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[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202210813288.9在审
发明人：袁蓓蕾;曹丙强 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：所述的太阳能电池为钙钛矿外延薄膜太阳能电池，包括硅衬底，硅衬底的一侧从下至上依次为钙钛矿外延薄膜、空穴传输层和正极；硅衬底的另一侧上方为负极；所述钙钛矿外延薄膜为ABX3薄膜具有更长的载流子扩散距离、高的载流子迁移率、低的陷阱密度以及大幅抑制离子迁移性质等优点。同时，本发明中的钙钛矿外延薄膜太阳能电池能够在不使用电子传输层的前提下提高器件性能，为太阳能电池的设计和发展提供有价值的理论依据。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法、光伏组件、发电设备-CN202210913719.9在审
发明人：刘德涛;王硕;辛凯;刘云峰 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜太阳能电池及其制备方法、光伏组件、发电设备，涉及电池技术领域，薄膜太阳能电池包括：透明衬底、依次设于透明衬底一侧的第一导电层、第一光转换层、第二导电层、依次设于透明衬底另一侧的陷光结构和第二光转换层这样，使得薄膜太阳能电池不仅可以吸收第一波长范围的光，还可以吸收第二波长范围的光，拓宽薄膜太阳能电池的光吸收范围，并且提高了入射至第一光转换层中的光的量，提高薄膜太阳能电池的光转换效率。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法组件发电设备

[发明专利]一种垂直取向结晶生长钙钛矿薄膜的制备方法-CN202211024472.1在审
发明人：程群峰;方文中 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直取向结晶生长钙钛矿薄膜的制备方法。由于结晶性差和大量的晶界引起钙钛矿薄膜结构不稳定和高的载流子非辐射复合，导致具有高稳定和低载流子复合的垂直取向钙钛矿薄膜的制备一直以来是一个难点。MXene(Ti3C2Tx)诱导调控钙钛矿垂直取向结晶生长的方法制备钙钛矿薄膜的混合溶液中，取适量的溶液滴在已经制备好的SnO2‑MXene膜基底上，用匀胶机旋涂，在旋涂倒数第15s处，滴加反溶剂氯苯，最后进行退火处理得到垂直取向生长的钙钛矿薄膜
一种垂直取向结晶生长钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]高分子薄膜及其制造方法-CN202110632868.3在审
发明人：何宜学;蔡孟颖 -专利权人：达迈科技股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本申请高分子薄膜，其包括有一液晶聚合物，其包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物；及一聚酰亚胺聚合物；其中，该高分子薄膜具有50℃～200℃之热膨胀系数介于0～60ppm/℃，吸水率小于0.5％，频率本申请高分子薄膜的制造方法，其包括有提供一液晶聚合物微粉，粒径为0.1um～20um；一液晶聚合物胶水，其固体含量大于3wt％；一聚酰胺酸胶水；将一液晶聚合物微粉、液晶聚合物胶水及聚酰胺酸胶水混合制作成混合溶液，将该溶液制作成凝胶膜；及将该凝胶膜经大于300℃温度烘烤而成高分子薄膜，该高分子薄膜具有50℃～200℃之热膨胀系数介于0～60ppm/℃、吸水率小于0.5％、频率10GHz下介电损耗正切Df小于0.005
高分子薄膜及其制造方法

[发明专利]一种二氧化锡薄膜的制备方法及其应用-CN202310045948.8在审
发明人：张丽萌;刘丰珍;周玉荣 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化锡薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)取二氧化锡胶体用去离子水稀释至浓度为1％‑5％，得到稀释后的二氧化锡胶体；(2)将步骤(1)得到的稀释后的二氧化锡胶体加入浓度为1‑10％二甲基亚砜和0.01％‑2％的氟碳表面活性剂，得到二氧化锡混合液；(3)将步骤(2)得到的二氧化锡混合液旋涂在衬底上并退火，所得即为二氧化锡薄膜。一种二氧化锡薄膜的应用，所述二氧化锡薄膜可用作n‑i‑p型钙钛矿太阳电池和钙钛矿/硅叠层太阳电池的电子传输层。本申请的工艺所制备的二氧化锡薄膜材料更加致密，具备电导率高、陷态密度低、光透过率高等优点，以其作为电子传输层制备的太阳电池有较高光电转换效率。
一种氧化薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种能量收集装置的制备方法-CN202310304336.6在审
发明人：杨希娅;袁靖搏;郑铎;郭江涛;赵磊磊;段加龙;唐群委 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种能量收集装置的制备方法，涉及新材料及新能源技术领域，该制备方法通过一步成膜方法，制备钙钛矿量子点聚合物薄膜与晶硅电池片紧密结合的串联结构，制备方法包括如下步骤：制备出量子点前驱体溶液；将二甲基硅氧烷预聚体溶于氯苯中形成混合溶液；加入固化剂并混合均匀，得到含有量子点的聚二甲基硅氧烷前驱体混合液；把溶液旋涂到晶硅太阳能电池以形成薄膜；在薄膜表面制备银电极，与晶硅太阳能电池的银栅电极相连接，组装晶硅太阳能电池。在晶硅太阳能电池表面固化一层掺有钙钛矿量子点的聚合物薄膜，并在薄膜上沉积银电极，实现电池器件对雨滴水动能的高效采集。同时钙钛矿量子点的引入，提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种能量收集装置制备方法

[发明专利]一种金属薄膜周期平行列间隙结构THz辐射源-CN202310563989.6在审
发明人：汪雨馨;王少萌;郭靖宇;董洋;许多;宫玉彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01J23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属薄膜周期平行列间隙结构THz辐射源，包含一片沿带状电子注传输方向刻有与电子注传输方向垂直的周期性平行列间隙的金属薄膜以及一金属屏蔽外壳，金属薄膜平行焊接在金属屏蔽外壳内的中间位置，带状电子注从金属薄膜与金属屏蔽外壳之间的间隙掠过周期性平行列间隙的表面此外，在不改变薄膜大小的情况下，调谐本发明的间隙横向宽度可以改变工作的频率。
一种金属薄膜周期平行间隙结构 thz 辐射源

[发明专利]一种足底压力传感器及其制备方法-CN202310382462.3在审
发明人：许述财;王可军;宋家锋;马贤骅;马帅;刘德春 -专利权人：清华大学苏州汽车研究院（相城）
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61B5/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种足底压力传感器及其制备方法，足底压力传感器包括：压阻薄膜层、多个第一导线、多个第二导线、两层绝缘胶粘剂层和两层绝缘层；压阻薄膜层包括第一表面、第二表面，第一表面和第二表面相对设置；多个第一导线设置在压阻薄膜层的第一表面，第一导线沿第一方向延伸，并且多个第一导线以第一预设间距沿第二方向排列，第一方向和第二方向交叉设置；多个第二导线设置在压阻薄膜层的第二表面，第二导线沿第二方向延伸，并且多个第二导线以第二预设间距沿第一方向排列，在第一导线和第二导线的交叉点处，第一导线、压阻薄膜层和第二导线形成一个压力敏感单元。
一种足底压力传感器及其制备方法

[发明专利]复合介电弹性体薄膜的制备方法及介电弹性体薄膜致动器-CN202310623533.4在审
发明人：巫金波;张颖;张金仓;韩宇兵;温维佳;薛厂;张萌颖;黄东阳 -专利权人：上海大学;之江实验室
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种复合介电弹性体薄膜的制备方法及介电弹性体薄膜致动器。将硅橡胶与悬浮液混和均匀得到复合介电弹性体预聚物，其中硅橡胶与所述悬浮液的质量比为15:1至1:1，BTRU@CDs巨电流变颗粒占复合介电弹性体预聚物的质量比为5‑40％；步骤3：对复合介电弹性体预聚物进行制膜得到复合介电弹性体薄膜根据本发明的复合介电弹性体薄膜的制备方法制备的复合介电弹性体薄膜，相对于传统的橡胶弹性体具有更优的致动性能，更优的机械性能及循环稳定性。
复合弹性体薄膜制备方法致动器

[发明专利]基于二维钙钛矿铁电薄膜的自驱动光电探测器及其制备方法-CN202310229383.9在审
发明人：杨政;郭林娟;王淑芳;齐雅倩;闫国英;高琳洁 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维钙钛矿铁电薄膜的自驱动光电探测器及其制备方法。器件结构自上而下包括导电基底层、二维钙钛矿铁电薄膜层、PC61BM层和金属顶电极层，其中二维钙钛矿铁电薄膜为混合间隔阳离子的二维钙钛矿铁电薄膜，其分子式为(BDA)x薄膜的铁电‑热释电光电子学效应，实现了快速、高灵敏的自驱动光探测，并呈现出较好的湿、热稳定性。
基于二维钙钛矿铁电薄膜驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种高熵稀土高温超导薄膜的制备方法-CN202310160006.4在审
发明人：彭发宏;高波;高锋 -专利权人：安徽超导能源科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵稀土高温超导薄膜的制备方法，其技术方案是：按照五种稀土元素的元素摩尔比配置低氟前驱溶液，然后将前驱溶液涂敷在双轴织构的衬底上，涂敷后的凝胶膜先经过室温到400℃的低温热解过程，最后经过750‑800℃的高温晶化过程和400‑500℃的退火吸氧处理，从而获得性能优良的高熵稀土高温超导外延薄膜：(Y0.7Gd0.2)Ba2Cu3O7‑δ，本发明有益效果是：通过高熵稀土高温超导薄膜的低氟化学溶液制备成本低，工艺简单，相对于纯的钇钡铜氧薄膜，高熵稀土高温超导薄膜含有更多的有效钉扎中心，从而具有更高的超导临界电流密度，而且单次涂敷的厚度可以达到800nm，如采用多次涂敷工艺，厚度可以增加到3‑4微米，进一步提高带材的载流能力
一种稀土高温超导薄膜制备方法

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202310340018.5在审
发明人：袁辉;周丹丹 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司;云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板具有第一显示区、作为弯折区的第二显示区以及连接第一显示区和第二显示区的过渡区，且包括衬底和设置在衬底上的薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管和至少一层无机层。在第二显示区设有至少一个第一凹槽，第一凹槽位于无机层且设置于薄膜晶体管的周边，在过渡区设有至少一个第二凹槽，第二凹槽位于无机层且设置于薄膜晶体管的周边，第二凹槽在衬底上的正投影的面积小于沿第一方向与其相邻的第一凹槽在衬底上的正投影的面积
阵列显示面板

[发明专利]一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺-CN202310691445.8在审
发明人：余丹;王正乾 -专利权人：苏州航恒电子科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜技术领域，具体公开了一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺，包括以下步骤：以重量份计，称取原料，高分子材料30‑50份、甲基纤维素1‑4份、阻燃剂3‑5份、抗氧剂0.1‑0.5份、成膜剂2‑4份、将高分子材料、甲基纤维素、阻燃剂、抗氧剂、改性纳米二氧化硅、去离子水，在150‑180℃下，搅拌混合50‑60分钟，然后加入固化剂和成膜剂搅拌混合30‑50分钟，螺杆挤出机熔融、混炼、挤出、造粒拉膜得到薄膜；本发明通过在薄膜中加入了改性二氧化硅，能够显著的提高薄膜的隔热效果，在本发明中通过表面活性剂和岩棉粉对二氧化硅进行改性，进一步提高二氧化硅的保温隔热效果。
一种高分子绝缘电子薄膜加工工艺

[发明专利]基于金属离子钝化剂洗涤的电容器用聚丙烯薄膜洗灰方法-CN202310238820.3在审
发明人：肖萌;杜潇丹;杜伯学;张建航;刘浩梁;陈可;张梦蝶 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08F6/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于金属离子钝化剂洗涤的电容器用聚丙烯薄膜洗灰方法，S1、分别将无水乙醇、聚丙烯粉料和金属离子钝化剂Naugard XL‑1放入真空干燥箱中；S2、将S1中的金属离子钝化剂Naugard XL将S1中的聚丙烯粉料加入S2中的洗灰溶液中磁力搅拌；S4、对S3中的悬浊液过滤得到脱灰聚丙烯放入无水乙醇中磁力搅拌，过滤后干燥得到脱灰聚丙烯粉料；S5、将S4中的脱灰聚丙烯粉料热压后降温得到脱灰聚丙烯薄膜试样本发明采用上述方法的基于金属离子钝化剂洗涤的电容器用聚丙烯薄膜洗灰方法，利用金属离子钝化剂对聚丙烯中的灰分进行洗涤，有效降低薄膜的灰分含量，提高薄膜的击穿强度和介损性能，避免绝缘失效故障的发生。
基于金属离子钝化剂洗涤电容器用聚丙烯薄膜方法

[发明专利]具有异质结结构的金属氧化物半导体层的薄膜晶体管、包括其的显示装置及其制造方法-CN202180049893.7在审
发明人：郑在景;薛玹珠 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括基板、形成在基板上的绝缘层、形成在绝缘层上的有源层、以及相隔开形成于有源层上的源极层及漏极层，其中，有源层，包括：第一氧化物半导体层，将In、Ga及O作为构成元素；以及第二氧化物半导体层根据本发明的具有异质结结构的金属氧化物半导体层的薄膜晶体管，通过克服现有的包括IGZO基半导体层作为有源层的薄膜晶体管的电子迁移率低的问题，可以提供通过包括异质结结构的氧化物半导体层作为有源层，电子迁移率大大提高的异质薄膜晶体管此外，可以通过使用原子层沉积工艺调整氧化物半导体层的组成和厚度，来控制制造的薄膜晶体管的物理性质。
具有异质结结构金属氧化物半导体薄膜晶体管包括显示装置及其制造方法