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[发明专利]具有电子能量调节层的发光二极管外延结构-CN201610257519.7在审
发明人：张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P‑型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n‑型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n‑型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
具有电子能量调节发光二极管外延结构

[发明专利]一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法-CN202110852217.5在审
发明人：刘昌;郑海华;吴昊;王倜 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，其包括：并列设置的p型层与n型层；以及钙钛矿层，其敷设于所述p型层表面，且所述钙钛矿层位于所述p型层与所述n型层之间，同时，所述钙钛矿层与所述n型层之间还夹设有电子空穴阻挡层，所述电子空穴阻挡层阻止电子和空穴在所述p型层中复合，且阻止电子和空穴在所述n型层中复合。本发明涉及的一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，钙钛矿层不会直接与空气接触，使得钙钛矿层能够得到有效的保护，同时，使得n型层中的电子和p型层中的空穴完全进入到钙钛矿层中进行复合发光，钙钛矿层可以发出纯绿光
一种基于钙钛矿微米高效 led 及其制备方法

[发明专利]碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法-CN202010940924.5在审
发明人：林苡任;史波;陈道坤;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度
碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法-CN201610301831.1有效
发明人：王世俊;邢振远;李彤;董耀尽 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：外延片包括N型衬底、N型缓冲层、N型反射层、N型限制层、电子阻挡层、多量子阱层、空穴调整层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，电子阻挡层包括AlGaInP层和AlInP层，空穴调整层包括第一子层和至少两层第二子层，第一子层为非掺杂的AlInP层，第二子层包括P型掺杂的AlInP层和非掺杂的AlInP层，P型掺杂的AlInP层的掺杂浓度小于P型限制层的掺杂浓度。本发明通过电子阻挡层延缓电子达到多量子阱层，空穴调整层使得空穴均匀分布在临近多量子阱层的区域，增加电子和空穴的复合几率，提高发光二极管的发光效率。
一种红黄光发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构-CN201910344623.3有效
发明人：王俊;郭进;冯俊波;肖志雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述多量子阱发光层包括多个量子阱层，最上方的所述量子阱层的终端势垒层为N‑I‑P结型异质外延结构，所述N‑I‑P结型异质外延结构依次包括N型GaN层、I型AlxGa1‑xN层与P型GaN层，其中，0≤x≤0.8。本发明可以有效阻挡电子泄漏，提高空穴的注入效率，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率。
具有外延 nip 多量发光终端 led 结构

[实用新型]碳化硅肖特基半导体器件-CN202021961880.6有效
发明人：林苡任;史波;陈道坤;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度
碳化硅肖特基半导体器件

[实用新型]电子卡连接器的三合一连接插座-CN200520008940.1无效
发明人：李玉灿;张明雄 -专利权人：顺连电子股份有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01R12/16 文献下载
摘要：一种电子卡连接器的三合一连接插座，是在塑胶本体上设有第一、二、三型端子槽区，该第一型端子槽区中，穿设有两列的多个端子槽，各端子槽分别嵌置第一型端子，以对应地连接第一型电子卡连接器的端子，而第二型端子槽区中，是穿设有一列多个端子槽，各端子槽中分别嵌置一第二型端子，以对应地连接一第二型电子卡连接器的端子，而第三型端子槽区中，穿设有一列多个的端子槽，各端子槽中分别嵌置第三型端子，以对应地连接第三型电子卡连接器的端子本实用新型可适用于连接三种不同电子卡连接器，而提高电路板的通用性。
电子卡连接器合一连接插座

[发明专利]智能型家电控制系统及方法-CN200810161511.6无效
发明人：徐凡轩 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种智能型家电控制系统及方法。该系统包括一智能型家电与一电子装置。电子装置透过一网络与智能型家电进行耦接；电子装置透过网络传送一即时信息至智能型家电；智能型家电接收即时信息，且依据即时信息进行控制。本发明的智能型家电控制系统及方法以透过网络利用即时信息控制智能型家电，以提供更便利与简单的方式来控制智能型家电。
智能型家电控制系统方法

[实用新型]一种电子线剪切装置-CN201921493849.1有效
发明人：谢金彬 -专利权人：谢金彬
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子线剪切装置，包括固定底座本体、固定放卷架、U型凹槽、卷线轴、电子线、匚型导线架、固定轴以及导线滚轮一，所述固定放卷架固定安装在固定底座本体上表面一侧，所述U型凹槽开在固定放卷架上，所述卷线轴放置在U型凹槽内，所述电子线缠绕在卷线轴上，所述固定底座本体上设有电子线测量切割机构。本实用新型的有益效果是，将缠绕有电子线的卷线轴放置到U型凹槽内，将电子线的一端引出，电子线通过导线滚轮一和导线滚轮二之间，放置在横向放置槽内，拉动电子线通过刻度线测量长度，在到达一定长度后，电动伸缩杆驱动切割刀片对电子线进行剪切，使用方便，提高了电子线测量精度，提高了剪切效率，降低了生产成本。
一种电子线剪切装置

[发明专利]半导体器件-CN202211022268.6在审
发明人：杜卫星;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、第一氮化镓型高电子迁移率晶体管、第二氮化镓型高电子迁移率晶体管、第一内连接器、第二内连接器。衬底包括第一型掺杂半导体区域以及第二型掺杂半导体区域。第一氮化镓型高电子迁移率晶体管覆盖第一型掺杂半导体区域和第二型掺杂半导体区域上的第一区域。第二氮化镓型高电子迁移率晶体管覆盖第一型掺杂半导体区域和第二型掺杂半导体区域上的第二区域。第一内连接器连接第一区域，且第一内连接器的宽度大于第一氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极‑漏极间距。第二内连接器连接第二区域，且第二内连接器的宽度大于第二氮化镓型高电子迁移率晶体管的源极‑漏极间距。
半导体器件

[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法-CN202211289929.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供的紫外LED外延结构，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；缓冲层包括依次层叠设置的AlN缓冲层和非掺杂的AlGaN层；P型电子阻挡层包括依次交替层叠设置的第一P型AlGaN层和第二P型AlGaN层；第一P型AlGaN层中Al的掺杂浓度大于第二P型AlGaN层中Al的掺杂浓度。本发明采用不同铝掺杂浓度的P型AlGaN层进行交替周期性设置，可以有效的提高电子阻挡层的势垒高度，减少电子泄漏，进而提高紫外LED的光电性能。
一种紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法-CN202011479928.4在审
发明人：寇建权 -专利权人：天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强
一种具有电子注入深紫发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]服装型电子设备及服装型电子设备的制造方法-CN202210462743.5在审
发明人：权义哲;石丸园子;入江达彦;木南万纪 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： A41D1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种减少穿着时不适感的服装型电子设备，其是具有使用伸缩性导体组合物的电气配线的服装型电子装置。在服装型电子设备的与身体表面接触的部分中，通过在导体露出的电极部与设有绝缘覆盖涂层的配线部的交界处实质上不存在高低差，从而减轻穿着时的不适感，得到具有自然穿着感的服装型电子设备。这样的服装型电子设备可以通过印刷转印法制作。
服装电子设备制造方法

[实用新型]一种高速公路用可调节式电子监控系统-CN201921581288.0有效
发明人：张宝彬;张宝骏;刘钰峰 -专利权人：陕西金宝迪交通工程建设有限公司
申请日： 2019-09-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G08G1/017 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高速公路用可调节式电子监控系统，包括电子眼本体，还包括旋转底座和与所述旋转底座转动连接的U型铰接件，所述电子眼本体铰接在所述U型铰接件的开口内，所述U型铰接件与所述电子眼本体之间设置有转动装置，所述转动装置可使电子眼本体在竖直面内相对U型铰接件转动，所述U型铰接件远离其开口一侧固定设置有驱动电机，所述驱动电机的驱动轴与所述旋转底座固定连接，本实用新型具有可调节拍摄角度进而增大拍摄范围的效果。
一种高速公路调节电子监控系统

[实用新型]一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构-CN202023014063.2有效
发明人：寇建权 -专利权人：天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强
一种具有电子注入深紫发光二极管外延结构