专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]激光氮化设备-CN201620825690.9有效
  • 张翀昊;樊宇;倪春阳 - 常州天正工业发展股份有限公司
  • 2016-07-29 - 2018-01-05 - C23C8/36
  • 本实用新型公开了一种激光氮化设备,它包括机床、固定设置在机床上并用于装设待加工工件的激光氮化盒、能够分别沿X轴、Y轴、Z轴移动地设置在机床上的激光硬化头,X轴、Y轴、Z轴两两垂直设置。本实用新型激光氮化设备为数控激光氮化成套设备,在使用其对工件进行激光氮化时,将工件固定在激光氮化盒内,并向激光氮化盒内输入一定压力的氮气(或其他能够应用于激光氮化的混合气体,一下简称为混合气体),氮气(或混合气体)通过电加热棒加热到所需的温度,机床按照数控系统预先设定的程序,带动激光硬化头运动,激光激光硬化头射出,透过耐高温高压玻璃窗照射到激光氮化盒上的工件表面,促使氮气离子化并与工件表面发生氮化反应
  • 激光氮化设备
  • [发明专利]一种基于氮化硅陶瓷的激光光源封装方法-CN202211289472.4在审
  • 林伟毅;林武城;刘卫平;陈智 - 福建镓镒半导体材料有限公司
  • 2022-10-20 - 2022-12-30 - H01S5/02
  • 本发明公开了一种基于氮化硅陶瓷的激光光源封装方法,涉及激光光源封装技术领域,包括有氮化硅陶瓷、激光芯片、银粉树脂胶、氧化铝、环氧树脂及N‑甲基吡咯烷酮原料组成;光源封装步骤如下:首先将氮化硅陶瓷的激光,在其激光腔内的氮化硅陶瓷表面,利用螺旋测微量具测量出其中心点的位置;该基于氮化硅陶瓷的激光光源封装方法,通过采用螺旋测微量具测量出氮化硅陶瓷电路极板的中心点的位置,用银粉树脂胶标记及利用激光光源投影技术稳定光斑线路,实现了氮化硅陶瓷的激光垫板与封筒框对齐封装,激光光线不会造成偏移的功能;达到了基于氮化硅陶瓷的激光光源封装的品质高,封装效果好,节省成本及拓宽市场使用的效果。
  • 一种基于氮化陶瓷激光光源封装方法
  • [发明专利]一种氮化镓基外延膜的制备方法-CN200810070780.1无效
  • 刘宝林;黄瑾;郑清洪 - 厦门大学
  • 2008-03-19 - 2008-08-20 - H01L21/20
  • 一种氮化镓基外延膜的制备方法,涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化激光剥离的速率,降低氮化激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜,将其P面粘在衬底支撑材料上,或用金属键合在衬底支撑材料上;设定电动平台的行进速度;将外延膜固定在载物玻璃上,放入真空室中抽真空;调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小,激光束照射到外延膜背面,激光光斑扫描外延膜,使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解,氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离;激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后,关闭真空泵;将外延膜浸入盐酸,去除氮化镓和蓝宝石表面的镓
  • 一种氮化外延制备方法
  • [发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200910204064.2有效
  • 高平宜幸 - 夏普株式会社
  • 2009-10-12 - 2010-06-09 - H01S5/00
  • 本发明提供一种能够解决在固定构件上安装氮化物半导体激光元件的结构中的成品率下降问题的半导体激光装置及其制造方法。该氮化物半导体激光装置具备:子固定件(2);和利用焊锡(4)被安装在子固定件(2)的表面且氮化物半导体从侧面露出的氮化物半导体激光元件(1)。焊锡(4)位于子固定件(2)与氮化物半导体激光元件(1)之间,且具有比氮化物半导体激光元件(1)的横宽(W4)窄的宽度(W3)。
  • 半导体激光装置及其制造方法
  • [发明专利]一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质-CN202310445602.7有效
  • 郭芬;索曌君 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2023-04-24 - 2023-07-21 - H01L21/78
  • 本发明属于半导体领域,具体涉及一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质。其中方法包括:在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体;响应于所述金属层沉积完成,通过激光剥离所述氮化镓复合体上的衬底,并通过预定方式洗去所述氮化镓复合体上的金属层得到氮化镓材料。通过本发明提供的一种氮化镓材料的激光剥离方法,在Fe掺杂的氮化镓材料上添加一层金属层之后再对氮化镓材料上的衬底进行激光剥离,借助金属层的高延展性,可在激光剥离过程中,有效吸收GaN热分解生成N氮化镓材料成形的良品率以及氮化镓材料的品质。
  • 一种氮化材料激光剥离方法设备介质
  • [发明专利]一种氮化镓衬底剥离方法-CN202210159444.4有效
  • 郭芬;苏康;满宏涛;李拓 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2022-02-22 - 2022-05-13 - H01L21/335
  • 本申请公开了一种氮化镓衬底剥离方法,包括:获取上表面直接生长有氮化镓外延结构的氮化镓衬底;利用激光光束经外延结构对氮化镓衬底内部进行扫描照射,在氮化镓衬底内产生分解层;激光光束为脉冲宽度小于10‑15s量级的激光,分解层与氮化镓衬底的上表面的距离小于氮化镓衬底的厚度;将氮化镓衬底在分解层处分离,得到剥离后氮化镓衬底和半导体器件。本申请在由氮化镓外延结构到氮化镓衬底的方向上,用激光光束照射氮化镓衬底,使氮化镓衬底内部发生热分解反应,氮化镓衬底在分解层处分离,得到单纯的剥离后氮化镓衬底和半导体器件,即在得到半导体器件的同时实现了氮化镓衬底的剥离,剥离后氮化镓衬底可以重复利用,降低氮化镓衬底的成本。
  • 一种氮化衬底剥离方法
  • [发明专利]基于钛合金表面激光氮化和喷丸同步复合技术的工艺方法与装置-CN201911355535.X有效
  • 吴国龙;吴浩;姚建华;张群莉 - 浙江工业大学
  • 2019-12-25 - 2023-07-11 - C23C8/24
  • 本发明提供了一种基于钛合金表面激光氮化和喷丸同步复合技术的工艺方法与装置,本发明方法是在激光气体氮化时,同步采用高速喷射的弹丸流对尚未完全冷却的氮化层表面进行敲击,使氮化层内部产生残余压应力,以抵消氮化过程中由于受热不均匀产生的热拉应力,改善氮化层内部的应力状态,从而避免氮化层开裂;本发明在优化工艺参数的基础上,改进试验装置,将激光氮化技术和喷丸技术相结合,有效改善了激光氮化过程中氮化层内部的应力状态,制备出无裂纹的氮化层;本发明利用喷丸强化时载气在试样表面形成的一层稳定的层流,作为激光气体氮化时所需的反应气体,这使得整个强化过程可以在开放环境下进行,无需气密装置,成本低,效率高,易于工业化。
  • 基于钛合金表面激光氮化同步复合技术工艺方法装置
  • [发明专利]飞秒激光干法刻蚀加工氮化镓的方法-CN202011489533.2有效
  • 欧艳;付斯倚;李圣;钱锦文;肖逸锋;吴靓;张明华 - 湘潭大学
  • 2020-12-16 - 2023-02-03 - B23K26/362
  • 本发明涉及一种飞秒激光辅助干法刻蚀加工氮化镓的方法,该方法实现氮化镓材料微结构的制备。首先利用飞秒激光作用在氮化镓材料表面形成一个烧蚀弹坑,实现氮化镓材料局部区域改性;随后在氯气和三氯化硼混合气体的氛围中,采用感应耦合等离子体干法刻蚀的方法对飞秒激光加工后的氮化镓材料进行物理、化学刻蚀,由于飞秒激光辐照后使得氮化镓材料性质发生改变,导致感应耦合等离子体干法刻蚀对飞秒激光辐照后形成的改性区与未改性区的刻蚀速率不同,最终在飞秒激光改性区形成微结构。本发明提供了一种加工方式简单、低成本的方法加工氮化镓材料。
  • 激光刻蚀加工氮化方法

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