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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]熔丝结构-CN201510573555.X在审
发明人：汪义 -专利权人：上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种熔丝结构，包括电介质层和熔丝，其中该熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。本发明的熔丝结构的益处至少在于可以增加熔丝结构所占据的空间位置，增加熔丝有效长度，增加熔丝的熔断可靠性。
结构

[发明专利]熔丝结构-CN201610395613.9在审
发明人：吴显扬;龚威菖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。
结构

[发明专利]熔丝结构-CN201010514753.6无效
发明人：吴显扬;龚威菖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。
结构

[发明专利]熔丝结构-CN202210905583.7在审
发明人：张敦仁;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种熔丝结构。熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上
结构

[发明专利]熔丝结构-CN201110213509.0无效
发明人：周桂华;张镭 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种熔丝结构，包括熔丝和与熔丝电连接的焊垫，所述熔丝位于芯片内，所述芯片位于晶圆上，所述焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道上。本技术方案可以减少在芯片内的焊垫的数量，有利于减小芯片面积。
结构

[实用新型]熔丝结构-CN201420370890.0有效
发明人：李晓华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种熔丝结构。所述熔丝结构包括呈螺旋结构的第一金属和第二金属，所述第一金属和第二金属分别位于不同的金属层中，所述第一金属和第二金属的螺旋中心点通过一熔断部连接。利用螺旋结构的第一金属和第二金属，能够有效的使得连接螺旋中心点的熔断部具有在熔丝结构中的最高温度，从而使得熔断部熔断的成功率提高。
结构

[发明专利]熔丝结构-CN200480020282.6有效
发明人： S·E·莱;T·P·阿巴迪拉;D·W·舒尔特;T·麦马洪 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：描述了一种熔丝结构。所述熔丝结构(40，50，60，70)包括适合耦合至电压源的第一区域，适合耦合至地面的第二区域，以及配置在第一和第二区域之间的电流区域。所述电流区域具有由于电流区域内的电流积聚而使得空隙在局部加热的点断开，并使得所述空隙在所述电流区域上扩展的结构。
结构

[发明专利]半导体结构-CN201811548197.7有效
发明人：杨仓博;林瑄智;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，其包含第一反熔丝结构、第二反熔丝结构及第一金属层。第二反熔丝结构设置于第一反熔丝结构之上。第一金属层位于第一反熔丝结构与第二反熔丝结构之间。第一接触点设置于第一反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第一反熔丝结构与第一金属层。第二接触点设置于第二反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第二反熔丝结构与第一金属层。本发明的半导体结构可以通过以垂直堆叠而非水平排列的反熔丝结构来减少反熔丝结构所需的空间。因此，可以增加半导体装置的集成度(integration)。
半导体结构

[发明专利]基于CMOS工艺的电可编程熔丝结构及其制备方法-CN202210644279.1在审
发明人：何康;蒋德舟;吴哲佳 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种基于CMOS工艺的电可编程熔丝结构及其制备方法，该电可编程熔丝结构由下至上包括：半导体衬底、本征多晶硅层及金属硅化物层；由前向后依次包括：熔丝结构阳极、熔丝结构本体及熔丝结构阴极；其中，熔丝结构本体的宽度小于熔丝结构阳极及熔丝结构阴极本发明的电可编程熔丝结构只要实现对金属硅化物层的熔断即可实现编程过程，有效降低了过编程造成的不良影响，同时几乎不影响初始阻值和对初始编程电流的要求，最大化提高熔丝结构的可用性和可靠性；另外，不易产生溅射，造成污染，易于小型化集成；最后，该结构可与现有的CMOS工艺完全兼容，具有高鲁棒性，利于规模化生产。
基于 cmos 工艺可编程结构及其制备方法

[发明专利]熔丝单元及其编程方法-CN200880000002.3有效
发明人：邝国权;温皓明;温锦泉;吴植伟 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明的熔丝单元结构371采用一个多熔丝结构301、302构造而不是一个单熔丝结构。这样，在施加编程电压到熔丝焊盘311过程中，这些连接到其它晶片上器件的熔丝结构终端，总是在接地电势上。这种方法能够克服先前的单熔丝问题，因为施加一个足够高的编程电压来烧断格外高电阻的熔丝结构，而不会损坏附近的晶片上器件。此外，即使熔丝结构301、302中的一个熔丝结构有一个格外高的电阻，其在通常条件下不会被烧断，但是由于烧断了在熔丝单元371内的其它熔丝结构，仍然可以获得期望的电路微调结果。
单元及其编程方法

[发明专利]一种硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器-CN202310052454.2在审
发明人：李光;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基微显示器的像素点修复电路，包括熔丝结构1和反熔丝结构2，所述熔丝结构1串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构2连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构1和或反熔丝结构2来实现对于像素点的修复。本发明的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率
一种硅基微显示器像素修复电路

[实用新型]硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器-CN202320102914.3有效
发明人：李光;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器，包括熔丝结构(1)和反熔丝结构(2)，所述熔丝结构(1)串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构(2)连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构(1)和/或反熔丝结构(2)来实现对于像素点的修复。本实用新型的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率
硅基微显示器像素修复电路

[发明专利]一种电可编程熔丝结构及电子装置-CN201710444113.4在审
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种电可编程熔丝结构。所述电可编程熔丝结构包括：编程晶体管；焊盘，与所述编程晶体管的漏极电连接；熔丝结构，设置于所述编程晶体管和所述焊盘之间；加热单元，并联设置于所述熔丝结构的两端并且所述加热单元设置于所述熔丝结构的下方。在增加所述加热单元之后所述加热单元可以在所述熔丝结构的下方进行加热从而帮助所述熔丝结构编程，通过所述加热单元的设置可以使所述器件具有更短的编程时间，进一步提高了器件的性能和良率。
加热单元熔丝结构电可编程熔丝编程晶体管焊盘编程并联设置电子装置电连接良率漏极加热帮助

[发明专利]电熔丝结构及其形成方法-CN202010211812.6在审
发明人：李晓华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：熔丝链，包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；分别与所述电极区连接的多个分立的插塞，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸上述的方案，可以提升电熔丝结构的性能。
电熔丝结构及其形成方法

[发明专利]电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法-CN201310231978.4有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。其中，在电熔丝结构的形成方法中，先在半导体衬底上形成纳米线，之后刻蚀部分厚度的衬底，使所述纳米线凸起于半导体衬底表面，再在所述纳米线的两端掺杂离子，以形成电熔丝结构。上述技术方案方法简单，形成的电熔丝结构新颖，实现了形成的电熔丝结构的多样性。
电熔丝结构及其形成方法半导体器件

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