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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]透明导电膜和制造所述透明导电膜的方法以及用于所述方法的溅射靶-CN200880008181.5无效
发明人：林一郎;小高秀文 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了适用于通过溅射法，尤其是DC溅射法、DC脉冲溅射法、AC溅射法和MF溅射法形成透明导电膜的氧化锡靶。在通过利用溅射法形成透明导电膜时要使用的溅射靶包含氧化锡作为主成分，并且包含选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的(A)组掺杂剂的至少一种元素以及铜元素作为掺杂剂。
透明导电制造方法以及用于溅射

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510107041.5有效
发明人：任明冲;杨荣;王进;张林;代玲玲;谷士斌;孟原;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以减少溅射沉积透明导电氧化物薄膜层时对非晶硅薄膜的轰击力，提高异质结太阳能电池的开路电压和短路电流密度，提高生产效率。其中异质结太阳能电池的制备方法，包括在第一导电类型非晶硅层和第二导电类型非晶硅层上分别采用第一溅射法形成第一透明导电氧化物薄膜层，第一溅射法中溅射粒子的能量低于直流磁控溅射法中溅射粒子的能量；在每层第一透明导电氧化物薄膜层上采用第二溅射法形成第二透明导电氧化物薄膜层，第二溅射法中溅射粒子的能量高于第一溅射法中溅射粒子的能量。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材-CN200780020719.X无效
发明人：小高秀文;光井彰;中釜晋 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类靶材。所述溅射靶材是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，
透明导电及其制造方法以及用于溅射

[发明专利]异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池-CN201910509075.5在审
发明人：丁蕾;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池，包括：在钙钛矿顶电池功能层上采用第一溅射法制备第一导电层，在所述第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层，第一溅射法的功率小于第二溅射法的功率本发明所采用的分步溅射法制备导电层，可以更好的保护钙钛矿顶电池功能层，不至于因为溅射功率过大而被击穿，提高了电池整备的整体良率；并且，采用本方法所制备的钙钛矿太阳能叠层电池稳定性得以提高，光电转换效率可达
钙钛矿叠层电池溅射制备太阳能第一导电层太阳能电池顶电池功能层溅射法异质结光电转换效率第二导电层溅射功率导电层击穿良率电池

[发明专利]透明导电性膜的制造方法-CN201480047600.1在审
发明人：梨木智刚;加藤久登;别府浩史;梶原大辅;高见佳史 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明是包括在基材膜上利用溅射法由含有铟-锡复合氧化物的靶形成透明导电层的工序的透明导电性膜的制造方法，所述溅射法是在溅射成膜装置的每1个溅射室具备的2个所述靶处分别连接DC电源而进行的DC双靶溅射法。
透明导电性制造方法

[发明专利]有机发光显示器及沉积法-CN200610172884.4无效
发明人：金汉基;李奎成;金敬桓;琴旻钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示器和沉积法，用于通过将Ar与比Ar气体重的惰性气体混合，利用箱式阴极溅射法或对面靶溅射法沉积电极或钝化层。本发明实施例提供一种有机发光显示器，包括：基板；形成在基板上的薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管上的第一电极；形成在第一电极上的有机层；及通过将Ar气体与比所述Ar气体重的惰性气体混合，利用箱式阴极溅射法或对面靶溅射法溅射沉积在有机层上的第二电极
有机发光显示器沉积

[发明专利]生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法-CN01808301.3有效
发明人：千田昌伸;伊藤润;千代敏明;柴田直树;浅见静代 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2001-04-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。
生产氮化物半导体装置方法

[发明专利]一种贴片型热敏电阻及其生产方法-CN201910482323.1有效
发明人：袁国安 -专利权人：广州金陶电子有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种贴片型热敏电阻，包括长方体的NTC陶瓷粒，所述NTC陶瓷粒的两端设有采用溅射法溅射贱金属制备的贱金属端头，所述NTC陶瓷粒的两端还设有包裹住贱金属端头的电镀层，所述NTC陶瓷粒的四个侧面包裹有采用溅射法溅射有机玻璃制备的玻璃保护层本发明的有益效果是：1、在NTC陶瓷粒的两端采用溅射法溅射贱金属制备贱金属端头，不仅材料成本低，而且厚度薄，并且制造过程中无有机物排出，不会因离子迁移导致可靠性低的问题；2、在NTC陶瓷粒的四个侧面包裹有采用溅射法溅射有机玻璃制备的玻璃保护层
一种贴片型热敏电阻及其生产方法

[发明专利]铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201310433349.X有效
发明人：吕文博;宋秋明;李朝晖;谭兴;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底，采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层；采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层；采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层；采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层；采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层
铜铟镓硒光吸收制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术-CN202110089120.3在审
发明人：袁国梁;乔栓虎 -专利权人：山东电盾科技股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及建筑材料技术领域，具体涉及一种利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术。所述的利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术，制备步骤为：利用磁控溅射法，在陶瓷板釉面依次形成氮化硅薄膜过渡层、铬镍膜导电层，退火得到电磁屏蔽陶瓷板。本发明提供一种利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术，制备出的电磁屏蔽陶瓷板有效屏蔽外界信号对设备影响，避免外界电场对仪器设备的影响，提高仪器设备测试精度，延长使用寿命,产品可广泛应用于医院、学校、地铁等公共场所
利用磁控溅射法制电磁屏蔽陶瓷技术

[发明专利]一种TSV通孔及其溅射工艺-CN201810759488.4在审
发明人：李春阳;于政;方梁洪;罗立辉 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV通孔及其溅射工艺，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。本发明通过调整、优化溅射功率及沉积速率，能够使溅射的阻挡层和种子层更加的连续、致密；通过电镀后的通孔填充效果，确定了阻挡层和种子层最佳溅射厚度；同时开发了种子层分步溅射法，防止种子层连续溅射过程中温度过高对芯片造成的损伤，也避免连续溅射产生的膜层异常。
溅射种子层连续溅射溅射法阻挡层致密溅射功率通孔填充电镀膜层中温沉积损伤芯片优化开发

[发明专利]一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法-CN201310099415.4有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，该方法包括如下步骤：（1）将沉积有钼层的基底加热至300～400℃，采用溅射法，调节溅射功率至30～200W，溅射得到第一层薄膜，所述第一层薄膜表面呈贫铜富锌状态；（2）调节基底的温度至400～600℃，采用溅射法，调节溅射功率至80～200W，溅射得到第二层薄膜，所述第二层薄膜表面呈富铜状态；（3）调节基底的温度为400～600℃，采用溅射法，调节溅射功率至30～200W，溅射得到第三层薄膜，所述第三层薄膜表面呈贫铜状态，得到铜锌锡硫硒薄膜。
一种合金旋转制备铜锌锡硫硒薄膜方法

[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911316635.1在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
用于硅异质结电池 ito 薄膜制备方法

[发明专利]反应性溅射法和层叠体膜的制造方法-CN201680026174.2有效
发明人：渡边宽人 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种反应性溅射法，其使非腐蚀区域沉积的颗粒沉积物、腐蚀区域产生的结瘤不易从溅射靶脱离，又能抑制电弧放电等。本发明的技术方案是：该反应性溅射法使用在真空室(10)内具备磁控溅射阴极(17)、(18)、(19)、(20)的溅射装置，并且在真空室内导入含有反应性气体的工艺气体进行成膜，所述反应性溅射法的特征在于，在反应性气体所含的水分的作用下，颗粒沉积物、结瘤变得不易从溅射靶脱离，带电的颗粒沉积物、结瘤的电荷减少而使电弧放电被抑制。
反应溅射层叠制造方法

[发明专利]一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法-CN201811535506.7在审
发明人：尹荔松;向成承;周克省;蓝键;马思琪;涂驰周 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法，该直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法采用直流磁控溅射方法制备了氧化钛薄膜电极，把磁控原理与溅射相结合，既保持了溅射的优点，又克服了溅射的缺点，具有其独特的优越性；还可以大大降低基片温度，提高了沉积率，溅射速率高，也解决了薄膜被污染的问题。
光电催化氧化直流磁控溅射钛电极溅射氧化钛薄膜电极采用直流磁控溅射磁控原理沉积率制备薄膜污染

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