专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN200780043399.X无效
  • 葛西正树;奥村弘守 - 罗姆股份有限公司
  • 2007-12-20 - 2009-09-23 - H01L21/60
  • 本发明的半导体装置,包括:半导体芯片;形成于所述半导体芯片的表面的电连接的内部;表面保护膜,其覆盖所述半导体芯片上的表面,具有使所述内部露出的开口;应力缓和层,其形成于所述表面保护膜上,具有使从所述开口露出的所述内部露出的开口部;具备埋设部及突出部的连接,所述埋设部埋设于所述开口及所述开口部,与所述内部连接,所述突出部和所述埋设部一体地形成,突出于所述应力缓和层上,具有比所述开口部的开口宽度大的宽度;以及金属球,其以覆盖所述连接的所述突出部的方式形成
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种触控膜多层次FPC-CN201710049236.8在审
  • 罗延廷 - 苏州触动电子科技有限公司
  • 2017-01-23 - 2017-08-18 - H05K1/11
  • 本发明公开了一种触控膜多层次FPC,包括FPC本体、以及金手指,所述的金手指和分别设置在FPC本体上下两端的相对方向上,其中,所述的采用多排结构的,所述的盘上均设置有竖向均匀排布的焊点,水平相邻盘上的焊点相互交错设置。通过上述方式,本发明提供的触控膜多层次FPC,减小FPC的面积,减小FPC生产过程中导入的涨缩误差,减少了开模的成本,加快了产品研发的速度,并提高FPC生产的良品率。
  • 一种触控膜用多层次fpc
  • [发明专利]内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法-CN201210049500.5有效
  • 笹冈贤司 - 大日本印刷株式会社
  • 2008-10-29 - 2012-07-25 - H05K1/18
  • 该内置元件电路板具有:第1绝缘层;第2绝缘层,相对于第1绝缘层以层叠状配置;半导体元件,包括埋设在第2绝缘层中而且包括具有压块的半导体芯片、以及与该压块导电连接的呈栅格状排列的表面安装焊点;电气/电子元件,也埋设在第2绝缘层中;布线图形,设为夹在第1绝缘层和第2绝缘层之间中,具有半导体元件的第1安装和电气/电子元件的第2安装;第1连接元件,将半导体元件的表面安装焊点和第1安装导电连接;以及第2连接元件,将电气/电子元件的焊点和第2安装导电连接,而且是与第1元件相同的材料。
  • 内置元件电路板制造方法
  • [发明专利]内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法-CN201210049514.7有效
  • 笹冈贤司 - 大日本印刷株式会社
  • 2008-10-29 - 2012-07-25 - H05K1/18
  • 该内置元件电路板具有:第1绝缘层;第2绝缘层,相对于第1绝缘层以层叠状配置;半导体元件,包括埋设在第2绝缘层中而且包括具有压块的半导体芯片、以及与该压块导电连接的呈栅格状排列的表面安装焊点;电气/电子元件,也埋设在第2绝缘层中;布线图形,设为夹在第1绝缘层和第2绝缘层之间中,具有半导体元件的第1安装和电气/电子元件的第2安装;第1连接元件,将半导体元件的表面安装焊点和第1安装导电连接;以及第2连接元件,将电气/电子元件的焊点和第2安装导电连接,而且是与第1元件相同的材料。
  • 内置元件电路板制造方法
  • [发明专利]晶片以及半导体装置的测试方法-CN200710129168.2无效
  • 藤野宏晃 - 夏普株式会社
  • 2007-07-13 - 2008-01-16 - H01L23/544
  • 本发明的晶片至少具有设置在与芯片区域(2)邻接的切割线(8)上的三个(10A)、(10B)、(10C)。这三个是:与所述芯片区域(2)内的电源电位部(5)连接的电源(10A);与所述芯片区域(2)内的接地电位部(6)连接的接地(10B);与所述芯片区域(2)内的半导体装置(7)连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该半导体装置(7)的工作状态的切换用(10C)。在晶片测试时,使探针卡的接触针(9A)、(9B)、(9C)分别与三个(10A)、(10B)、(10C)抵接。
  • 晶片以及半导体装置测试方法
  • [发明专利]磁头组件的焊锡球接合方法-CN200610003282.6无效
  • 山口巨树;中泽彻 - 阿尔卑斯电气株式会社
  • 2006-02-08 - 2006-08-23 - G11B5/60
  • 这是一种球状焊锡球接合磁头组件中的滑块的电极和柔性布线基板的电极的方法,首先将焊丝穿插到毛细管中,在从该毛细管中突出到外面的焊丝的顶端形成球状焊锡球。接着毛细管支持该带焊锡球的焊丝,同时将焊锡球安放到滑块的电极与柔性布线基板的电极的接合面上并保持。然后在上述保持状态下使焊锡球熔化,使该焊锡球从焊丝上脱离,同时接合滑块的电极与柔性布线基板的电极
  • 磁头组件焊锡接合方法
  • [发明专利]一种电子元器件焊锡防漂移结构-CN202210022849.3在审
  • 汤立文;叶宗和;董宇坤;尹志安;莫春鉴;丁武;马晓鑫 - 珠海华萃科技有限公司
  • 2022-01-10 - 2022-02-11 - H01R4/02
  • 本发明公开了一种电子元器件焊锡防漂移结构,包括,所述的尾端连接有通电线路,的内部开设有焊接槽,焊接槽内插合设置有针脚,所述盘上开设有防漂移组件;所述防漂移组件包括上边缘多边体、下边缘多边体和侧边缘多边体,上边缘多边体开设在的上侧面。本发明一种电子元器件焊锡防漂移结构,减少回流焊锡导致元器件于线路上漂移,避免产生应力集中而发生断裂问题,提升产品的产出良率,脚边缘多边体设计,增加了脚边缘上的液态焊锡往外流动的回波阻力,且也会产生反射波,阻挡元器件超出脚电极的范围,同时,亦可增加其脚边缘与元器件的针脚接触面积,避免造成虚的机会。
  • 一种电子元器件焊锡漂移结构
  • [发明专利]半导体模块-CN201880092357.3在审
  • 中田洋辅 - 三菱电机株式会社
  • 2018-04-18 - 2020-11-20 - H01L25/07
  • 在基座板(1)的主面配置有半导体元件(4a~4d)和配线元件(5)。第1导线(11a~11e)对外部电极(7a~7e)与配线元件(5)的第1中继(8a~8e)进行连接。第2导线(12a~12e)对半导体元件(4a~4d)的(13a~13e)与配线元件(5)的第2中继(9a~9e)进行连接。树脂(15)对半导体元件(4a~4d)、配线元件(5)以及第1导线、第2导线(11a~11e、12a~12e)进行封装。第2导线(12a~12e)比第1导线(11a~11e)细。(13a~13e)比第1中继(8a~8e)小。
  • 半导体模块
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810091202.6有效
  • 松木浩久;生云雅光 - 富士通株式会社
  • 2004-09-20 - 2008-09-17 - H01L21/60
  • 一种半导体器件的制造方法,包括步骤:在半导体衬底上形成天线和测试包含填料的绝缘树脂层覆盖该半导体衬底除了所述天线之外的部分;在所述天线和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层;以及电镀所述用于电镀的籽晶层,以便在所述天线盘上形成导电凸起。一种半导体器件,具有形成在衬底上的天线和测试。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试,在天线盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。
  • 半导体器件制造方法

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