“熔金坩埚”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果335653个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]熔铝用合金铸造坩埚-CN91106016.2无效
发明人：王来祥;蒋本义 -专利权人：王来祥
申请日： 1991-01-24 - 公布日： 1992-08-12 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：一种涉及铸造行业熔铝、铅、锡等低熔点有色金属的合金铸造坩埚(简称熔铝用合金铸造坩埚)，目前使用的石墨坩埚、铬锰氮或铬9硅2铸钢坩埚，这些干坩埚寿命低，连续工作时间一般为500小时，价格贵，高铬镍不锈钢坩埚达2万元/吨，其中电炉熔铝现行的铬锰氮或铬9硅2铸钢坩埚寿命不稳定，低达100小时，高达500小时，价格7200～9400元/吨。本发明主要特征是坩埚由内表面向外表面分为四层结构，埚底、埚体、埚沿铸成一体，与铬锰氮或铬9硅2合金铸钢坩埚相比，寿命提高2—14倍，价格降低1/5—1/4。
熔铝用合金铸造坩埚

[发明专利]一种在非真空条件下熔炼非晶母合金的方法-CN201010127046.1无效
发明人：王静松;薛庆国;曹立军;黄书友;王精华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：其特征在于将熔渣冶炼技术应用到熔炼非晶母合金上。根据不同合金的熔化特性进行覆盖渣的选取，具体实施方法为：通过渣金热力学计算及测试渣的粘度、熔点等物理性能以获得满足非晶合金熔炼的覆盖渣。其熔炼过程为：将装有覆盖渣的高纯石墨坩埚放入管式电阻炉中，打开电源开始升温，并通99.8％的高纯氩气保护，炉温设定至合金熔点以上100-200℃，待覆盖渣熔化后用坩埚钳将母合金依次放入石墨坩埚，合金料的尺寸要小于液态覆盖渣的高度，使得合金料始终在覆盖渣的渣液面下，从而防止了合金的氧化，应用热电偶测温及控温，待合金熔体温度升至设定炉温并保温15-30分钟即完成了非晶母合金的大气下熔炼。
一种真空条件下熔炼非晶母合金方法

[发明专利]一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法-CN201510678412.5在审
发明人：董永军;华伟;陈伟 -专利权人：南京光宝光电科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法，属于晶体生长技术领域。其晶体生长后期的降温过程中，保持晶体与剩余熔体接触，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得生长余料不撑大坩埚。采用本发明进行提拉法晶体生长时，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得剩余的生长余料不撑大坩埚，便于取出余料，大大延长了铱金坩埚的使用寿命，降低了损耗，节约了成本。
一种提拉法生长晶体过程保护坩埚方法

[发明专利]转动拉晶机坩埚的装置和方法-CN96107945.2无效
发明人：史蒂芬·L·金贝尔;哈罗德·W·科布;辛西亚·F·霍尔 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-06-07 - 公布日： 1998-01-28 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：装置具有装有熔液的坩埚、从熔液中拉制出半导体晶体的拉晶机构、与坩埚联接的马达和激励马达以使坩埚作变速旋转的控制电路。控制电路在拉晶机构至少从坩埚内熔液中拉制出部分半导体晶体时可激励马达以使坩埚作连续变加速和连续变转速旋转。控制电路还可激励马达以使坩埚作单纯的增速和减速旋转。
转动拉晶机坩埚装置方法

[发明专利]用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法-CN201580014648.7有效
发明人：彼德·L·凯勒曼;菲德梨克·M·卡尔森;大卫·莫雷尔;阿拉·莫瑞迪亚;南帝斯·德塞 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流，所以表面的热流会受规范。
用于控制体内热流装置及其处理方法

[发明专利]使用不平衡的磁场和共转来控制生长硅晶体的熔体-固体界面形状-CN200980125319.4无效
发明人： H·斯里德哈拉默西;M·S·库尔卡尼;R·G·施伦克;J·C·侯泽;H·W·科布 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：一种有助于控制熔体-固体界面的形状的生长硅晶体的系统。所述晶体生长系统包括被加热的坩埚，所述被加热的坩埚包括用于从其根据卓克拉尔斯基工艺生长单晶锭的半导体熔体。在籽晶上生长从所述熔体拉拔的所述锭。所述方法包括：将不平衡的会切磁场施加到所述熔体；以及在从所述熔体拉拔所述锭的同时沿相同方向旋转所述锭和所述坩埚。
使用不平衡磁场共转来控制生长晶体固体界面形状

[发明专利]用于应用在坩埚牵引法中的熔锅及其制造方法及用玻璃制造圆柱形构件的垂直坩埚牵引法-CN201910833368.9在审
发明人： T·盖佩尔;B·格罗曼;N·惠比 -专利权人：贺利氏石英玻璃有限两合公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C03B5/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于应用在坩埚牵引法中的熔锅及其制造方法及用玻璃制造圆柱形构件的垂直坩埚牵引法。已知的用于应用在坩埚牵引法中的熔锅具有沿坩埚纵轴从包含至少一个底部出口的底部延伸至填注口的坩埚壁部，其界定坩埚内腔。为了以此为基础提出一种低成本的熔锅，本发明提出，所述坩埚壁部采用多组件式实施方案，其中所述坩埚壁部沿纵轴方向视之由至少一个下部壁成型件和一个上部壁成型件组成，其中所述下部与上部壁成型件在接合处上相连。
用于应用坩埚牵引中的及其制造方法玻璃圆柱形构件垂直

[实用新型]适用于高温挥发性熔盐的Raman光谱测量用坩埚-CN201621085792.8有效
发明人：马楠;尤静林;解迎芳;王敏;王建 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于高温挥发性熔盐的Raman光谱测量用坩埚，包括坩埚主体、防挥发用透明石英片和坩埚盖，坩埚主体为圆筒形结构，坩埚主体内中部设有一样品池，样品池上方设有一可以放入透明石英片的圆柱形凹槽；坩埚盖中部设有一通孔。本实用新型坩埚避免了传统的样品池中试样挥发对熔盐成分的影响，从而提高实验的精确度，采用透明石英片能有效抑制样品挥发，石英片上方的坩埚盖也可在样品熔融状态下压住翻滚的熔盐，避免样品挥发对镜头造成污染。
适用于高温挥发性 raman 光谱测量坩埚

[发明专利]用于太阳能级多晶硅制备中的坩埚涂层与其制法及坩埚-CN201010523225.7无效
发明人：史珺;宗卫峰;程素玲 -专利权人：上海普罗新能源有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能级多晶硅制备中的坩埚涂层与其制法及坩埚。该坩埚涂层主要是由二氧化硅、氢氧化钡和水为原料制成。该涂层的制法包括：将二氧化硅和氢氧化钡粉末混合后，加入去离子水调匀，喷涂于坩埚本体内壁，烘干后，烧结即得。该坩埚，包括石英材质的坩埚本体，其中，坩埚本体的内壁涂覆了一层如上所述的坩埚涂层。本发明是一种有效的石英坩埚涂层，涂覆了该涂层的坩埚可成功用于太阳能级多晶硅的熔炼、提纯和铸锭，有效阻止硅熔体与坩埚材料之间的反应，避免坩埚材料对硅熔体的污染及铸锭与坩埚之间的粘连。同时利用涂层成分与硅熔体及其中杂质之间的化学反应，对杂质的去除做出一定贡献。
用于太阳能级多晶制备中的坩埚涂层与其制法

[实用新型]一种氧化锆晶体生产装置-CN201820242152.6有效
发明人：陈珍富;郑炳林;唐大林 -专利权人：四川省久宝晶体科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化锆晶体生产装置，它包括坩埚和高频线圈，坩埚套设在高频线圈内可上下移动，所述坩埚包括内部中空的坩埚盖和坩埚底以及由数根紫铜管排列形成的坩埚壁，坩埚盖的顶部开设有冷却水进口，坩埚底的底部开设有冷却水出口，紫铜管与坩埚盖和坩埚底连通，所述坩埚内设置有测温探头，测温探头连接温控器，所述高频线圈与高频控制柜连接，温控器与高频控制柜电连接。本实用新型通过安装测温探头实时监控坩埚内的温度数据，科学控制熔料过程，从而有科学根据的对生产过程中的不足作出调整，不再凭经验判断，使氧化锆的生产工艺更加完善，坩埚内的粉料经过均衡的温度调节熔料，使炉内熔料能够充分均匀的熔化
坩埚测温探头高频线圈坩埚盖熔料本实用新型高频控制柜氧化锆晶体生产装置温控器紫铜管熔化可上下移动冷却水出口冷却水进口成品品质经验判断内部中空生产过程实时监控温度调节温度数据电连接氧化锆坩埚壁坩埚套生产工艺粉料炉内连通均衡

[发明专利]用于抑制坩埚中的熔体流动的堰体-CN201380065895.0有效
发明人： T·N·斯瓦米纳坦 -专利权人：爱迪生太阳能公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C03B15/12 文献下载
摘要：一种用于生长晶锭的系统，包括坩埚和堰体。坩埚具有用于在其中容纳硅熔体的基部和侧壁。堰体定位成沿着坩埚的基部从坩埚的侧壁向内。堰体具有与至少一对支柱相连接的主体，支柱被布置成抑制硅熔体在支柱之间的运动。
坩埚堰体硅熔体侧壁基部熔体流动生长晶锭向内容纳

[发明专利]一种镁合金熔体复合精炼实现装置及方法-CN202210715421.7在审
发明人：房宇;邹文兵;余国康;何凯;崔恩强;秦守益;陈斌;秦康 -专利权人：上海航天精密机械研究所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁合金熔体复合精炼实现装置及方法，其中，该装置包括：旋转吹气单元、熔剂输送单元、温控单元、控制单元和坩埚；其中，坩埚的内部盛有金属熔体；旋转吹气单元包括传动组件和通气组件，传动组件用于对金属熔体进行搅拌；通气组件用于向金属熔体中供给稀有气体；熔剂输送单元用于向坩埚内加入熔剂；温控单元用于将坩埚内的金属熔体的温度实时控制在预设温度范围内；控制单元分别与旋转喷吹单元和温控单元相连接，控制单元控制温控单元以控制坩埚内的金属熔体的温度在预设温度范围内
一种镁合金复合精炼实现装置方法

[发明专利]去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置-CN202310004462.X在审
发明人：王宇;王博;冯德伸;于鹏涛;林泉;李燕;雷同光 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置，其中去除锗单晶熔体浮渣的装置包括单晶炉、升降装置、坩埚、加热装置、调节装置以及石墨环；升降装置设于所述单晶炉内；坩埚与所述升降装置连接，所述升降装置用于调节所述坩埚的高度；加热装置环设于所述坩埚外；调节装置设于所述单晶炉内；石墨环与所述调节装置连接，所述调节装置控制所述石墨环在上下方向的位置。本发明提供的去除锗单晶熔体浮渣的装置，通过使坩埚内壁温度和熔体温度形成温度差，有效的收集浮渣，石墨环将浮渣与锗晶体完全隔离，浮渣无法进入石墨环的内环，提高了锗晶体的成晶率。
去除锗单晶熔体浮渣方法装置

[发明专利]工业硅精炼除硼的方法和系统-CN201910906038.8有效
发明人：吴志能;王鹏;周政;李向东;谌庆春;廖添;胡三元 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提出了工业硅精炼除硼的方法和系统，所述方法包括：(1)将造渣剂加入石墨坩埚中进行加热至熔化，以便获得造渣剂熔体；(2)将硅粉和氩气由所述石墨坩埚内的底部加入，所述硅粉熔化形成硅熔体并从底部上升至所述造渣剂熔体顶部；(3)反应完全后，将所述石墨坩埚内的造渣剂熔体由所述石墨坩埚底部的出料管道排出；以及(4)将所述硅熔体从所述石墨坩埚上部的浇嘴排出至水中，收集硅颗粒。
工业精炼方法系统

[实用新型]一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置-CN201620582454.9有效
发明人：薛卫明;马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置，所述装置包括一坩埚、模具、坩埚盖、气泡收集器和高频激励装置；还包括一支撑组件，所述支撑组件设于坩埚底端，且通过该支撑组件将清除蓝宝石晶体熔体料中气泡的装置固定于晶体生长炉内本实用新型的优点在于：本实用新型的清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置，利用高频振动对气泡收集器上的气泡形成共振效应，快速有效的迫使气泡收集器上的气泡脱离，并上浮到熔体液面上方；可有效清除原料中气泡，降低坩埚内熔料的气体含量，最大程度确保坩埚内原料清洁，进而提高晶体成品质量。
一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置