专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]同时测量单根微纳米线材激光吸收率和热导率的方法-CN201210436540.5有效
  • 王海东;张兴 - 清华大学
  • 2012-11-05 - 2013-02-27 - G01N25/20
  • 本发明提供了一种同时测量单根微纳米线材激光吸收率和热导率的方法,属于纳米材料物性表征的技术领域。主要特征是利用无接触式的激光拉曼测量技术对单根微纳米线材进行定位和温度标定,之后在真空环境中分别利用激光加热和电加热方法达到相等的待测样品中心温度并测量各自的加热功率。将微纳米线材的几何尺寸、中心温度和加热功率代入理论公式计算就可以同时获得待测样品的激光吸收率和热导率。该方法适用范围广,原理简单,操作方便,适用于具有特征拉曼光谱的各种不同材料、直径、长度的微纳米线材,填补了测量单根碳纳米管激光吸收率的技术空白,为实际工程应用提供宝贵的基础物性数据。
  • 同时测量单根微纳米线材激光吸收率热导率方法
  • [发明专利]非冷却光半导体装置-CN201110443630.2无效
  • 冈田规男 - 三菱电机株式会社
  • 2011-12-27 - 2012-07-18 - H01S5/026
  • 获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器(1)输出激光。电场吸收型光调制器(2)吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器(2)的电压而变化。在电场吸收型光调制器(2)吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管(4)对半导体激光器(1)的背面光进行监视。APC(AutoPowerControl)电路(5)将监视光电二极管(4)的光接收电流对供给到半导体激光器(1)的偏置电流进行反馈。偏置电路(6)将电场吸收型光调制器(2)的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器(2)的偏置电压进行反馈。
  • 冷却半导体装置
  • [发明专利]一种医用532nm绿激光发生装置-CN201410459365.0在审
  • 李胜;庞恺;夏梅;高德海 - 山东省药物研究院
  • 2014-09-10 - 2014-12-03 - H01S3/10
  • 本发明公开了一种医用532nm绿激光装置,包括绿激光器系统、反射镜一、光闸、反射镜二、耦合镜、光纤耦合器、侧出光纤和激光吸收体,反射镜一与532nm绿激光器位于同一水平线,光闸位于反射镜一正下方,反射镜二位于光闸正下方,激光吸收体设在光闸一侧,反射镜二、耦合镜、光纤耦合器和侧出光纤与生物组织设在同一水平线;光闸上贴有全反镜,有开合或闭合两种状态,闭合时,激光反射到耦合镜,耦合后的激光进入侧出光纤到达生物组织;开合时,激光反射到激光吸收体内。本发明输出的激光以侧向输出近距离作用于组织,达到精细汽化、切割,有效保护血管及神经;手术时缩,安全可靠;设备结构紧凑、体积小、噪音小、寿命长。
  • 一种医用532nm激光发生装置

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