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[发明专利]应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法-CN202010883487.8在审
发明人：吴志明;徐雯;向梓豪;白宇昕;石沅林;陈鹏宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)以附有金属钽片的金属钒靶为复合靶材，采用直流反应磁控溅射对基片进行溅射，制备掺钽氧化钒薄膜；(2)将掺钽氧化钒薄膜在富氧气氛下进行高温退火处理得应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜；本发明的有益效果为：本发明所述一种应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法所得氧化钒薄膜用高纯金属钒靶以及高纯金属钽片贴片掺杂的方式制备，工艺简单；所得氧化钒薄膜具有极窄回线宽度
应用于 thz 调制极窄热滞回线氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法-CN201310496560.6有效
发明人：金平实;曹逊;周怀娟;姜萌;罗宏杰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料是以金属钒、金属M、和金属N为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行磁控溅射而在衬底上形成的V2-x-yMxNyO3薄膜，其中x为0.2以下且大于零，y为0.2以下且大于零，其中掺杂元素M为W、Mo、Mg、Sb、Nb、和/或Al，掺杂元素N为Ti、Cr、和/或Zn，所述薄膜材料在80K～225K之间具有无热滞的电阻-温度回线。本发明的薄膜材料基于低成本的三氧化二钒基薄膜材料，通过调控元素掺杂含量，在基本不改变薄膜热色性能的前提下，达到消除V2O3薄膜热滞回线的目的，可望应用于低温温度计或低温空间红外探测。
一种低温电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法

[实用新型]一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路-CN201921280461.3有效
发明人：杨盘柱;杨小兵;闵睿 -专利权人：贵州辰矽电子科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，包括温度检测电路、基准电压电路、电压比较器电路、热滞回电路和输出级电路，温度检测电路与电压比较器电路负端相连，电压比较器电路与输出级电路相连，输出级电路与热滞回电路相连，热滞回电路与基准电压电路相连，基准电压电路与电压比较器电路正端相连。本实用新型增加带热滞回电路的低功耗过温保护电路，电路结构简单功耗低，占用芯片面积小，并且能实现热滞回功能；解决了现有技术的过温保护电路功耗过大、在过热点附件会产生热振荡和引起误操作等技术问题，并且减小了工艺难度和降低了成本
电压比较器电路滞回电路过温保护电路基准电压电路输出级电路温度检测电路本实用新型低功耗功耗电路结构工艺难度过热点热振荡误操作负端减小正端芯片占用

[发明专利]一种过温保护电路-CN201510454508.3有效
发明人：乔明;陈钢;李妍月;李阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，NPN晶体管Q0为控制开关管，滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管，通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回，且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小，本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用器件数量少，输出精度高，能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，且具有温度滞回功能，滞回温度设置灵活，防止热振荡现象的产生，非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。
一种保护电路

[发明专利]一种MEMS惯性系统温度滞回误差分析方法-CN202210934517.2在审
发明人：施芹;黄锦阳;裘安萍;赵阳;夏国明 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种MEMS惯性系统的温度滞回误差分析方法，针对MEMS惯性器件温度滞回误差的两个来源，温度表征值与温度真值之间的温度差导致的温度延迟和惯性系统的安装和封装应力热迟滞效应，通过在惯性器件内集成温度传感器，比较不同安装状态下惯性系统输出与温度的关系，对系统各个组成部分及安装环节对温度滞回误差的影响进行分离，排除由于温度表征点和MEMS惯性传感器芯片存在物理距离造成的热传递延迟现象，能够准确定位温度滞回误差的来源
一种 mems 惯性系统温度误差分析方法

[发明专利]一种电滞回线测量系统及方法-CN202111589780.4在审
发明人：陈缔;蒋大梅;邓世捷;李家杨;褚祥诚 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种电滞回线测量系统，包括电源模块、待测样品、测试电路以及处理模块，电源模块用于往待测样品输出测试电压，处理模块用于根据测试电压、待测样品的单层厚度、待测样品的等效截面积、测试电路的反馈电压以及测试电路的电容值获取待测样品的电滞回线本发明可以提高待测样品电滞回线的测量精度，解决了在现有的电滞回线测试电路中，由于标准电容的值一般为定值，其往往无法对不同电容值的待测样品进行测试，缺乏变通性的问题。相应地，本发明还提供一种电滞回线测量方法。
一种电滞回线测量系统方法

[发明专利]铁电薄膜电滞回线的测量补偿方法-CN200610200689.8无效
发明人：董维杰;崔岩;王兢;白凤仙 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2006-07-17 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于薄膜测试和测量技术领域，涉及到铁电薄膜和压电薄膜电滞回线的测量补偿方法。其特征为：电滞回线测量补偿系统由计算机、数据采集卡、高压放大模块和改进的有源Sawyer－Tower电路组成；根据漏电阻和线性电容对电滞回线的影响关于激励电压正峰值时刻奇对称和偶对称，直接计算漏电阻和线性电容；校正后的本征电滞回线通过计算机显示并存贮。铁电薄膜两端电压等于激励电压，不受取样电容的分压影响；由最大激励电压及相邻两点的输入、输出采样数据直接计算漏电阻和线性电容，不需要预先测量或者估计漏电阻和线性电容值，消除了人为主观因素影响，提高了铁电薄膜电滞回线的测量精度和速度
薄膜电滞回线测量补偿方法

[实用新型]同步源相位的远距离有线传输系统-CN201820436664.6有效
发明人：孙文娟;曲健;张磊;王现峰 -专利权人：青岛华电高压电气有限公司;青岛汉缆股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及局部放电检测技术领域,具体涉及一种同步源相位的远距离有线传输系统，包括电压互感器、第一滞回比较器、第二滞回比较器、多路选通器、发送芯片、传输线和接收芯片；所述电压互感器用于采集系统的电源信号，与第一滞回比较器电连接，所述第二滞回比较器用于输入外部电源信号，所述第一滞回比较器和第二滞回比较器分别与多路选通器电连接，多路选通器与发送芯片电连接，发送芯片和接收芯片之间通过传输线电连接，接收芯片输出相位信号
滞回比较器电连接多路选通器发送芯片接收芯片传输线本实用新型电压互感器传输系统同步源远距离局部放电检测局部放电现象外部电源信号采集系统电源信号局部放电输出相位源端

[发明专利]一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法-CN202111119651.9在审
发明人：朱睿健;王增梅;时雪如;邹雪雪;申亚宁;吴心怡;刘佳琦 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法，该方法的过程为：铁电材料固定在探针台上，将两个探针压在铁电材料的两处，通过半导体参数分析仪测量不同偏压下两点间的电容，得到CV曲线，然后CV曲线将电容信号分离为漏导信号、线性极化电容、铁电极化电容三部分，经过处理得到铁电薄膜任意两点间的铁电极化电容‑偏压曲线，即为电滞回线。该方法不需要进行电极制备并浸在硅油中，大大简化测量过程；可测量铁电薄膜表面任意两点间的电滞回线，得到水平方向的极化信息，也可以测量铁电纳米材料的电滞回线，也可以在测量的同时施加光照，应力等外场进行原位测量，大大拓展了铁电材料电滞回线测量范围。
一种电极材料任意两点间电滞回线测量方法

[发明专利]一种极化定常性铁电薄膜的分析方法及制备方法-CN202211310691.6在审
发明人：廖敏;唐艺玮;曾斌建 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化定常性铁电薄膜的分析方法及制备方法，涉及铁电薄膜技术领域，本发明包括以下步骤：制备铁电电容器；对所述铁电电容器进行电学性能测试，得到所述铁电电容器唤醒后的第一电滞回线和第一介电常数；对唤醒后的铁电电容器施加去极化电场，并进行静置处理；获取静置处理后铁电电容器的第二电滞回线和第二介电常数；分析第一电滞回线和第二电滞回线，确定电荷漂移或扩散对极化的影响。
一种极化常性薄膜分析方法制备

[发明专利]测量铁电体电滞回线的实验装置-CN03158338.5无效
发明人：于瑶;胡立群;江洪建;周惠君;周进 -专利权人：南京大学
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G01R33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种以价廉、极化电压低的材料作为样品来测量电滞回线的实验装置，它将放置在样品架中的样品、电容和电源串联连接；电阻R1和电阻R2串联在一起并与电源并联连接；电阻R2两端的极化电压信号和电容两端的电压信号通过模数转换电路进入计算机系统处理本发明解决了目前国内各高校在物理教学实验中，没有适合教学要求的铁电体电滞回线的实验测量仪器的状况。它实验数据稳定，重复性好，可以方便、完整地绘制出电滞回线，本发明广泛应用于测量铁电体电滞回线的物理实验中。
测量铁电体电滞回线实验装置

[发明专利]一种同时测量铁电材料电滞回线和应变回线的方法及装置-CN200910085485.8无效
发明人：张勇;李继威;黄春林;邓长生;戴遐明 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时测量铁电材料电滞回线和应变回线的方法和装置，测量装置包括测试信号输出、电滞回线测试、应变回线测试以及设备控制与数据采集处理四部分。信号发生器产生的波形信号经高压放大器放大后施加于待测样品和标准电容组成的串联回路中，标准电容两端的电压信号通过阻抗放大器输入到采集卡中；同时将LVDT位移传感器探测到的应变信号输入到数据采集卡；并通过计算机得到电滞回线和应变回线本发明解决了目前国内铁电压电材料研究中，没有同时测量电滞回线和应变回线仪器的状况。它实验数据稳定，效率高，同时具有较好的自定义性和扩展性，可以大大节省实验时间。
一种同时测量材料电滞回线应变方法装置

[发明专利]热滞回线可调控的二氧化钒薄膜的制备方法-CN202011166908.1在审
发明人：储新宏;张小明;郭兵锋;刘健平;余济海;陶海征;梁瑞 -专利权人：宜春学院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种热滞回线可调控的二氧化钒薄膜的制备方法，是首先在基衬上制备金属钒薄膜，然后置于真空气氛炉中氧化退火，通过协同控制退火气压10Pa~3000Pa、退火温度300℃~550℃、升温速率5~20℃/min、退火时间0~90min等退火参数，及施行低压二次退火处理的方法，控制二氧化钒薄膜的晶粒尺寸、晶界数量、氧空位数量、15~20nm以下微晶数量、粒径分布、界面能等性能影响因素，获得热滞回线可调控的二氧化钒薄膜其满足热敏光敏元件、激光致盲防护装置、生物传感器、气体探测器、智能窗等不同领域对不同热致变色性能的二氧化钒薄膜的需求提供了简单可靠的制备方法。
热滞回线可调控氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种调节热滞回线宽度的方法-CN201410115235.5有效
发明人：高彦峰;韩朋刚;陈石;曹传祥;罗宏杰;金平实 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节热滞回线宽度的方法，在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素M以使获得的化学组成为V1‑xMxO2 的二氧化钒粉体的热滞回线宽度在1～30℃之间连续可调，其中，0<
一种调节热滞回线宽度方法

[发明专利]一种高效两线制电源调制总线及其实现方法-CN200810204332.6有效
发明人：宋奕;郭兆斌;刘荣鑫 -专利权人：上海复展电子科技有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：本发明提供一种高效两线制电源调制总线及其实现方法，属于电子、电路领域。该调制总线包括用以提供电源及调制信号的两条总线，还包括有采样电路，滞回反馈电路，低通滤波电路，信号比较器。本发明利用输入到信号比较器上的滞回反馈电路，通过增加滞回反馈电压，可实现滞回反馈电路的跟随效应，使得该电源总线在实现数据信号传输时，抗干扰能力更强、错码率更低、信号传输速率更高。
一种高效两线制电源调制总线及其实现方法

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