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[发明专利]有机电致发光器件及装置和制备方法-CN201910649760.8在审
发明人：孙龙;刘嵩 -专利权人：固安鼎材科技有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件，包括一个或多个发光区域，每个发光区域依次包括阴极、发光层、电子阻挡层和阳极，电子阻挡层包括第一电子阻挡层，其中至少一个发光区域的电子阻挡层还包括位于阳极和第一电子阻挡层之间的第二电子阻挡层，第一电子阻挡层由第一电子阻挡层材料组成，第二电子阻挡层包括第二电子阻挡层主材料和第二电子阻挡层客材料。
有机电致发光器件装置制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN202110740721.6有效
发明人：蔡明瀚;段炼;李国孟;李飞霞;刘俊;李梦真;王宏宇 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层以及阴极功能层，阳极功能层的表面包括邻接的第一区域和第二区域，第一电子阻挡层设置于第一区域，第二电子阻挡层设置于第二区域和第一阻挡层远离阳极功能层的表面，发光层设置于第二阻挡层远离阳极功能层的表面；第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层，第二电子阻挡层为蓝光电子阻挡层；红光电子阻挡层中的红光电子阻挡材料的HOMO能级和绿光电子阻挡层中的绿光电子阻挡材料的HOMO能级均浅于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMO能级。
一种有机电致发光器件显示装置

[发明专利]具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法-CN202111463623.9在审
发明人：张骏;陈云;张毅;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、调制掺杂电子阻挡层和p型AlGaN空穴注入层，调制掺杂电子阻挡层包括交替排布的若干第一阻挡层和第二阻挡层；第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，且第一阻挡层的Mg掺杂浓度大于第二阻挡层的Mg掺杂浓度；或者第一阻挡层和第二阻挡层均不含Mg掺杂，在第一阻挡层与第二阻挡层的界面处进行Mg掺杂。本发明通过对电子阻挡层进行调制掺杂，提高了Mg掺杂效率，有效防止Mg向有源区扩散，提高了深紫外LED的发光效率。
具有调制掺杂电子阻挡结构深紫 led 制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010841218.5在审
发明人：松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)具备：活性层，其发出紫外光；p型AlGaN系的电子阻挡层叠体，其位于活性层上，包含从活性层侧依次层叠第1电子阻挡层、第2电子阻挡层以及第3电子阻挡层而成的结构；以及p型接触层，其位于电子阻挡层叠体上，第2电子阻挡层的Al组分比小于第1电子阻挡层的Al组分比，第3电子阻挡层的Al组分比从第2电子阻挡层侧朝向p型接触层侧减小。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件-CN201811527526.X在审
发明人：李建华;李全杰;刘向英 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件，包括：衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；N型半导体层，位于所述缓冲层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上，所述电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层；P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。本发明通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，从而能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至P型半导体层，改善发光二极管的发光效率。
一种具有电子阻挡能力半导体发光元件

[实用新型]铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯-CN201920142168.4有效
发明人：李光 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯，铝镓氮基紫外LED外延结构包括依次叠层设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层、电子阻挡层、第二铝镓氮层以及氮化镓层；电子阻挡层包括厚度相等的第一铝镓氮阻挡层、第二铝镓氮阻挡层以及第三铝镓氮阻挡层，第二铝镓氮阻挡层位于第一铝镓氮阻挡层和第三铝镓氮阻挡层之间，第一铝镓氮阻挡层远离第二铝镓氮阻挡层的一面与发光层连接，第三铝镓氮阻挡层远离第二铝镓氮阻挡层的一面与第二铝镓氮层连接利用三层厚度相等的阻挡层，减弱了电子阻挡层内的压电极化效应，使得电子阻挡层的内建静电场强度减弱，避免了电子泄露。
铝镓氮阻挡层电子阻挡层铝镓氮层外延结构紫外LED 紫外LED灯厚度相等发光层本实用新型氮化镓层强度减弱压电极化缓冲层静电场衬底叠层内建三层泄露

[发明专利]一种有机电致发光器件-CN202110021354.4在审
发明人：李萌;高文正;黄金华;刘嵩 -专利权人：固安鼎材科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阳极层和阴极层，以及位于所述阳极层和所述阴极层之间的发光层和有机功能层；所述有机功能层包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包括第一电子阻挡层材料和第二电子阻挡层材料，所述第一电子阻挡层材料与第二电子阻挡层材料不同；所述第一电子阻挡层材料具有式(1)所示的结构，所述第二电子阻挡层材料具有式(2)所示的结构。本发明采用式(1)所示化合物与式(2)所示化合物共同作为电子阻挡层材料配合使用，能够发挥出优于其本身的作用，两种材料协同作用，能够进一步提高器件的发光效率，降低驱动电压，同时延长使用寿命。
一种有机电致发光器件

[发明专利]一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法-CN202011191645.X在审
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、阶梯型电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层。沿量子阱有源层到p型AlGaN空穴注入层的方向上，阶梯型电子阻挡层依次包括第一AlGaN阻挡层、GaN阻挡层和第二AlGaN阻挡层，第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于量子阱有源层中势垒的Al组分含量百分数，且第二AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于或等于第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数。本发明通过引入阶梯型电子阻挡层结构，提升了电子阻挡层的等效势垒高度，缓解了电子溢流效应，从而提高了深紫外LED的发光效率。
一种具有阶梯电子阻挡结构深紫 led 制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法-CN201710336067.6在审
发明人：邢振远;李彤;王世俊;吴燕;薛亚芝 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、有源层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和P型层，第一电子阻挡层为AlxGa(1‑x)InP层，第二电子阻挡层为AlyIn(1‑y)P层，第一电子阻挡层中的Al的组分从靠近有源层一侧向远离有源层一侧逐渐增加，由于第一电子阻挡层中的Al的组分从靠近有源层一侧向远离有源层一侧逐渐增加，因此第一电子阻挡层的禁带宽度逐渐提高，使得第一电子阻挡层的禁带宽度与有源层的禁带宽度的差值增大，增强对电子的限制作用，第二电子阻挡层也可以对电子进行阻挡，减少电子进入到P型层中的数量，从而提高了发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层-CN201880063257.8在审
发明人： L.布萨尔;T.钟;P.德布 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。
用于发光器件高效电子空穴阻挡应力 algainp

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202210792526.2在审
发明人：松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比第1电子阻挡层靠p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于第1电子阻挡层的Al组成比。在将活性层中的阱层的总数设为N，第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，第1电子阻挡层的膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，且第2电子阻挡层的Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种远紫外LED器件及其制备方法-CN202210870699.1在审
发明人：张骏;张毅;陈景文;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种远紫外LED器件及其制备方法，该远紫外LED器件包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、多量子阱有源层、第一调制掺杂电子阻挡层、第二调制掺杂电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；第一调制掺杂电子阻挡层与第二调制掺杂电子阻挡层均为Mg掺杂的AlGaN单层结构，且第一调制掺杂电子阻挡层的掺杂浓度小于第二调制掺杂电子阻挡层的掺杂浓度。本发明通过引入第一调制掺杂电子阻挡层与第二调制掺杂电子阻挡层，提升了对电子的阻挡能力，能够显著改善远紫外LED的光谱杂峰，提升器件在220nm～240nm波段的发光效果。
一种紫外 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片-CN201810630341.5有效
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和电子阻挡层；对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，降低电子阻挡层的电阻率；采用化学气相沉积技术在电子阻挡层上生长P型半导体层本发明通过对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，有利于电子阻挡层的各组分均匀掺杂在电子阻挡层中，提高电子阻挡层中元素掺杂的均匀性和有效性，保证外延片生长质量的一致性和均匀性，减少和释放蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的缺陷和应力，从而降低电子阻挡层的电阻率，提高电子阻挡层的载流子迁移率，最终改善LED的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法及其

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201680055494.0有效
发明人：朝田耕司;冈部德太郎 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体发光元件具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层；在活性层与p侧层之间具有电子阻挡结构层，电子阻挡结构层具有：第1电子阻挡层，其带隙大于势垒层；第2电子阻挡层，其设置于p侧层与第1电子阻挡层之间，具有大于势垒层且小于第1电子阻挡层的带隙；以及中间层，其设置于第1电子阻挡层与第2电子阻挡层之间，且带隙小于第2电子阻挡层。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]利用电子/空穴阻挡激子阻挡层增强有机光伏电池开路电压-CN201510062121.3有效
发明人：史蒂芬·R·福里斯特;李宁 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及利用电子/空穴阻挡激子阻挡层增强有机光伏电池开路电压。一种光敏光电子器件包括电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个。本发明还公开了通过利用电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个而增大在光敏光电子器件中的功率转换效率的方法。通过降低光伏电池的暗电流成分，本发明公开的电子阻挡层和空穴阻挡层可以降低电子泄漏电流。
电子阻挡层空穴阻挡层光敏光电子器件功率转换效率有机光伏电池激子阻挡层光伏电池开路电压空穴阻挡暗电流电子泄漏效果显示改进

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