专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种耐碱的黑色消光聚酰亚胺膜-CN202210004910.1在审
  • 何宜学;李骏华 - 达迈科技股份有限公司
  • 2022-01-05 - 2023-07-18 - C08L79/08
  • 本申请公开一种耐碱的黑色消光聚酰亚胺膜,包括:聚酰亚胺,其占该膜75~93wt%,该聚酰亚胺由二酸酐与二胺聚合后形成聚酰亚胺前驱物,该聚酰亚胺前驱物再经由化学环化而得到聚酰亚胺,其中二酸酐为均苯四甲酸二酐(PMDA)及3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酐(BPDA),二胺为对苯二胺(PDA)与4,4'‑二氨基二苯醚(ODA),其中,该BPDA占该二酸酐的重量百分比2~35wt%,该PDA占该二胺的重量百分比为10~70wt%;碳黑,其占该膜2~8wt%;聚酰亚胺微粉,其粒径介于2~10μm,其占该膜的5~10wt%;以及该膜具有60°角度照明的光泽度介于5~30,及热膨胀系数小于35ppm/℃的性能。
  • 一种黑色聚酰亚胺
  • [发明专利]高分子薄膜及其制造方法-CN202110632862.6在审
  • 何宜学;蔡孟颖 - 达迈科技股份有限公司
  • 2021-06-07 - 2022-12-23 - C08L79/08
  • 本申请高分子薄膜,其包括有一液晶聚合物,其包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物;及一聚酰亚胺聚合物,其占该高分子薄膜重量百分比5wt%以上。本申请高分子薄膜之制造方法,其包括有提供一液晶聚合物微粉,其粒径为0.1um~20um;一液晶聚合物胶水,其固体含量大于3wt%;一聚酰胺酸胶水;将一液晶聚合物微粉、液晶聚合物胶水及聚酰胺酸胶水混合制作成混合溶液,将该混合溶液制作成凝胶膜;及将该凝胶膜经300℃温度烘烤而成高分子薄膜。
  • 高分子薄膜及其制造方法
  • [发明专利]高分子薄膜及其制造方法-CN202110632868.3在审
  • 何宜学;蔡孟颖 - 达迈科技股份有限公司
  • 2021-06-07 - 2022-12-23 - C08L79/08
  • 本申请高分子薄膜,其包括有一液晶聚合物,其包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物;及一聚酰亚胺聚合物;其中,该高分子薄膜具有50℃~200℃之热膨胀系数介于0~60ppm/℃,吸水率小于0.5%,频率10GHz下介电损耗正切Df小于0.005,及310℃下储存弹性模数大于0.1GPa。本申请高分子薄膜的制造方法,其包括有提供一液晶聚合物微粉,粒径为0.1um~20um;一液晶聚合物胶水,其固体含量大于3wt%;一聚酰胺酸胶水;将一液晶聚合物微粉、液晶聚合物胶水及聚酰胺酸胶水混合制作成混合溶液,将该溶液制作成凝胶膜;及将该凝胶膜经大于300℃温度烘烤而成高分子薄膜,该高分子薄膜具有50℃~200℃之热膨胀系数介于0~60ppm/℃、吸水率小于0.5%、频率10GHz下介电损耗正切Df小于0.005,及310℃下储存弹性模数大于0.1GPa。
  • 高分子薄膜及其制造方法
  • [发明专利]黑色消光之聚酰亚胺膜-CN202110586553.X在审
  • 何宜学;蔡孟颖 - 达迈科技股份有限公司
  • 2021-05-27 - 2022-11-29 - C08J5/18
  • 本申请为一种黑色消光之聚酰亚胺膜,其包括有聚酰亚胺、碳黑及聚酰亚胺粉体,该聚酰亚胺成分系由二酸酐与二胺聚合后经由化学环化而得,其中,该二酸酐为均苯四甲酸二酐,二胺为5~15mol%的对苯二胺与95~85mol%的4,4'‑二氨基二苯醚;碳黑占该膜之2~8wt%,聚酰亚胺微粉占该膜之5~10wt%,使该黑色消光聚酰亚胺膜具有5~30之光泽度以及小于41ppm/℃之热膨胀系数。
  • 黑色聚酰亚胺
  • [发明专利]透明聚酰亚胺膜-CN201811400532.9有效
  • 何宜学;刘宜婷 - 达迈科技股份有限公司
  • 2018-11-22 - 2022-11-25 - C08L79/08
  • 本发明为一种透明聚酰亚胺膜,其是由共聚聚酰胺酸经由化学环化法制成,其中共该聚聚酰胺酸至少需具有半芳香族聚酰胺酸,该半芳香族聚酰胺酸是由1,2,3,4‑环丁四羧二酐(CBDA)与2,2'‑二(三氟甲基)二氨基联苯(TFMB)反应组成,其中,该半芳香族聚酰胺酸的二酐摩尔数占该共聚聚酰胺酸的酸酐总摩尔数的百分比20以上,使该透明聚酰亚胺膜具有光穿透度大于80%,色度b*小于5,CTE小于35ppm/℃。
  • 透明聚酰亚胺
  • [发明专利]一种低介电损失之聚酰亚胺膜-CN202110053400.9在审
  • 蔡家量;何宜学 - 达迈科技股份有限公司
  • 2021-01-15 - 2022-07-19 - C08L79/08
  • 本申请为一种低介电损失的聚酰亚胺膜,其系由共聚聚酰胺酸经由化学环化法制得而成,其中共聚聚酰胺酸至少需具有3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐(3,3’,4,4’-biphenyltetracarboxylic dianhydride;BPDA)与对苯二胺(p-phenylene diamine;p-PDA)以及下述化学式(A)之二胺的组成:化学式(A):其中,BPDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二酸酐总摩尔数之百分比60以上,以及p‑PDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比50以上,及化学式(A)的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比30以上反应组成;以及该聚酰亚胺膜具有玻璃转移温度Tg大于280℃,介电损耗正切Df(@10GHz)小于0.008及热线膨胀系数CTE小于12ppm/℃。
  • 一种低介电损失聚酰亚胺
  • [发明专利]透明聚酰亚胺膜的制备方法-CN201811106307.4在审
  • 何宜学;刘宜婷 - 达迈科技股份有限公司
  • 2018-09-21 - 2020-03-31 - C08J5/18
  • 一种透明聚酰亚胺膜的制备方法,其包括下列步骤,以制成具有拉伸弹性模量大于5GPa((牛顿/平方米)×109)的聚酰亚胺膜;提供一无醚基二酐与二胺形成一无醚基聚酰胺酸;将该无醚基聚酰胺酸与芳香环二酐反应形成共聚聚酰胺酸;将该共聚聚酰胺酸经由化学环化制作成透明聚酰亚胺膜,其聚合条件须符合以下公式(A+C)((B)10+1)>0.94;其中,A为无醚基聚酰胺酸的摩尔数占共聚聚酰胺酸总摩尔数百分比;其中,B为无醚基聚酰胺酸的无醚基二酐与二胺的摩尔数比;及其中,C为无醚基二酐占共聚聚酰胺酸中总酸酐的摩尔百分比。
  • 透明聚酰亚胺制备方法

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