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[发明专利]倒置型有机电致发光器件及其制备方法-CN201510712665.X在审
发明人：罗东向;刘佰全;黄林轶;徐华伟;胡坚耀;范林勇;黄庆礼;贺致远;陈玉明 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所;华南理工大学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒置型有机电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阴极层、电子注入层、有机功能层以及阳极层，所述有机功能层包括依次层叠的电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层，所述电子注入层的光学折射率介于阴极层与电子传输层之间本发明的倒置型有机电致发光器件具有电子注入能力好，光学效果佳的特点，器件在得到相同亮度时只需要较小的电流，器件的工作电压大大降低，因此器件的使用寿命将会大大延长，节约成本，利于器件的商业化。
倒置有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机场致发光器件-CN99110952.X无效
发明人：荒井三千男;小堀勇;三桥悦央 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 1999-06-25 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：为了实现具有优异的空穴注入效率、改善了的发光效率、低操作电压和低成本的有机EL器件，本发明提供的有机EL器件包括空穴注入电极、电子注入电极、在电极之间的至少一个有机层，有机层的至少一个具有发光功能。发光器件在空穴注入电极和有机层之间还有高电阻无机空穴注入层。高电阻无机空穴注入层能够阻塞电子，具有传递空穴的传导途径。
机场发光器件

[发明专利]一种基于故障注入的辅助排查系统及方法-CN201810566786.1在审
发明人：信朝阳;赵红慧;乔道鹏;苏冬泽;张春玲 -专利权人：北京电子工程总体研究所
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明公开一种基于故障注入的辅助排查系统，所述系统包括：故障注入系统、主控制系统以及故障排查系统；所述故障注入系统用于接收所述主控制系统传输的故障参数，对待测电子产品进行故障模拟，并输出故障信号；所述主控制系统用于设置故障参数向所述故障注入系统发送，接收所述故障注入系统输出的故障信号并发送至所述故障排查系统；所述故障排查系统用于接收所述故障信号，获取待测电子产品的输出信号，根据所述故障信号和所述输出信号得到待测电子产品的故障类型，本发明还公开了一种基于故障注入的辅助排查方法，本发明能够复现实际电子产品的故障现象，解决实际电子产品反复加电测试的问题。
故障注入系统故障排查系统主控制系统故障信号电子产品待测电子产品故障参数排查系统输出信号发送故障类型故障模拟故障现象输出故障复现加电排查测试传输输出

[发明专利]基于卧式QLED发光元器件的显示面板-CN201510178988.5有效
发明人：曹进;张雪;周洁;谢婧薇;陈赟汉;陈安平;魏翔;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明的基于卧式QLED发光元器件的显示面板，包括基板，在基板上横向依次交替设置的电极和显示层；显示层为依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层，发光层为量子点材料；与电子注入层连接的电极为阴极，与空穴注入层连接的电极为阳极。由于本方案采用了特殊的结构设计，在基板上设置“卧式”的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层结构，而且两显示层之间巧妙的共用一个电极，极大的降低了制造难度和节省了材料，提高了经济效益。
基于卧式 qled 发光元器件显示面板

[发明专利]一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法-CN202010436151.7在审
发明人：张小文;徐凯;王立惠;卢宗柳;刘黎明;王红航 -专利权人：桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;电子科技大学中山学院
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌‑碳酸铯层，制备方法为碳酸铯‑乙醇溶液、氧化锌‑甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备，本发明选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层OLED器件表现出优异的短波长发射，具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85％的EQE，提高了工作耐久性，XPS分析表明，氧化锌‑碳酸铯层表现出优异的电子性能并有助于电子注入
一种基于电子注入倒置结构 oled 器件及其制备方法

[发明专利]一种OLED器件及制备方法-CN201711177820.8有效
发明人：李先杰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种OLED器件及制备方法，所述器件包括：电子注入层，所述电子注入层为表面活性剂包埋的多酸复合物。通过上述方式，本申请能够使器件内部电子注入更为有效，器件发光效率更高，且制作工艺较简单、稳定性高、成膜质量好。
一种 oled 器件制备方法

[发明专利]有机发光装置、有机发光显示器及其制造方法-CN201410360450.1有效
发明人：李鲜慧;金在福;宋原准;金命焕;金志映;申惠林;沈泰揆;李允揆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机发光装置，包含：第一电极、在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的有机发光层、在所述有机发光层上的第一电子传输层、在所述有机发光层上的第二电子传输层、在所述第二电子传输层上的电子注入层及在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第一电子传输层包含用于改善热稳定性的第一材料、用于改善发光效率的第二材料及用于降低驱动电压的第三材料，并且所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压，并且所述第二电极面向所述第一电极。
有机发光装置显示器及其制造方法

[发明专利]一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法-CN201610591886.0有效
发明人：刘铎;贾冉;赵东方;高乃坤;颜为山;张玲 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法。该方法的具体步骤包括：选取合适的极性半导体并判断其极性场的方向，在有利于电子注入的极性面上制备可以产生热电子的结构，选取合适方法激发热电子的产生，在半导体极性场的作用下促进热电子的注入。本发明所采用的方法谱适性高，可以适用于各种热电子的应用领域。本发明还大大扩展了热电子产生材料的选择性，不仅仅局限于必须与半导体形成肖特基接触的金属。另外，由于半导体极性场一般都远大于肖特基结的电场，也大大提高了热电子的注入效率。
一种利用半导体极性提高电子注入效率方法

[发明专利]基于电子储存环的高平均功率极紫外光源装置-CN201911034934.6有效
发明人：唐传祥;赵午;邓秀杰;黄文会 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种极紫外光源装置，包括：电子源(2)，该电子源提供电子束流；注入段(3)，该注入段加速所述电子束流以形成具有一定能量一定长度的电子束流；储存环(4)，所述储存环被设计为能约束电子束流做环形运动；其中，所述注入段(3)将所述电子束流在加速后注入到所述储存环(4)内，其中，所述储存环(4)还包括：一个或多个辐射段，每个所述辐射段包括激光调制段(5)、束团压缩段(61)、辐射波荡器、束团拉伸段(62)、激光反调制段(7)；一个或多个增能段(8)，所述增能段被设计用于为所述储存环(4)中的电子束流补充能量。
基于电子储存平均功率紫外光源装置

[发明专利]一种LED外延结构-CN201410216860.9在审
发明人：何苗;李欣 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构，包括有从下至上依次层叠的衬底、缓冲层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层和p型氮化镓层。本发明通过将电子阻挡层设在n型氮化镓层和多量子阱层之间，有效阻挡电子注入，减少电子泄漏，增加空穴注入，进而提高发光效率；通过在n型GaN层和有源区之间插入n型AlGaN/GaN超晶格结构来代替传统结构中的AlGaNEBL，可以有效阻挡电子注入，减少电子泄漏，增加空穴注入，进一步提高发光效率。
一种 led 外延结构

[发明专利]低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法-CN03123140.3无效
发明人：金湘亮;陈杰 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，包括：一N^－型的半导体硅基衬底；一导电沟道为P型导电沟道，该P型导电沟道制作在N^－型的半导体硅基衬底上；一注入多数电子的N⁺区，该注入多数电子的N⁺区制作在P型导电沟道的一侧；一注入多数电子的N⁺区构成光电二极管，该注入多数电子的N⁺区构成光电二极管制作在导电沟道为P型导电沟道的中间；一注入多数空穴的P⁺区，该为注入多数空穴的P⁺区制作在导电沟道为P型导电沟道的另一侧。
噪声双极结型光敏场效应晶体管制作方法

[发明专利]有机电致发光元件-CN200510007786.0无效
发明人：松末哲征 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：在基板上形成由铟－锡氧化物(ITO)等透明导电膜构成的空穴注入电极，在该空穴注入电极上，顺序形成空穴注入层、空穴输送层(4)、发光层(5)、电子输送层(6)和电子注入层。在该电子注入层上形成由铝构成的电子注入电极。
有机电致发光元件

[发明专利]电光学装置及其制造方法，及电子仪器-CN200410005082.5有效
发明人：武井周一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-02-16 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种对基板一样形成电子注入层和阴极的，提高了RGB各有机EL层发光特性的电光学装置及其制造方法，以及提供的电子仪器。其特征在于在对向的电极23、50之间，形成呈现不同发光色的多种发光层60、和电子注入层52的电光学装置中，利用多种金属化合物形成电子注入层52。
光学装置及其制造方法电子仪器

[发明专利]有机发光器件及显示装置-CN201910323931.8在审
发明人：王士攀 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光器件及显示装置，有机发光器件包括电子传输层、电子注入层以及量子点层，所述量子点层设于所述电子传输层和电子注入层之间。本发明的有机发光器件及显示装置，通过在电子注入层和电子传输层之间增加一量子点层，以使量子点层中的量子点发出更窄的光谱，而量子点极窄的发光光谱不会有微腔效应导致的肩峰增强现象，提高了发光色纯度。
有机发光器件量子点层电子传输层电子注入层显示装置发光色纯度发光光谱微腔效应量子点光谱肩峰量子

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310370321.6在审
发明人：周明杰;黄辉;钟铁涛;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及复合阴极；所述复合阴极的材料为低功函数金属、铁盐以及钝化材料的混合物。这种有机电致发光器件，通过在电子注入层上制备材料为低功函数金属、铁盐以及金属钝化材料的混合物的复合阴极提高出光效率，低功函数金属功函数较低，有利于电子注入，提高电子的注入效率，同时，可对光进行散射，使出射的光反射回到底部出射
有机电致发光器件及其制备方法

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