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[发明专利]单晶硅的制造方法及制造系统-CN201580049467.8有效
发明人：须藤俊明;佐藤忠广;北原江梨子;北原贤 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状(S11)，预先设定氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位的预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状来求取满足初期液位的预测值硅熔液的体积(S13)，求取具有所述体积的硅熔液的重量(S14)，在氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量的原料(S15)，以及基于初期液位的预测值来控制晶种的着液
单晶硅制造方法系统

[发明专利]生长多个单晶体的方法和设备-CN93104979.2无效
发明人： J·D·霍尔达 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1993-04-24 - 公布日： 1996-07-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种通过维持熔体内熔化的源材料的纯度从一个重新添加熔体中生长多个高纯度单晶的方法，所说熔体盛装在用于生长高纯度单晶的炉内坩埚中。该方法包括如下步骤从坩埚原料生长至少一个晶体，提取一部分剩余在坩埚中的熔体，以及至少再生长一个单晶。用该方法的提取设备包
生长单晶体方法设备

[实用新型]一种精准定位熔料套杯-CN202020914041.2有效
发明人：贺力伟 -专利权人：苏州京浜光电科技股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种精准定位熔料套杯，包括坩埚主体、套环主体，所述坩埚主体设置于套环主体内，所述套环主体顶部外侧固定设置有凸台，所述凸台上对称开设有凹槽，所述坩埚主体两侧固定设置有挂耳，且所述挂耳位于凹槽内，所述凸台上对称开设有凹孔，所述凹孔位于凹槽之间，在进行熔料时，可以选择使用适当的小坩埚，可以减少镀膜材料的使用，降低成本，将套环套在小坩埚外侧后在放入设备坩埚盘的孔位内，圆锥形的设置让套环主体外面与设备坩埚盘的孔位紧密贴合，内部是与小坩埚外壁紧密贴合，且坩埚和套环导热性较好，使得加热更快，有效的减少了熔料时间，提高了生产效率，通过挂耳也便于坩埚的拿取，使用方便。
一种精准定位熔料套杯

[实用新型]一种垂直区熔下降炉-CN202123120871.1有效
发明人：金敏;李泉;王昂 -专利权人：苏州科睿浦光电科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直区熔下降炉，属于晶体制备设备技术领域，该一种垂直区熔下降炉，包括炉体、坩埚、设置在所述炉体内的发热体和一端伸入炉体内的气体管道，所述炉体还包括驱动所述坩埚在所述炉体内进行运动的升降机构，通过升降机构对坩埚在炉体的高度进行调节，从而控制坩埚内原料的加热温度。通过升降机构调整坩埚在炉中位置，使坩埚底部处于高温区域，坩埚中装有的原料将仅在此高温区域熔化，同时升降机构能够带动坩埚在炉体内匀速升降，通过升降机构带动坩埚逐步下降，坩埚内熔体经炉腔内的温度梯度实现凝固结晶生长
一种垂直下降

[发明专利]一种熔盐热扩散处理设备及其应用-CN201610074177.5有效
发明人：苏兴治;侯娟;俞国军;陈燕军;谢雷东;侯惠奇;王建强 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C8/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔盐热扩散处理设备及其应用。其包括一供气系统、一真空系统、一炉体、一循环水盘管、一样品室、一坩埚和一支撑杆；供气系统通过进气管与炉体连通，真空系统通过第一出气管与炉体连通；循环水盘管套设于炉体的上部；坩埚设于炉体底部，坩埚包括坩埚本体和坩埚盖板，坩埚本体的上端外侧设有第一环形凹槽，坩埚盖板开口向下包住坩埚口，并伸入第一环形凹槽中；支撑杆依次贯穿炉体上的炉门、坩埚盖板，并伸入坩埚中；支撑杆伸入坩埚的一端连有样品室。本发明设备处理效率高，系统密闭，能控制系统的水氧含量，防止熔盐蒸汽或其分解产物扩散到坩埚外能减少熔盐烟雾影响，避免对设备造成腐蚀或积累在加热炉的电阻丝上造成设备短路。
一种熔盐热扩散处理设备及其应用

[发明专利]一种石英坩埚-CN201510909607.6有效
发明人：方峰;邓德辉;高朝阳;王学锋;曾泽红;孙媛 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英坩埚。该石英坩埚的坩埚壁包括坩埚底壁、弧度过渡区及圆柱周壁三个部分，从坩埚内表面侧至外表面侧具有透明石英层和不透明石英层，其中，透明石英层的气泡含有率小于0.3％，不透明石英层的气泡含有率为0.6％以上。本发明的石英坩埚的弧度过渡区的透明层厚度是圆柱周壁处的透明层厚度的1.2‑1.6倍。本发明通过石英坩埚的弧度过渡区的热传导特性抑制石英坩埚中弧度过渡区的硅熔体的流动能力，硅单晶的氧含量均匀性得到改善。采用本发明的石英坩埚，从坩埚外侧进行加热时，可抑制石英坩埚底部熔融硅的温度偏差，减少石英坩埚底部硅熔体浮力，抑制硅熔体的向单晶生长界面的热对流，获得氧含量均匀的硅单晶。
一种石英坩埚

[发明专利]一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法-CN201310115179.0有效
发明人：王昌运;吴少凡;陈伟 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，双层坩锅和熔盐炉为生长装置，所述双层坩埚为在外坩埚里面增置一个无底的内坩埚，通过对外坩埚熔体搅拌或通气，带动内坩埚熔体的流动，从而提高晶体生长速度和溶质浓度梯度，缩短晶体生长周期，得到大尺寸晶体毛坯，采用本发明的晶体生长方法可以有效解决传统生长方法中晶体靠降温生长，过程中熔体主要为自然对流导致晶体生长速率低，生长周期长，风险大
一种尺寸 bbo 晶体快速生长方法

[实用新型]自动熔样机的自动送样装置-CN201220472565.6有效
发明人：赵亮;华冰;李寿平;杨洪首;杨超峰 -专利权人：洛阳特耐实验设备有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光谱分析用自动熔样机，主要涉及一种自动熔样机的自动送样装置。所提出的自动熔样机的自动送样装置的本体上具有多个放置有样品坩埚的样品坩埚支架（14）；设置有旋转驱动机构和样品输送机构。本实用新型的结构设计，将需要熔化的、盛放样品的样品坩埚依次自动送入炉膛进行熔化，然后将完成熔样的样品坩埚后退移出炉膛；并且使样品坩埚在送入炉膛前与炉膛对应；直到所有样品处理完成，无需人员看守。
自动样机装置

[实用新型]一种熔盐槽-CN201821628249.7有效
发明人：余章龙;杨娟玉;李方义;吴举;王宁;史冬;张伯涛 -专利权人：国联汽车动力电池研究院有限责任公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C25C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种熔盐槽，所述熔盐槽包括熔池，熔池本体为由多块石墨砖拼接而成的石墨坩埚，所述熔池本体靠近容纳腔的一侧设有抗氧化层，所述熔池本体的外侧设有保护层。本实用新型提供的熔盐槽采用拼接而成的石墨坩埚，可以不再受限于石墨材料的尺寸进而制作出较大尺寸的熔池，同时，通过在石墨坩埚的内侧设置抗氧化层和在石墨坩埚的外侧设置保护层，可以有效地防止或减少石墨坩埚本体及拼接缝隙处的高温氧化，从而得到具备抗氧化、耐腐蚀、无渗漏优势的大型熔盐槽。
熔盐槽熔池石墨坩埚本实用新型抗氧化层保护层拼接石墨坩埚本体高温氧化拼接缝隙石墨材料外侧设置抗氧化耐腐蚀容纳腔石墨砖无渗漏有效地多块受限

[发明专利]一种低气泡膨胀石英坩埚制造方法-CN202210017565.5在审
发明人：陶飞;石刚;周勇;吴伟华 -专利权人：内蒙古鑫晶新材料有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低气泡膨胀石英坩埚制造方法，在坩埚的电弧熔制过程：先采用大电流快速融化模具端口石英砂，待坩埚内表面石英砂融化后，快速降低电流，恒温一段时间后，再增大电流，直至熔制过程结束。本发明提供了一种石英坩埚的制造方法，在熔制过程中，通过电弧产生的高温烘烤石英砂，使石英砂中的气液包裹体由于受热膨胀而破裂，溢出石英砂内部，从而降低石英坩埚透明层内的气泡。
一种气泡膨胀石英坩埚制造方法

[实用新型]一种便于坩埚更换用的安置机构-CN202221276065.5有效
发明人：黎翔 -专利权人：爱力德欣安真空设备（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于坩埚更换用的安置机构，具体涉及熔炼技术领域，包括坩埚主体，所述坩埚主体外侧设有安装框，所述安装框底部设有炉盖，所述炉盖上开设有通槽，所述通槽位于坩埚主体底部，所述安装框顶部设有加料框本实用新型通过向加料框内加入金料，然后将密封盖板盖在加料框上，打开阀门从而使得加料框内的金料通过出料管流入横板内，最后落在坩埚主体内，同理关闭阀门对出料管进行密封，加热炉工作对坩埚主体内的金料进行熔炼，在不需要拆卸熔炼线圈的前提下，能够快速加入金料，使用效果好。
一种便于坩埚更换安置机构

[发明专利]一种用于电磁冷坩埚熔炼熔体过热及界面反应的调和装置-CN202310406867.6在审
发明人：曹福洋;张朝君;张伦勇;沈红先;靳志帅;曹贯宇;邱子傲;高瑞帅;黄永江;孙剑飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：一种用于电磁冷坩埚熔炼熔体过热及界面反应的调和装置，属于坩埚熔炼设备。为了解决现有的电磁冷坩埚在熔炼过程中熔体过热不足，铸造充型能力弱，而传统坩埚界面反应严重的问题。本发明包括分瓣的水冷坩埚体、冷却水分水器、反应内壳、交流感应线圈和扰流电磁体；反应内壳是由非金属保温材料制成，反应内壳设置在水冷坩埚体的内部；冷却水分水器安装在水冷坩埚体的下方；交流感应线圈围绕在水冷坩埚体内腔的周围，交流感应线圈通交流电并产生交变电磁场；扰流电磁体安装在水冷坩埚体以及交流感应线圈外，并产生与合金熔体所受交变电流而产生的涡流搅拌相反方向的电磁力，以达到抑制合金熔体内电磁力的目的。
一种用于电磁坩埚熔炼过热界面反应调和装置

[发明专利]一种用于制备Cu-Al-Fe合金的熔炼装置及熔炼方法-CN201910163198.8有效
发明人：钟素娟;董博文;张雷;裴夤崟;沈元勋;潘建军;李秀朋;李胜男 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制备Cu‑Al‑Fe合金的熔炼装置，其包括第一坩埚，第一坩埚外部套设有感应加热设备，第一坩埚内腔中填充有Cu块、Al块，在第一坩埚的外部设置有铝热反应装置，其熔炼方法为：首先将根据铝热反应Fe2O3+2Al=Al2O3+2Fe+ΔQ配制的铝热剂放入一个带有锥形孔、自熔塞、镁丝引线的第二坩埚中，然后将Cu、Al熔炼成金属熔体，将该铝热反应装置放入第一坩埚的金属熔体中，金属熔体产生的高温引燃镁丝引线，镁丝引线燃烧产生的高温触发铝热反应，铝热反应产生的高温熔化自熔塞，高温Fe液进入金属熔体，搅拌即形成Cu‑Al‑Fe合金，本发明速度快、效率高、节约能源，缩短了Cu‑Al‑Fe合金的熔炼时间，降低了元素烧损量，减少了熔体表面熔剂分解造成的空气污染，提高了Cu‑Al‑Fe合金成分准确性。
一种用于制备 cu al fe 合金熔炼装置方法

[发明专利]一种熔炼坩埚用涂层的制备方法-CN201110152133.7有效
发明人：谭毅;张磊;许富民 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：一种熔炼坩埚用涂层的制备方法，首先对熔炼坩埚进行烘制预处理，然后采用PVP无水乙醇溶液与氮化硅配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂于熔炼坩埚内壁，最后将喷好涂层的熔炼坩埚进行预烧处理，即可在熔炼坩埚内壁得到一层厚度均匀本发明的显著效果是在喷涂前对熔炼坩埚进行烘制预处理及清洗处理，有利于涂层的粘连，涂层悬浊液加入PVP无水乙醇溶液，烘制后无水乙醇蒸发，粘结剂PVP将涂层粘连到坩埚内壁上，涂层的粘连性较大，防止坩埚与熔体的反应粘连，实现铸锭的顺利脱模，同时防止杂质进入熔液，实现熔体的提纯效果，满足了铸造过程中涂层的使用要求。
一种熔炼坩埚涂层制备方法

[发明专利]制备多晶硅的方法-CN201680007941.5有效
发明人： K·黑塞;E·多恩贝格尔;C·赖曼 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的目的是生产多晶硅的方法，其包括以下步骤：提供用于接收硅熔体的坩埚，所述坩埚包含底部和内表面，其中至少所述坩埚的底部具有涂层，所述涂层包含一种或多种选自Si34、氧化的Si3N4和SiO2的化合物；在所述坩埚中布置硅层与所述坩埚底部的涂层接触；在所述坩埚中布置多晶硅与所述硅层接触；加热所述坩埚，直到所述多晶硅和所述硅层完全熔化，以得到硅熔体；定向凝固所述硅熔体以形成多晶硅块，其特征在于，在加热所述坩埚和/或熔化所述硅层时，硅层释放还原剂。
制备多晶方法