专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种便于转移的基因芯片-CN202120228640.3有效
  • 蒋峻峰;叶绍云;杨小娟;叶强;刘雨 - 健路生物科技(苏州)有限公司
  • 2021-01-27 - 2021-12-07 - C12M1/00
  • 本实用新型涉及一种便于转移的基因芯片,包括载体放置装置和载体;所述载体放置装置包括芯片放置和芯片保护,芯片放置和芯片保护形状相同,芯片放置和芯片保护之间转动连接;所述芯片放置上表面设有放置凹槽,所述芯片保护上表面对应放置凹槽的位置设有载体保护盖,所述载体与放置凹槽活动连接;所述芯片放置远离所述芯片保护的一端设有第一转移凹槽,所述芯片保护远离所述芯片放置的一端设有与所述第一转移凹槽形状一致和位置对应的第二转移凹槽;本实用增设了识别区,便于更好的区分;加设放置凹槽,避免了实验过程中载体滑落的问题,载体保护盖可以很好地保护载体,避免在运输过程中载体因碰撞而损坏。
  • 一种便于转移基因芯片
  • [发明专利]文物保护异常状态识别方法、装置、终端设备及介质-CN202111355179.9在审
  • 高伟;廖军;刘永生;刘腾飞 - 中国联合网络通信集团有限公司
  • 2021-11-16 - 2022-01-28 - G06V40/10
  • 本公开提供一种基于无人机的文物保护异常状态识别方法、装置、终端设备及计算机可读存储介质,以至少解决目前文物保护异常状态识别人工成本高、容易漏检以及识别效率低等问题,其中,所述方法包括:利用无人机对文物保护中人员及物体进行巡检,得到关于人员的第一巡检结果和关于物体的第二巡检结果;以及,基于所述第一巡检结果和所述第二巡检结果识别出所述文物保护是否存在异常状态,若是,则发出文物保护异常警告提示。本公开针对利用无人机技术获得的人员和物体的第一巡检结果和第二巡检结果进行文物异常状态识别,实现了文物保护异常状态的智能识别,有效提高文物保护异常状态识别的效率及准确率,同时降低人工成本。
  • 文物保护区异常状态识别方法装置终端设备介质
  • [发明专利]喷涂装置、特别是涂装机器人-CN202280016391.9在审
  • S·波佩;J·赫希斯曼;M·凯尔巴赫 - 杜尔系统股份公司
  • 2022-01-17 - 2023-10-13 - B05B5/16
  • 本发明涉及一种喷涂装置(例如涂装机器人),用于以喷涂剂(例如涂料)对部件(例如机动车车身部件)进行喷涂,该喷涂装置包括:‑保护(8),由于存在爆炸危险(例如由于爆炸性气体,如气体或粉尘)和/或在操作期间处于高电压下,该保护具有防爆功能;‑非保护(9),在该非保护中不存在爆炸性气体,或在常规操作期间仅偶尔或极少出现爆炸性气体,因此不具有防爆功能和/或在操作期间处于地电位;‑多个传感器(10‑13),其用于测量喷涂装置的过程变量,所述传感器(10‑13)布置在保护(8)中;‑用于外部数据通信的数据接口(16),所述数据接口(16)布置在非保护(9)中;以及‑用于在保护(8)的传感器(10‑13)和非保护(9)的数据接口根据本发明,在保护(8)中还额外设置有收集装置(14),收集装置(14)与传感器(10‑13)相连,并从传感器(10‑13)中获取过程变量的测量值,收集装置还与传输系统(21)相连,以便将传感器(10
  • 喷涂装置特别是装机
  • [发明专利]一种半导体器件的保护方法及装置-CN202110846930.9在审
  • 杨崇秋;吉成东;周林 - 江苏茂硕新材料科技有限公司
  • 2021-07-27 - 2021-08-24 - H01L21/02
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,公开了一种半导体器件的保护方法及装置,对衬底进行研磨,利用研磨的方法在衬底的靠近边缘的部分加工出圆环形的保护,在保护中心形成生长保护的高度低于生长的高度,然后在衬底的保护和生长上均通过成膜法形成保护层;之后对衬底进行研磨,去除生长表面的保护层,仅在保护的表面保留保护层;然后抛光、清洗、烘干,获得能够避免半导体层裂纹缺陷的衬底;本发明在衬底外周加工出环形的保护层,限制半导体层向衬底的周边生长,能够避免裂纹缺陷的产生,与此同时,保护层的表面低于用于生长半导体层的生长的表面,其在MOCVD外延生长时对于半导体层的生长影响较小。
  • 一种半导体器件保护方法装置

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