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[发明专利]三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法-CN202211447218.2在审
发明人： J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备锗‑硅‑层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基‑三氯甲锗烷及其制备方法。用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。
苯基烷基硅烷三氯甲三氯甲锗烷及其制备方法

[发明专利]用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法-CN201880035956.1有效
发明人： J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。
用于制备苯基烷基硅烷三氯甲三氯甲锗烷及其方法

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN201810547407.4在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
氯甲硅烷基芳基锗烷制备新型化合物氯锗烷

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN202210457317.2在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
新型硅烷基芳基锗烷制备方法及其用途

[发明专利]电活性材料-CN201680008101.0有效
发明人： V·V·戴夫;J·D·艾伦;K·D·多布斯;高卫英;M·H·小霍华德;M·R·莫斯利;W·吴 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C07C13/66 文献下载
摘要：、或TeO2；R1‑R3在每次出现时是相同或不同的并且是D、芳基、杂芳基、烷基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代烷基、氘代氨基、氘代甲硅烷基或氘代甲锗烷基，其中选自R1、R2和base:Sup>中的两个基团可以连接在一起以形成稠环；R4‑R5在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、芳基、杂芳基、烷基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代烷基、氘代氨基、氘代甲硅烷基或氘代甲锗烷基；R4a是烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、或其氘代类似物；a是从
活性材料

[发明专利]电活性材料-CN201780026822.9在审
发明人：高卫英;N·海隆 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：在式I中：R¹在每次出现时是相同或不同的并且是D、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代甲硅烷基或氘代甲锗烷基；a是从0‑7的整数；b是从0‑8的整数；c是从0‑4的整数；并且d
烷基电活性组合物甲硅烷基甲锗烷基电活性材料主体化合物掺杂剂光活性

[发明专利]光致变色的锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯及其制备-CN202211513684.6在审
发明人：任咏华;胡文伟;冯浩程 -专利权人：香港大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：示出了一种基于锗杂环戊二烯(germole)稠合二芳基乙烯(diarylethene)的化合物，该化合物包括具有稠合到光活性双芳基环的乙烯桥的含锗五元环结构。该基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯的化合物经辐照在开环和闭环形式之间异构化，以能够用于光存储或光开关器件。形成基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯化合物的方法是通过1‑甲锗烷基‑芳基‑2‑硼酸酯、1‑甲锗烷基‑杂芳基‑2‑硼酸酯或1‑甲锗烷基‑烯基‑2‑硼酸酯与1,2‑二芳基乙炔之间的铑催化偶联反应。该基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯的化合物显示出可调的光致闭环形式的光物理特性，具有优异的热不可逆性和强大的抗疲劳性。
变色锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯及其制备

[发明专利]新型乙烯基-炔基取代的锗化合物和获得乙烯基-炔基取代的锗化合物的方法-CN201080040408.1有效
发明人：波格丹·马茨涅克;贝娅塔·杜德兹尔科 -专利权人：亚当密茨凯维奇大学
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明的主题是新型的具有通式1的乙烯基-炔基取代的锗化合物。本发明还涉及获得具有通式1的乙烯基-炔基取代的锗化合物的新型方法。A表示：二乙基甲锗烷基，-R表示：三乙基甲硅烷基、1-(三甲基甲硅烷氧基)-1-环己基。本发明还提供对获得具有通式1的乙烯基-炔基取代的锗化合物的方法的问题的解决方案，包括在作为催化剂的钌(II)配合物存在下合适的取代的末端炔和合适的二乙烯基取代的锗化合物之间的锗烷化偶联反应。
新型乙烯基取代化合物获得方法

[发明专利]在ALD/CVD工艺中用于GST薄膜的前体-CN201310353853.9有效
发明人：萧满超;I·布坎南;雷新建 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗-锑-碲合金(GST)或锗-铋-碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。
ald cvd 工艺用于 gst 薄膜

[发明专利]含烯丙基的金属配合物及烯烃聚合方法-CN97193276.X无效
发明人： P·N·尼克亚斯;D·D·德沃里;F·J·蒂默斯 -专利权人：陶氏化学公司
申请日： 1997-03-11 - 公布日： 1999-04-21 - 主分类号： C08F4/64 文献下载
摘要：Y,其通过非定域π－键与M键合,所述基团最多含50个非氢原子;M为元素周期表中第3、4族或镧系金属;Z为上式的最多50个非氢原子的共价键合的二价取代基－(ER2)m－,其中E每次出现时独立地为碳、硅或锗,R每次出现时独立地选自最多20个非氢原子的烃基、烃氧基、甲硅烷基和甲锗烷基,和m为1至3的整数;Y为最多20个非氢原子的烯丙基或烃基－、甲硅烷基－或甲锗烷基－取代的烯丙基,其与Z键合并通过η3－π键与M键合;X′为最多20个非氢原子的中性配体;X″每次出现时独立地为选自最多20个非氢原子的氢负离子、卤素、烃基、甲硅烷基、甲锗烷基、烃氧基、酰胺基、甲硅烷氧基、卤代烃基、卤代甲硅烷基、甲硅烷烃基、和氨基烃基的一价阴离子部分
丙基金属配合烯烃聚合方法

[发明专利]空穴传输材料-CN201610297023.2有效
发明人： N·S·拉杜;J·韦伯;A·费尼莫尔;A·佐姆贝尔特;P·沙罗;M·H·小霍华德;T·N·赫特尔;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：" he="89"/>在式I中：A为包含至少一个三芳胺基团的单体单元；B’为具有在共聚物中的至少三个附接点的单体单元；C’为芳族单体单元或其氘代类似物；E在每次出现时相同或不同并且可为H、D、卤化物、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交联基团、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、或氘代可交联基团；a、b和c相同或不同并且为摩尔份数，使得a+b+c＝1，
空穴传输材料

[发明专利]用于加成聚合的催化剂及其制备方法-CN90107395.4无效
发明人：詹姆斯·C·史帝文斯;富朗西丝·J·帝墨斯;大卫·R·威尔森;格里高利·F·施密特;彼得·N·尼咖斯;罗伯特·K·落森;乔治·W·耐特;赖·石越 -专利权人：陶氏化学公司
申请日： 1990-08-31 - 公布日： 1995-09-27 - 主分类号： C08F4/645 文献下载
摘要：本发明涉及用于加成聚合的催化剂，它包括a)具有所述通式的金属配位化合物，其中R′各为氢或一个具有多达20个非氢原子的烷基，芳基，甲硅烷基，甲锗烷基，氰基，或卤代基，或者一对相邻的R′基团与环戊二烯部分形成一个茚基，四氢化茚基，芴基或八氢化芴基；X各为氢化物或一个具有多达20个非氢原子的卤代基，烷基，甲硅烷基，甲锗烷基，芳基，酰胺，芳氧基，烷氧基，甲硅烷氧基；Y，M，Z或n的定义见权利要求书，b)一种活化助催化剂
用于加成聚合催化剂及其制备方法

[发明专利]四(三氯甲硅烷基)锗烷、其制备方法及其用途-CN201980074778.8在审
发明人： M·瓦格纳;J·泰希曼;H-W·莱纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备氯化的不带电荷的四(三氯甲硅烷基)锗烷的新颖方法及其用途。
三氯甲硅烷锗烷制备方法及其用途

[发明专利]使用阳离子聚合催化剂的聚合方法-CN90107666.X无效
发明人：詹姆斯·C·史蒂文斯;戴维·R·尼思默 -专利权人：陶氏化学公司
申请日： 1990-09-13 - 公布日： 1995-05-10 - 主分类号： C08F4/76 文献下载
摘要：一种加聚方法，其中的加成聚合催化剂符合下面的通式CpMXn+A-其中Cp是环戊二烯基或取代环戊二烯基，M是钛或锆；X是氢化物或选自卤代基、烷基、芳香基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳氧基、烷氧基、酰胺、甲硅烷氧基的基团或混合基团
使用阳离子聚合催化剂聚合方法

[发明专利]导电聚合物组合物中的二杂胺-CN201780030468.7有效
发明人： N·S·拉杜;A·祖贝尔特 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：在每次出现时是相同或不同的并且是S、P、Se、Te、O、P＝O、或NRo；Ro在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、烷基、氘代烷基、芳基、或氘代芳基；R、R’、和R”在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、烷基、烷氧基、醚、聚醚、氟烷基、芳基、芳氧基、杂芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烷氧基、氘代醚、氘代聚醚、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲锗烷基；其中两个R′基团可以一起表示形成稠环的单键；其条件是任何非H/D基团可以由选自下组的官能团封端
导电聚合物组合中的二杂胺

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