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- [发明专利]圆片减薄的方法、治具及上蜡装置-CN202010021131.3在审
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邹庆龙;张海旭;王亚洲;林肖
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映瑞光电科技（上海）有限公司
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2020-01-09
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2020-05-29
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H01L21/02
- 本发明涉及一种圆片减薄的方法、治具及上蜡装置。该方法包括：将半导体衬底圆片与衬底片键合在一起作为待减薄圆片；将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上，将蜡滴在陶瓷盘上的圆片位置，将待减薄圆片放置在蜡的上方；将外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具同心放置在待减薄圆片上，将压片装置下压进行待减薄圆片的平整，取出待减薄圆片上放置的治具，对陶瓷盘上的待减薄圆片进行减薄工艺。通过在需要减薄的圆片上同心放置外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具，将上蜡装置的压片装置下压进行待减薄圆片的平整，对键合后的圆片进行蓝宝石雾面减薄后可以得到均匀性较好的减薄圆片，实现了对键合圆片的均匀减薄，提高了圆片的良品率，降低了生产成本。
- 圆片减薄方法上蜡装置
- [发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
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王广阳;熊帅
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武汉电信器件有限公司
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2020-09-22
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2021-01-08
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H01L21/02
- 本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。这样，在第一设备对晶圆片进行减薄后，再利用第二设备对晶圆片进行减薄，能够去除一次减薄过程中所造成的放射纹和损伤层，有效避免了后续进行更加复杂的加工处理，从而降低了晶圆片减薄的加工成本，同时提高了晶圆片减薄的加工效率
- 一种晶圆片减薄方法装置夹具
- [发明专利]用于金属样品的预减薄装置及金属样品的预减薄方法-CN201810539441.7有效
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刘澄;周文韬;梁中阳;王璇;崔锡锡;杨晨;周睿
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扬州大学
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2018-05-30
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2020-04-10
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B24B7/10
- 本发明涉及透射电镜（TEM）试样减薄技术领域。用于金属样品的预减薄装置，包括相互配合的基体和替换件。预减薄方法为：对待减薄金属片进行清洗并干燥，并将替换件的下底大面与金属的待减薄面相反的一面相贴；将替换件与金属片的组合与基体扭转嵌合，通过基体通孔注水后，利用与金属片相对运动的摩擦机构对金属片的待减薄面进行减薄；每减薄0.05±0.02mm后，拆下替换件与金属片的组合并将其加热到200±20℃熔融；选取新的替换件，将金属片的待减薄面的对侧面作为新的减薄面，重复上述步骤直至厚度小于等于0.05mm。本发明提供的TEM金属试样减薄方法可以在减薄金属试样的同时，使待减薄试样便于夹持，降低拆卸金属薄片碎裂的可能性，金属试样表面平整。
- 用于金属样品预减薄装置方法
- [实用新型]带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄夹具-CN201120571109.2有效
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刘胜;陈照辉;汪学方;王宇哲
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刘胜
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2011-12-31
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2012-10-31
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H01L21/687
- 一种带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄夹具，夹具圆片上设有可容纳减薄硅圆片上铜凸点的沟槽，夹具圆片上设有用于减薄硅圆片与夹具圆片对准标记。在硅圆片的通孔进行局部电镀封孔后进行正面填孔电镀并在硅圆片的正面形成铜凸点。根据硅片上铜凸点的分布，采用刻蚀、腐蚀、或者机械加工在夹具圆片上刻蚀出沟槽，利用对准标记将带有电镀铜凸点的硅圆片与夹具圆片对准固定，对硅圆片正反面采用机械磨削及化学机械抛光工艺对硅圆片进行减薄。本实用新型的优点是避免了硅圆片上铜凸点在减薄时受到直接的挤压而产生的应力集中，可有效避免带有通孔电镀铜凸点的硅圆片减薄时的易发生的圆片破裂的问题，提高硅圆片减薄的成品率。
- 带有通孔电镀铜硅圆片减薄夹具
- [发明专利]芯片厚度减薄的方法-CN201510046630.7有效
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时新越;李彦庆;叶武阳;张海宇
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吉林华微电子股份有限公司
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2015-01-29
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2017-06-23
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H01L21/02
- 芯片厚度减薄的方法，涉及微电子芯片生产制造领域，解决现有芯片减薄方法存在碎片率高且不易量产的问题，采用DFG821型号的减薄机对芯片进行减薄，所述减薄机的Z2单元使用2000目磨轮，将芯片减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H‑60μm，第二刀切割后芯片厚度为H‑90μm，然后对第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；对减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；本发明方法同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可通过粘贴衬片方式腐蚀实现。
- 芯片厚度方法
- [发明专利]一种极片、极片母板、极片的加工方法及电池-CN202211741155.1在审
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潘驭一;刘荣江;黄彬彬
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惠州亿纬锂能股份有限公司
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2022-12-30
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2023-05-02
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H01M4/13
- 本发明涉及一种极片、极片母板、极片的加工方法及电池。一种极片，包括集流体，集流体厚度方向的两侧均包括料区、清洗区和第一减薄区，清洗区用于焊接极耳的焊接端，清洗区沿极片的宽度方向的一侧设有第一减薄区，第一减薄区与对应清洗区相邻设置并延伸至极片的对应侧缘，第一减薄区和料区具有相同的活性物质，第一减薄区的厚度小于或等于料区的厚度与同侧极耳的厚度之差。其在保证极耳与清洗区处集流体的焊接质量的前提下，无需冲切缺口，第一减薄区处的集流体得以保留，极片的机械强度更高，能够减少极片卷绕时的断带风险。且第一减薄区处也具有与料区相同的活性物质，相比现有技术电池容量更大，在后续工艺中第一减薄区处无需贴胶纸。
- 一种母板加工方法电池
- [发明专利]背面减薄晶圆的固定装置-CN202011463307.7有效
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马富林;郑刚;曹志伟
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-12-14
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2022-12-27
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H01L21/683
- 本申请公开了一种背面减薄晶圆的固定装置，涉及半导体制造领域。该背面减薄晶圆的固定装置包括载片台、至少3个顶柱、边缘环紧固圈；至少3个顶柱分布在载片台的顶部，顶柱与减薄晶圆的Taiko环对应；边缘环紧固圈位于在载片台的上方，边缘环紧固圈与载片台连接；边缘环紧固圈由卡箍和顶部压环组成，卡箍设置在顶部压环的底部，卡箍的内径等于减薄晶圆的外径；顶部压环的内边缘与卡箍的内侧之间的距离小于减薄晶圆的Taiko环的宽度；解决了目前减薄晶圆吸附在载片台上后，容易抖动或挑动，而从载片台上剥离的问题；达到了避免背面减薄晶圆在抽真空时从载片台上剥离，减少晶圆掉片的效果。
- 背面减薄晶圆固定装置
- [发明专利]一次性安全自毁注射器-CN201510290697.5在审
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刘辉
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江苏康宝医疗器械有限公司
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2015-05-29
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2015-08-26
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A61M5/50
- 本发明公开了一种一次性安全自毁注射器，包括筒体，筒体内有推杆，推杆上设有筋片，推杆一端连接有胶塞，所述推杆另一端的后端设有环槽，环槽后端设有易折断的推杆头，环槽内设有带有弹性可弯曲的球面状减薄弹性棘片，所述筋片与减薄弹性棘片临近的一端设有防止减薄弹性棘片反曲的加强筋；所述筒体后端内壁上设有与减薄弹性棘片对应设置的环状止退凸环。本发明将弹性棘片减薄，显著减轻了使用过程中的推力，使注射过程更加舒适。为了避免弹性棘片减薄带来的锁死不彻底，弹性棘片上端设置三角形加强筋，这样当减薄弹性棘片向前弯曲时可形成明显的支撑力，切实有效地强化自毁机构的锁死效能，达到彻底自毁的目的。
- 一次性安全自毁注射器
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