式形成：对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层(36)进行蚀刻以形成所述保持结构。将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
形成电容器方法

[发明专利]基于浮地系统的电压测量电路及方法-CN202211352912.6在审
发明人：谭向宇;李文云;张文斌;敖刚;徐肖伟;沈龙;卢勇;杨乐 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了基于浮地系统的电压测量电路，电路包括：一次电容单元、二次电容单元、差分放大单元和数据采集单元；一次电容单元包括第一结构电容；二次电容单元包括第二结构电容；待测导线与内极板连接，内极板分别连接差分放大单元和外极板；外极板与差分放大单元连接，外极板还与地连接；差分放大单元与数据采集单元连接，通过上述电压测量电路利用第一结构电容和第二结构电容对待测导线的电压进行分压，可得到固定的第一结构电容和第二结构电容的电容值，
基于系统电压测量电路方法

[发明专利]一种内嵌电容器的TSV结构及其制备方法-CN202011329628.8有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种内嵌电容器的TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；硅通孔，所述硅通孔贯穿所述衬底结构；电容器结构，所述电容器结构设置在所述衬底结构内部，且所述电容器结构设置在所述硅通孔结构的内壁；铜互连结构，所述铜互连结构安装在所述硅通孔内部；其中，所述电容器结构上设置有第一顶部接触层和第一底部接触层，所述铜互连结构顶端设置有第二顶部接触层，所述铜互连结构底端设置有第二底部接触层，本发明的TSV结构实现了芯片之间的垂直互连，同时能够得到更高电容密度的电容器。
一种电容器 tsv 结构及其制备方法

[实用新型]一种混合结构电容、像素电路以及成像装置-CN201822049548.1有效
发明人：陈超林 -专利权人：思特威（上海）电子科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种混合结构电容、像素电路以及成像装置。其中，混合结构电容包括MOS电容和金属‑金属电容。所述MOS电容设置于半导体衬底中，所述金属‑金属电容设置于所述半导体衬底上的介质层中，所述金属‑金属电容位于所述MOS电容的上方。且所述MOS电容的源极和漏极与所述金属‑金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属‑金属电容的第二电极板连接。由于MOS电容与金属‑金属电容在垂直于半导体衬底表面的方向上垂直设置，以及将MOS电容与金属‑金属电容进行并联，从而能够在不增加电容面积的条件下，增加电容的电容值，提高单位面积内的电容密度。
金属电容电容金属混合结构成像装置像素电路电极板衬底半导体半导体衬底表面本实用新型垂直设置介质层并联漏极源极垂直

[发明专利]压力传感器及其制备方法-CN201510770539.X在审
发明人：刘孟彬;毛剑宏 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器，包括参考电容和感应电容，所述参考电容和所述感应电容在所述半导体基板上阵列分布；在所述参考电容的位置，所述压力感应层包括顶壁、底壁、侧壁及插塞结构，所述顶壁、底壁、侧壁和半导体基板围成一空腔，所述空腔的顶壁和所述底部接触电极相对；所述插塞结构位于所述空腔内，支撑在所述半导体基板和压力感应层的顶壁之间，所述每一个所述参考电容和所述感应电容的压力感应层的顶壁上包括具有环状沟槽的保护层，与现有技术相比，新的参考电容结构既避免了参考电容和感应电容在感应窗口的结构差异，又通过在参考电容感应窗口下面做个支撑结构，避免参考电容对外界气压响应，进一步的提高了器件的性能。
压力传感器及其制备方法

[发明专利]半导体结构、集成芯片和形成沟槽电容器的方法-CN201911205694.1有效
发明人：张耀文;金海光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请的各个实施例涉及具有导电帽结构的沟槽电容器。在一些实施例中，沟槽电容器包括下部电容器电极、位于下部电容器电极上面的电容器介电层以及位于电容器介电层上面的上部电容器电极。电容器介电层和上部电容器电极凹入衬底中并且限定凹陷到衬底中的间隙。导电帽结构位于上部电容器电极上并且密封上部电容器电极上的间隙。在一些实施例中，导电帽结构包括通过物理气相沉积(PVD)形成的金属层，并且还包括通过化学气相沉积(CVD)形成在金属层上面的金属氮化物层。在其他实施例中，导电帽结构是或包括其他合适的材料和/或通过其他沉积工艺形成。本发明的实施例还涉及半导体结构、集成芯片和形成沟槽电容器的方法。
半导体结构集成芯片形成沟槽电容器方法

[实用新型]一种散热效果好的软包型超级电容器-CN202221654987.5有效
发明人：袁凯 -专利权人：江苏纳能新能源有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01G11/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热效果好的软包型超级电容器，包括外壳、电容芯和接触片，外壳的内部设置有防护结构，外壳的内部固定有电容芯，电容芯的外部固定有散热结构，电容芯的顶端固定有接触片，电容芯的一端固定有加强结构，加强框固定于电容芯的一端，加强框的内部固定有第一加强线，且第一加强线的两侧均固定有第二加强线。本实用新型通过设置有加强结构可对电容芯的强度进行加强，在进行使用时电容芯的强度可能会不够高，在使用时可能会不够稳定，此时加强框可对电容芯的一端进行加强，加强框内部的第一加强线与第二加强线可构成网状结构，能够使电容芯的强度更高，实现了对电容芯的强度进行加强。
一种散热效果软包型超级电容器

[实用新型]一种多合一电解电容结构及变频器-CN202320613987.9有效
发明人：阮舜辉;李洪斌;侯绍峰 -专利权人：深圳市英威腾电气股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01G9/008 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多合一电解电容结构及变频器，该多合一电解电容结构包括外壳、端子、电解电容芯及连接件；外壳包括盖板；端子位于盖板上；电解电容芯固定在外壳里；连接件包括导电件和串联导电件，导电件连接电解电容芯和端子，串联导电件用于两个相邻的电解电容芯与端子连接。本实用新型通过采用连接件连接电解电容芯和端子，实现多个电解电容芯的串联，该结构简单，端子数量少，从而降低了电解电容的物料成本，进而降低变频器的生产成本；同时，电解电容芯装配在外壳中，使该多合一电解电容结构的结构布局紧凑，节省了电解电容的串联空间，提升了空间利用率，从而降低了变频器的整机体积，提升了变频器的整机功率密度。
一种合一电解电容结构变频器

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310196754.8有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底，所述基底包括电容结构，所述电容结构包括电容电极层；于所述电容电极层上形成接触电极；于所述接触电极上形成接触孔；于所述接触孔内形成导电结构。本申请的半导体结构的制备方法中，在电容电极层上形成接触电极，然后在接触电极上形成接触孔。接触电极的形成可以有效防止在刻蚀形成接触孔的过程中将电容电极层刻穿，从而可以有效防止对电容电极层造成损伤，从而减小了电容电极层之间的短路和漏电等的风险。
半导体结构及其制备方法