专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于制备准单晶硅铸锭的坩埚及准单晶硅铸锭的生长方法-CN201110265043.9无效
  • 史珺;宗卫峰;程素玲 - 上海普罗新能源有限公司
  • 2011-09-08 - 2013-03-27 - C30B11/00
  • 本发明公开了一种用于制备准单晶硅铸锭的坩埚,其底部内壁具有规则的空间分布的三维几何形状,规则的空间分布的三维几何形状由同一形状的凹坑在二维空间复制排列而形成;凹坑由空心的倒立棱锥、空心的第一倒立棱台和空心的第二倒立棱台组成,第二倒立棱台、第一倒立棱台和倒立棱锥自上而下相互连通。本发明还公开了一种利用所述坩埚生长准单晶硅铸锭的方法。本发明能够提高铸锭质量,增大晶粒尺寸,提高晶粒均匀度,促进晶粒垂直生长,减少晶界数量和晶界处杂质,使硅锭晶粒的尺寸增大至与硅电池片尺寸一致,切片后得到的单个电池晶体为准单晶体,实现采用低成本方式制备准单晶结构的硅电池片,降低了电池片的成本,提高了电池片的效率。
  • 用于制备单晶硅铸锭坩埚生长方法
  • [发明专利]多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法-CN201110089125.2无效
  • 史珺;宗卫峰;水川;佟晨;程素玲 - 上海普罗新能源有限公司
  • 2011-04-11 - 2012-10-17 - C30B28/06
  • 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉,炉体包括上炉盖、炉身和炉底,炉底和炉身采用液压连接;所述保温体为立方形,保温体包括上保温体和下保温体;石墨平台位于保温体中,四个坩埚放置于石墨平台上;上加热体和下加热体都位于所述保温体中,且上加热体位于上保温体的顶面下方、下加热体位于石墨平台下方,上加热体和上保温体固定在一起并固定于炉身上,下加热体和下保温体固定在一起并能一起和上保温体分开并向下移动。本发明还公开了一种多晶硅铸锭方法。本发明能成倍地提高单个铸锭炉产量、并能保证质量良好,能提高现有设备的使用率并能节省设备投资成本,能够节能、节水和节气。
  • 多晶铸锭方法
  • [发明专利]多晶硅铸锭炉的坩埚平台-CN201010554762.8无效
  • 史珺;程素玲 - 上海普罗新能源有限公司
  • 2010-11-23 - 2012-05-30 - C30B28/06
  • 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉的坩埚平台,坩埚平台底部为一凹坑结构,凹坑结构为一球冠形、凹坑结构的沿中心正视剖面图为一圆弧形,或者凹坑结构为由离散化台阶组成的具有球冠形轮廓的凹坑、凹坑结构的沿中心正视剖面图为一由离散化台阶组成的具有圆弧形轮廓的曲线,凹坑结构使坩埚平台的厚度从凹坑结构的中心往凹坑结构的边缘逐渐增加。本发明能有效地抑制坩埚平台中心和外围温度不均衡的情况,在整个晶体生长过程中,能够保持坩埚底部的边缘与中心的温度误差在2℃以内,保证坩埚底部的等温面为平面,从而能有效地保证晶体生长时的固液界面为水平并保证多晶硅铸锭时能够形成垂直生长的柱状晶。
  • 多晶铸锭坩埚平台
  • [发明专利]用于太阳能级多晶硅制备中的坩埚涂层与其制法及坩埚-CN201010523225.7无效
  • 史珺;宗卫峰;程素玲 - 上海普罗新能源有限公司
  • 2010-10-28 - 2012-05-16 - C30B15/10
  • 本发明公开了一种用于太阳能级多晶硅制备中的坩埚涂层与其制法及坩埚。该坩埚涂层主要是由二氧化硅、氢氧化钡和水为原料制成。该涂层的制法包括:将二氧化硅和氢氧化钡粉末混合后,加入去离子水调匀,喷涂于坩埚本体内壁,烘干后,烧结即得。该坩埚,包括石英材质的坩埚本体,其中,坩埚本体的内壁涂覆了一层如上所述的坩埚涂层。本发明是一种有效的石英坩埚涂层,涂覆了该涂层的坩埚可成功用于太阳能级多晶硅的熔炼、提纯和铸锭,有效阻止硅熔体与坩埚材料之间的反应,避免坩埚材料对硅熔体的污染及铸锭与坩埚之间的粘连。同时利用涂层成分与硅熔体及其中杂质之间的化学反应,对杂质的去除做出一定贡献。
  • 用于太阳能级多晶制备中的坩埚涂层与其制法

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