“用转晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4395808个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202110930665.2在审
发明人：桥本祐作;下青木刚;福田昌弘;田中公一朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610849869.2有效
发明人：桥本祐作;下青木刚;福田昌弘;田中公一朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜
处理方法装置

[实用新型]具有初检合格太阳能晶圆枢转分流装置的分类系统-CN200920059305.4有效
发明人：林汉声 -专利权人：致茂电子(苏州)有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： B07C5/04 文献下载
摘要：本实用新型是一种具有初检合格太阳能晶圆枢转分流装置的分类系统，包含基座、传送汲取装置、供应收纳装置以及枢转分流装置。传送汲取装置除将未合格晶圆放置于未合格晶圆承载装置内，并将初检合格的晶圆传送至合格晶圆输出位置；供应收纳装置则分别具有合格晶圆承载装置供应位置、合格晶圆收纳位置、及承载装置移出位置；由枢转分流装置在初检合格晶圆输出位置及合格晶圆收纳位置间枢转，吸附所述初检合格晶圆由初检合格晶圆输出位置并经二次检测后，将合格晶圆搬移至该合格晶圆收纳位置的合格晶圆承载装置内，加速分流输出速度。
具有合格太阳能晶圆枢转分流装置分类系统

[实用新型]高效石膏晶须反应炉-CN200820230542.8无效
发明人：徐朝富;赵金风;密有桓;严嘉琛 -专利权人：徐朝富;胡永祺;周定保;韩道生
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本实用新型的名称为高效石膏晶须反应炉。属于石膏晶须制造技术领域。它主要是现有单独的转晶、脱水和干燥设备在石膏晶须制造过程中存在温度及时间不易控制，给石膏晶体定向生长带来干扰，生产出的石膏晶须产品性能不优的问题。它的主要特征是：包括底座和固定在该底座上带保温层的炉体；炉体上设有进料口、温度仪、压力表、真空阀、排放口和动力箱；炉体内设有搅拌器，搅拌器两端用密封支座固定；炉体下部设有加热盘。本实用新型具有石膏晶须制造过程中蒸养转晶、脱水和干燥三个工序放在一个反应炉内进行，结构紧凑，操作方便，适合小规模生产的特点，主要用于全优石膏晶须产品的生产。
高效石膏反应炉

[发明专利]一种晶须增强铝基复合材料自清理冲压装置-CN201911321255.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：东莞市中帆新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：本发明的目的是为了解决现有的在对晶须增强铝基复合材料冲压的时候不易进行清理的难题，公开了一种晶须增强铝基复合材料自清理冲压装置，包括控制组件、抽料泵、导管、通料管、底座、支撑框、导向板、螺杆、刮板、转筒、第一转轴、第一支撑架、紧固螺钉、旋转板、冲头、摇柄、连接板、第二转轴、套环、导向筒、导槽、第一螺旋弹簧、滑杆和第二电机。本发明一方面可以对晶须增强铝基复合材料冲压用冲头进行更换，满足不同的晶须增强铝基复合材料冲压需求，另外一方面也方便在晶须增强铝基复合材料冲压的过程中实现对碎屑的清理，使得晶须增强铝基复合材料冲压过程更加整洁
一种增强复合材料清理冲压装置

[实用新型]一种彩晶玻璃印刷机用降温机构-CN202122692393.5有效
发明人：刘海剑;陈灯发;陈国文;陈文涛 -专利权人：南京汇康玻璃制品有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种彩晶玻璃印刷机用降温机构，包括外壳，所述外壳的内部活动连接有散热机构，所述散热机构包括用于改变水流运动状态的压力组件、用于吸热和冷却热量的传导组件，所述压力组件活动连接在外壳的内部，所述传导组件活动连接在外壳的内部；通过转杆转动使得连杆一转动，连杆一转动使得滑块滑动使得罐体内部的蒸馏水循环流动，进而实现外壳内部高效温度调节，保证了彩晶玻璃印刷机内部热量平衡，提高了彩晶玻璃印刷机零部件的使用寿命，通过黑色集热板有效的提高了外壳内部吸收热量的速率，提高了彩晶玻璃印刷机运行时间和可靠性，也增加了彩晶玻璃制造的产量和经济效益。
一种玻璃印刷机降温机构

[实用新型]CCD智能图像控径装置-CN200920032971.9无效
发明人：丁积军;李阳 -专利权人：西安恒新自动控制有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：CCD智能图像控径装置，包括拉晶过程控制器8，拉晶过程控制器8分别与埚转控制单元7、CCD直径测量单元2、埚升控制单元5、晶转控制单元6相连，埚转控制单元与埚转电机10相连，埚升控制单元5与埚升电机12相连，晶转控制单元6与晶转电机13相连，CCD直径测量单元2与直径信号处理器9相连，直径信号处理器9与直径控制器1相连，直径控制器1和晶升控制单元4相连，晶升控制单元4与晶升电机11相连，晶升电机11与温校控制器3相连，温校控制器3与功率柜14相连，在拉晶的过程中，通过拉晶过程控制8对晶体的拉晶过程进行控制，使得自动化程度大幅度提高。
ccd 智能图像装置

[发明专利]一种制备常压下稳定的α-半水石膏的方法-CN202311116567.0在审
发明人：张超;武占月;刘军飞;王大汇;康荣灿 -专利权人：北京中金瑞丰环保科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备常压下稳定的α‑半水石膏的方法，其包括：S1、配制含有转晶剂、形貌调节剂和扩散控制剂的转晶液，pH＝2‑12；S2、将二水石膏原料加至转晶液中，在转晶剂的作用下，在50‑150℃和压力≤0.5mpa下进行转晶反应，反应期间保持二水石膏原料在转晶液中相对静止，利用相对静止的转晶液中溶质的扩散速度较慢的特点控制α‑半水石膏的晶体生长速度，反应时间为0.1‑200h，在转晶液中获得大颗粒α
一种制备压下稳定石膏方法

[发明专利]一种拉制大尺寸单晶硅棒的方法-CN202310261535.3在审
发明人：马建强;徐志群;高彬彬;汪奇;马腾飞 -专利权人：青海高景太阳能科技有限公司;高景太阳能股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种拉制大尺寸单晶硅棒的方法，包括以下步骤：根据生产环境和所需拉制的晶棒尺寸设定起始参数，起始参数包括埚转、晶转、氩气流量、炉压和拉速；随着晶棒生长长度逐渐增加，逐步提高埚转和拉速，逐步降低晶转，维持氩气流量和炉压不变；晶棒生长长度继续增加至第一长度，达到第一长度时硅熔料内的镓浓度增高、晶棒尾部电阻率衰减加快，此时随着晶棒继续生长逐步降低埚转、拉速、氩气流量和炉压，逐步提高晶转；晶棒生长至第二长度时开始收尾通过以上方法生长的掺镓晶棒尾部电阻率更均匀，单位生长长度更长，同时节约原材料消耗量。
一种拉制尺寸单晶硅方法

[实用新型]一种晶振片用一体式切换机构-CN202221703327.1有效
发明人：姜蒂;滕利 -专利权人：深圳市炬烜科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶振片用一体式切换机构，包括壳体，所述壳体的内侧壁固定镶嵌有滚动轴承，所述滚动轴承的内圈固定连接有连接杆，所述连接杆的外表面固定连接有齿轮。本实用新型通过设置有第二电动推杆，利用第二电动推杆提供的推力，能够推动齿条移动，此时齿轮通过与齿条的啮合关系进行旋转，同时带动转板进行转动，紧接着利用转板和连接杆的配合，使第一电动推动带动安装座和晶振片本体运动，同时通过第一电动推杆的推力，带动安装座和晶振片本体移动，并且使晶振片本体与接触片相接触，从而方便晶振片本体损坏后切换新的晶振片本体，而且不会影响机械的使用，其方式操作简单使用方便。
一种晶振片用一体式切换机构

[发明专利]一种晶圆转帖设备-CN202010228364.0在审
发明人：薛超 -专利权人：南通通富微电子有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆转帖设备，包括：第一转帖台盘；滚轮，滑动设置在所述第一转帖台盘上方，蓝膜切割组件，所述蓝膜切割组件设置在所述第一转贴台盘的上方，所述蓝膜切割组件可以在靠近所述第一转贴台盘的位置和远离所述第一转帖台盘的位置转换，用于沿子母环的轮廓切割蓝膜；搬运单元，所述搬运单元用于将所述第一转帖台盘上的晶圆搬运至第二转帖台盘，并向下按压晶圆使蓝膜与晶圆牢固粘贴；本发明提供的一种晶圆转帖设备结构简单、操作便捷、设备运行稳定、维护简单、成本低廉，工作时，只需要人工上下料，即能完成对晶圆的转帖，取代了纯手工操作，很大程度上降低了人工操作的风险，从而保证了晶圆的转帖质量，大大提高了生产效率。
一种晶圆转帖设备

[发明专利]一种无水硫酸钙晶须的制备方法-CN201711487486.6在审
发明人：袁明 -专利权人：应城市嘉鸿技术服务科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种无水硫酸钙晶须的制备方法，包括如下步骤：S1.将过量的生石膏粉末加入硫酸溶液中搅拌均匀，过滤掉滤渣，向滤液中依次加入0.5～1wt％的分散剂和0.03～0.08wt％的转晶剂，搅拌均匀后，将混合溶液在温度为95～105℃下陈化1～2h，反应完成后，对产物进行过滤和洗涤，得到半水硫酸钙晶须；S2.干燥步骤S1中的半水硫酸钙晶须，即得无水硫酸钙晶须。本技术方案直接用硫酸溶液酸化生石膏粉，SO₄^2‑的量多于Ca²⁺的量，有利于生成半水硫酸钙晶须，同时加快晶须生长速度；加入一定量的分散剂和转晶剂，在温度为95～105℃陈化1～2h，有利于形成粒径大小和长径比更均匀的硫酸钙晶须。
半水硫酸钙晶须无水硫酸钙晶须硫酸溶液分散剂转晶剂陈化制备过滤硫酸钙晶须生石膏粉末混合溶液晶须生长长径比石膏粉粒径滤渣洗涤过量

[发明专利]一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾工艺-CN202211473624.6在审
发明人：韩凯;谷守伟;武志军;岳彩广;卢瑶;关云生 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾工艺，包括S1:瞬时提高加热功率，瞬时降低拉速至第一拉速，再以第一加速度降低所述第一拉速至第二拉速，晶转和埚转为等径段的晶转和埚转，并保持不变为第一晶转和第一埚转，单晶直径逐渐缩小；S2:所述第二拉速以第二加速度提升至第三拉速，所述第一晶转和第一埚转以第三加速度提升至第二晶转和第二埚转，所述单晶直径继续缩小；S3:所述第三拉速以所述第二加速度提升至第四拉速，所述第二晶转和第二埚转以第四加速度提升至第三晶转和第三埚转
一种降低单晶硅裂纹收尾工艺

[发明专利]晶片安装装置-CN202111674084.3在审
发明人：黄岗;曾国鹏;严楚雄 -专利权人：深圳新益昌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶片安装装置，包括机架、固晶机构和转塔机构；固晶机构包括：吸嘴；固晶摆臂；旋转座；固晶电机，驱动旋转座转动，以带动吸嘴从取晶位吸取晶片，并将晶片移动安装于固晶位；以及，固晶支架；转塔机构包括：晶片座，用于支撑晶片；以及，转移模组，驱动晶片座从供晶位接收晶片并转送至取晶位，以供吸嘴吸取。本申请提供的晶片安装装置，设置转塔机构，通过转塔机构的晶片座来接收并支撑晶片，而通过转移模组来移动晶片座，以将晶片从供晶位转送到取晶位，以供固晶摆臂上的吸嘴吸取使用，以缩短固晶摆臂的移动行程，进而可以将固晶摆臂制作更短，提升固晶摆臂移动的稳定性，提升固晶精度与固晶效率。
晶片安装装置

[发明专利]一种推进剂物料中HNIW晶型转晶率原位分析方法-CN202010856680.2在审
发明人：陈智群;武宗凯;栾洁玉;王琼;王明;周文静;康莹;刘可;王民昌;张皋;常海;苏鹏飞 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种推进剂物料中HNIW晶型转晶率原位分析方法，该方法包括以下步骤：步骤一、试样密实平整地置于载玻片上：步骤二、光学显微镜下确定晶体区域：步骤三、显微拉曼对晶体原位测试获得HNIW拉曼谱图：步骤四、单晶拉曼数据获取，晶型识别，统计转晶率，根据转晶率分析推进剂物料中的HNIW晶型转晶率；步骤401，单晶的标准拉曼谱图获取：制备ε‑HNIW单晶、α‑HNIW单晶和γ‑HNIW单晶，ε‑HNIW单晶、α‑HNIW单晶和γ‑HNIW单晶经X射线单晶衍射仪确证晶体结构后，将单晶置于显微镜下，测试拉曼光谱获得晶型标准拉曼谱图；步骤402，晶型识别；步骤403，转晶率统计。
一种推进物料 hniw 晶型转晶率原位分析方法