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[发明专利]硅晶圆的清洗方法-CN201880052419.8有效
发明人：五十岚健作;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
硅晶圆清洗方法

[发明专利]晶片自动安装装置-CN202111677587.6在审
发明人：黄岗;曾国鹏;严楚雄 -专利权人：深圳新益昌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶片自动安装装置，包括：晶片供给单元，用于支撑晶环，并向供晶位供给晶片；转塔机构，用于将供晶位的晶片转送至取晶位；穿刺机构，用于向下刺破供晶位上晶片处的蓝膜，以将晶片推顶至转塔机构；以及，固晶机构，用于吸取取晶位的晶片，并移动至固晶位，以安装于基板上。本申请提供的晶片自动安装装置，通过设置晶片供给单元来向供晶位提供晶片，设置穿刺机构，向下刺破蓝膜，以将供晶位的晶片从蓝膜上剥离，以便转塔机构接收，可以避免取晶失败；转塔机构将晶片从供晶位转送到取晶位，这样无需翻转晶片，并且可以缩短固晶机构移动晶片的行程与时间，从而可以提升晶片移动的平稳性，并且可以提升固晶精度与固晶效率。
晶片自动安装装置

[实用新型]一种碳化硅外延生长的高温炉内结构-CN202222295604.6有效
发明人：严立巍;刘文杰;马晴;朱亦峰;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及高温炉技术领域，具体的是一种碳化硅外延生长的高温炉内结构，本实用新型包括第一转盘，所述第一转盘的顶部圆周阵列分布有多个第二转盘，第二转盘内放置有一个碳化硅晶圆，第二转盘的顶部设置有顶板，顶板的表面中心处设置有气流通道，且气流通道正对第二转盘，第一转盘的底部设置有底板，底板的表面设置有抽真空通道；本实用新型通过在高温炉内设置有第一转盘与第二转盘，将碳化硅晶圆放置于第二转盘内，先通过第一转盘的转动，实现公转，给予晶圆一定的旋转基础，然后在此基础上，通过第二转盘带动晶圆进行自转，从而在整体上提高晶圆的转动速度，晶圆外延生长的过程中，可以实现多个晶圆同时操作，并且保证相应的旋转速度。
一种碳化硅外延生长高温结构

[发明专利]一种高效生产α型半水石膏的方法-CN201710067071.7有效
发明人：王立明;陈兴福;周军璞;王凯 -专利权人：宁夏博得石膏科技有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C04B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效生产α型半水石膏的方法，所述方法中，首先将提供的转晶剂预处理成粒度为80‑100目的转晶剂粉末，再将其与提供的二水石膏粉末以质量比为0.02‑0.8％的比例混合均匀，得到混合料；再将松装体积为75‑85％转晶器容积的混合料直接装入转晶器；向所述转晶器内通入0.25‑0.45MPa的饱和水蒸气，此时，所述饱和水蒸气逐渐渗透松装的物料层，粉末状的转晶剂逐渐溶解，所述混合料的温度逐渐升高至135‑160℃，保温保压4‑6h后，所述混合料完成转晶，形成以短柱状晶体为主的混合晶型晶体；最后将所述混合晶型晶体烘干，得到α型半水石膏。
一种高效生产型半水石膏方法

[发明专利]一种转晶掺铝碳酸钴的制备方法和应用-CN202211005331.5有效
发明人：卢星华;李长东;阮丁山;刘更好;周思源;王永平 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01G51/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种转晶掺铝碳酸钴的制备方法，包括以下步骤：(1)将钴盐、铝盐配制成混合金属溶液，并配制第一碳酸氢铵溶液、第二碳酸氢铵溶液和第三碳酸氢铵溶液；(2)将混合金属溶液与第二碳酸氢铵溶液并流加入到第一碳酸氢铵溶液中混合进行反应，并控制反应温度为40‑45℃，直至生成比表面积为0.3‑0.6cm2/g的转晶掺铝碳酸钴晶种；(3)向步骤(2)得到的含转晶掺铝碳酸钴晶种的溶液中并流加入混合金属溶液及第三碳酸氢铵溶液混合进行反应，直至转晶掺铝碳酸钴晶种的粒度生长至16.0‑19.0μm，固液分离，并对得到的固体物进行洗涤、烘干，得到转晶掺铝碳酸钴。该转晶掺铝碳酸钴的制备方法制备得到的转晶掺铝碳酸钴具有较好的掺铝效果。
一种转晶掺铝碳酸制备方法应用

[发明专利]拉晶方法和晶体生长装置-CN202211671912.2在审
发明人：陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种拉晶方法和晶体生长装置，所述拉晶方法包括：根据籽晶的预设晶转频率范围确定籽晶绳的共振长度的区间S，所述籽晶绳的共振长度为使籽晶的共振频率符合所述晶转频率范围的所述籽晶绳的长度；控制所述籽晶绳以固定的悬吊长度" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />根据本发明的拉晶方法，通过控制籽晶绳的悬吊长度可以使共振晶转不在预设晶转频率范围，进而可以避免共振而引发晶棒晃动，从而可以提高晶棒的生长质量。同时，采用固定的悬吊长度可以精确控制共振频率不在晶转频率范围内，进而可以更准确的避免共振而引发的晃动。
方法晶体生长装置

[发明专利]一种倒膜设备-CN202210111715.9在审
发明人：施心星 -专利权人：苏州镭明激光科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B65B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒膜设备，倒膜设备用于对背面贴有粘接膜的晶圆依次进行正面贴膜处理、背面解胶处理和撕膜处理，倒膜设备包括贴膜装置、解胶装置、撕膜装置和转料装置，贴膜装置用于对经由初始位置移送至贴膜装置的加工位置上的晶圆的正面粘贴保护膜，解胶装置用于对晶圆的背面的粘接膜进行解胶，撕膜装置用于去除晶圆的背面的粘接膜，转料装置包括转料机构和转料驱动机构，转料驱动机构的驱动端与转料机构连接，以驱动转料机构抓取经贴膜处理后的晶圆并移送至解胶装置的加工位置，以及驱动转料机构抓取经解胶处理后的晶圆并移动至撕膜装置的加工位置。通过该设计，能够有效提高对晶圆进行倒膜处理的自动化程度，以大幅度提升晶圆的加工效率。
一种设备

[实用新型]一种间隔上料的晶圆片抛光装置-CN202222615977.7有效
发明人：吴智强 -专利权人：吴智强
申请日： 2022-10-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抛光装置，尤其涉及一种间隔上料的晶圆片抛光装置。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够不间断对晶圆体进行抛光，无需人工对准的间隔上料的晶圆片抛光装置。一种间隔上料的晶圆片抛光装置，包括有底座、转板和支架等；底座上转动式连接有转板，转板上开有放料槽，转板的中心位置上固接有支架。本实用新型通过设置的转板，可以不间断的对晶圆片进行抛光，工作效率高，固定杆和弧形板能够对转板进行限位，使得抛光片在对晶圆片进行抛光时，晶圆片固定，保证抛光效果，同时在转板上对不同位置的晶圆片进行抛光时，无需人工将晶圆片和抛光片进行对准。
一种间隔晶圆片抛光装置

[发明专利]一种牙科用抗菌石膏模型的制备方法-CN201910230067.7在审
发明人：王卫兵 -专利权人：合肥卓越义齿制作有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C04B28/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种牙科用抗菌石膏模型的制备方法。将磷石配制成一定的浆液，筛网过滤掉大块杂质和悬浮物，加入稀硫酸进行中和反应，除去少量的不溶性氧化物、碳酸钙、碳酸镁等杂质，使其转化为可溶性盐，同时滤掉有机碳，加入生石灰进行中和处理后，破碎研磨成石膏粉，S2、转晶反应，将所述石膏粉置于泥浆混料器中，按照一定的固液比加入硫酸和磷酸混酸水溶液中，混合均匀，制得混合料浆，再加入一定量的转晶剂，最后加入醋酸钠作为外加剂，形成饱和溶液体系，使得浆液进行转晶反应。本发明有益效果是：能够使牙科用抗菌石膏模型的原料搅拌的更加充分，且能够增加成模工作的效率。
石膏模型牙科抗菌石膏粉转晶制备碳酸钙饱和溶液纯化处理大块杂质混合料浆可溶性盐筛网过滤酸水溶液原料搅拌中和处理中和反应研磨不溶性醋酸钠固液比混料器磷酸混生石灰碳酸镁外加剂稀硫酸悬浮物有机碳转晶剂氧化物泥浆成模磷石硫酸破碎转化

[发明专利]非晶硅转印靶材及其制备方法-CN202010804373.X在审
发明人：沈梦超;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅转印靶材的制备方法，选用高纯石英板作为非晶硅载板，使用盐酸双氧水混合液对非晶硅载板进行清洗，使用低压化学气相沉积的方法在载板表面沉积非晶硅层。本发明制备方法简单，本发明制备的非晶硅靶材在非晶硅转印工艺中剥离率高，均匀性好，同时非晶硅脱离靶材后路径稳定可实现高精度的非晶硅转印。
非晶硅转印靶材及其制备方法

[实用新型]一种TFT-LCD玻璃生产用防析晶机构-CN202021059814.X有效
发明人：甘彩旺 -专利权人：江门市宏普欣电子科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C03B5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TFT‑LCD玻璃生产用防析晶机构，包括底座，所述底座顶部的两侧均固定连接有支撑臂，所述支撑臂的一侧开设有滑槽，所述滑槽的内腔滑动连接有工形滑块，所述工形滑块的内腔转动连接有转块，所述转块的内腔滑动连接有转杆，两个转杆之间固定连接有搅拌罐本体，所述搅拌罐本体的底部固定连接有固定环体。本实用新型通过电机带动驱动机构转动，驱动机构最终带动搅拌罐本体做前后翻转和左右翻转运动，使得搅拌罐本体内腔的玻璃液体能够与搅拌罐本体的内壁任何一处都接触，保证了玻璃液体不会凝结成析晶，即可达到防析晶的目的
一种 tft lcd 玻璃生产用防析晶机构

[发明专利]一种高晶型纯度艾司奥美拉唑镁二水合物晶体的制备方法-CN202210217821.5有效
发明人：薛富民;李洪程;于帅;刘彬;王艳;国建辉;杜世超;董良军;高东圣;褚亚飞 -专利权人：寿光富康制药有限公司;山东省分析测试中心
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高晶型纯度艾司奥美拉唑镁二水合物晶体的制备方法，属于医药化学技术领域，该制备方法包括滴加溶析剂与转晶和干燥与控水含量；所述滴加溶析剂与转晶，将艾司奥美拉唑镁中间体的温度控制到15‑25℃，在搅拌下加入溶析剂，在‑5℃至20℃下进行转晶，控制转晶时间为4‑8h，转晶结束后得到过渡态晶型的艾司奥美拉唑镁水合物；所述干燥与控水含量，将过渡态晶型的艾司奥美拉唑镁水合物进行干燥；该制备方法制备的艾司奥美拉唑镁二水合物晶体的晶型纯度高
一种高晶型纯度艾司奥美拉唑镁二水合物晶体制备方法

[发明专利]一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法-CN202010529868.6有效
发明人：李庆斌;朴勇男;邢栗;张晨阳 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B05D1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，包括如下步骤：设定预设真空度，在预设真空度下将待涂胶晶圆吸附在承片台上，并控制承片台以第一转速旋转，并通过胶嘴对晶圆中心进行打胶；打胶结束后，承片台以第二转速旋转进行打胶回流，第二转速小于第一转速；承片台先以第三转速旋转，再以第四转速旋转，第三转速小于第四转速，对晶圆进行变速甩胶；控制承片台以第五转速甩胶，完成光刻胶甩胶；再控制承片台以第六转速旋转使光刻胶在晶圆表面成膜，第五转速小于第六转速；承片台以第七转速旋转，并通过清洗喷嘴对晶圆从第一位置到第二位置扫描配合进行切边处理，可提高晶圆表面光刻胶的均匀性，避免光刻胶堆积及液体反溅。
一种 taiko 结构衬底超薄型涂胶方法

[发明专利]一种制备高强石膏的卧式连续转晶装置、系统及方法-CN202210498658.4有效
发明人：邢召良;刘峰;孙云兴;马胜利;徐迎军;张肖肖;窦禹兵 -专利权人：山东天力能源股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B11/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高强石膏的卧式连续转晶装置、系统及方法，包括：卧式转晶筒，所述卧式转晶筒的两端分别通过高压动静密封连接进料输送螺旋和螺旋导料装置，所述进料输送螺旋的进料口和螺旋导料装置的出料口分别连接保压卸料阀；所述卧式转晶筒内设有螺旋蒸汽管，通过对蒸汽温度的控制，能够在物料连续进出并且保压的条件下对物料进行晶相转变。本发明通过保压卸料阀和高压动静密封，使得筒体在让物料转晶的同时能够让物料连续进出。
一种制备高强石膏卧式连续装置系统方法

[发明专利]一种拉晶方法、装置及设备-CN201910779706.5在审
发明人：马志勃;李强;涂准 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种拉晶方法、装置及设备，涉及太阳能光伏技术领域。所述方法可以包括：以第一预设埚转对坩埚内的多晶硅原料加热，形成第一预设温度的第一硅液；将所述坩埚的埚转提升至第二预设埚转，以将所述第一硅液的温度降至引晶温度，得到引晶硅液；所述第二预设埚转大于所述第一预设埚转；在所述引晶硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒；其中，在执行所述等径操作之前，将所述坩埚的埚转提升至等径埚转；所述等径埚转大于所述第二预设埚转。本发明实施例的拉晶方法，硅液与坩埚发生化学反应的反应速度和反应时间均减少，进而降低了分解氧的生成，使生成的单晶硅棒内晶棒头部氧含量明显降低，提升了单晶硅的品质。
埚转预设硅液等径引晶坩埚单晶硅棒拉晶化学反应单晶硅多晶硅原料太阳能光伏装置及设备温度降放肩晶棒加热分解