专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钻孔工具被膜及钻孔工具-CN201010002142.3有效
  • 星幸义;渡边裕二;佐藤彰 - 佑能工具株式会社
  • 2010-01-07 - 2011-03-23 - B23B51/00
  • 本发明提供钻孔工具被膜和钻孔工具,该钻孔工具被膜是使耐折损性提高且可价廉地成膜的实用性极其优异的钻孔工具被膜。上述钻孔工具被膜是形成在基材上的钻孔工具被膜,利用波长532nm的激光进行拉曼散射光谱分析时,拉曼位移1330cm-1~1360cm-1附近的峰强度ID和拉曼位移1530cm-1~1560cm-1附近的峰强度IG的比ID/IG的值随被膜在工具外周部的圆周方向的位置的不同而不同,将该ID/IG在圆周方向的最大值设为(ID/IG)max、最小值设为(ID/IG)min时,(ID/IG)min
  • 钻孔工具用非晶碳被膜
  • [发明专利]MEMS器件的形成方法-CN201110303975.8有效
  • 毛剑宏;唐德明 - 上海丽恒光微电子科技有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-01-25 - B81C1/00
  • 一种MEMS器件的形成方法,包括:提供基底,所述基底具有固定部件;在所述基底上形成图形化的层;在所述图形化的层上形成第一膜层,所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅;图形化所述第一膜层形成可动部件;去除所述图形化的层。层容易去除而且不会污染腔室;另外,层作为牺牲层,工艺兼容性好;并且,材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与层的粘附性很好,不会出现第一膜层与层之间滑动的现象。
  • mems器件形成方法
  • [发明专利]一种表面改性膜的消融针和膜的制备方法-CN202211262732.9有效
  • 曹旭丹;宓娅娜;杨辉 - 浙江融仕医疗科技有限公司
  • 2022-10-14 - 2023-09-08 - C23C14/16
  • 本发明公开了一种表面改性膜的消融针和膜的制备方法,包括子电极,子电极表面沉积过渡层,过渡层表面沉积膜,膜包括多层交替层叠的掺杂膜,本发明在消融针的子电极沉积过渡层和膜,膜设置为掺Cr膜一、掺Ti膜和掺Cr膜二交错层叠的结构对多极射频消融针子电极进行表面改性,保证了膜的导电性,提高了膜的附着力,降低了膜的内应力,通过掺Cr膜二控制膜硬度,使具备该硬度的膜在子电极针伸展和收拢过程中不会发生涂层开裂、脱落的现象,同时提高了消融过程中子电极的抗粘连性能。
  • 一种表面改性非晶碳膜消融制备方法
  • [发明专利]太阳光电解水制氢薄膜光阴极、光电极及制备-CN202210106580.7在审
  • 朱锋 - 嘉善县登顶科技有限公司
  • 2022-01-28 - 2022-05-13 - C25B11/02
  • 本发明提供了一种太阳光电解水制氢薄膜光阴极,采用硅薄膜叠层电池和薄膜层的叠层复合结构,直接吸收太阳光产生光生载流子使水分子在光阴极表面分解,产生氢气,避免了光伏电池产生的电能在传输过程中的损耗本发明还提供了所述的太阳光电解水制氢薄膜光电极及其制备,采用多腔室真空制备系统等离子体化学气相沉积技术制备薄膜硅太阳电池和薄膜,溅射方法制备纳米厚度的金属铷纳米颗粒,在真空中实现一次性完成整个器件的制备该制备技术结合现有的硅薄膜太阳电池生产线,可快速扩大生产,实现商业化。
  • 太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜阴极电极制备
  • [发明专利]被膜-CN201410482607.8在审
  • 诹访浩司;广濑景太;佐藤彰;渡边裕二 - 佑能工具株式会社
  • 2014-09-19 - 2015-03-25 - C23C14/06
  • 本发明的课题是提供一种含被膜,其是高硬度且具有与基材的高密合力、能够大幅提升加工用工具和机械部件的寿命且实用性极为优秀的含被膜。本发明涉及一种含被膜,其是在基材上形成的含被膜,其中,膜厚分别为0.05μm以上的被膜层[A]和被膜层[B]按照所述被膜层[A]配置在基材侧、所述被膜层[B]配置在表层侧的方式层积构成,该含被膜整体的膜厚设定为0.1μm以上且1.5μm以下,所述被膜层[A]和所述被膜层[B]具有规定的膜质。
  • 含非晶碳被膜

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