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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置-CN201710104091.7有效
发明人：李明晖;杨晓峰;吕耀军;张超;王彬;李桂 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置，涉及湿法刻蚀技术领域，解决了现有湿法刻蚀设备的腔体的抽换气系统调节能力有限，无法在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下，保证腔体内的压力平衡，从而导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部，对技术人员造成伤害，对环境造成污染的技术问题。该湿法刻蚀排气系统包括：抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体；其中，抽换气管道与所述腔体相连，真空罩体与所述抽换气管道相连；抽换气管道通过第一阀控单元与腔体连通，抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通本发明应用于湿法刻蚀。
一种湿法刻蚀排气系统装置

[发明专利]一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法-CN201310302745.9有效
发明人：房现飞;周广福;代智杰;孟原 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀技术领域，公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，所述湿法刻蚀设备，包括：接板室、温度控制室、湿法刻蚀室、出板室和传送装置，以及位于温度控制室内的控温系统，刻蚀物经所述传送装置传送依次通过所述接板室、温度控制室、湿法刻蚀室和出板室；所述控温系统用于调整刻蚀物的温度至设定温度。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，由于调整刻蚀物的温度至设定温度，因此，当刻蚀液对刻蚀物进行刻蚀时，保证了刻蚀速率的一致性，提高了刻蚀生产的连续稳定性，可以适应大规模连续在线生产的要求。
一种湿法刻蚀设备方法

[实用新型]湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机-CN201520257769.1有效
发明人：刘峻承;涂智超;黄于维 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及湿法刻蚀技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机，本实用新型技术方案在基于传统湿法刻蚀器件结构的基础上，于上压滚轴上开设若干通孔，当对一产品进行湿法刻蚀时，将该产品放置存储有刻蚀液的刻蚀凹槽中，通过下压滚轴对其传送，同时通过位于下压滚轴之上的上压滚轴对其进行微压，进而完成刻蚀工艺，在刻蚀过程中因所开设的若干通孔方便于刻蚀液的流动，进而通过提高在进行湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀性，以提高产品进行湿法刻蚀工艺的刻蚀速率的均匀度
湿法刻蚀器件

[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法-CN202010947256.9在审
发明人：陈信宏;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。
湿法刻蚀控制系统控制方法

[发明专利]湿法刻蚀方法-CN201910689404.9在审
发明人：符德荣;林凤雏;高郁聪 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀方法，包括如下步骤：提供待处理基底，对待处理基底进行预热处理；使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的待处理基底进行湿法刻蚀，湿法刻蚀溶液的温度大于待处理基底预热处理前的温度。本发明通过对待处理基底进行预热处理后再使用湿法刻蚀溶液对待处理基底进行湿法刻蚀，预热处理可以减小待处理基底与湿法刻蚀溶液之间的温差，甚至可以使得待处理基底的温度与湿法刻蚀溶液的温度相同，可以确保在湿法刻蚀过程中待处理基底表面的温度均匀分布，从而使得待处理基底表面不同区域具有相同的刻蚀速率；由于在湿法刻蚀之初所述待处理基底的温度已经与湿法刻蚀溶液的温度相近或相同，可以缩短湿法刻蚀的时间，提高湿法刻蚀的效率。
湿法刻蚀方法

[发明专利]湿法刻蚀设备和湿法刻蚀方法-CN201410225223.8无效
发明人：丁向前;刘晓伟;刘耀;郭总杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及显示器制备技术领域，公开了一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀方法，其中湿法刻蚀设备包括：刻蚀液存储槽、与刻蚀液存储槽连通的多个喷淋管，刻蚀液存储槽内设有第一电极和第二电极，其中：第一电极和第二电极的极性相反，第一电极和第二电极用于湿法刻蚀设备在对金属刻蚀物刻蚀过程中形成施加于刻蚀液的直流电场。上述湿法刻蚀设备，通过在刻蚀液存储槽内设置极性相反的第一电极和第二电极以形成直流电场，使得带电的小尺寸颗粒在电场的作用下，产生电泳现象，避免小尺寸颗粒为降低表面自由能而发生的团聚现象，减少污染，降低更换刻蚀液的频率
湿法刻蚀设备方法

[发明专利]一种湿法刻蚀方法-CN202310876527.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法刻蚀方法，属于半导体技术领域。湿法刻蚀方法包括以下步骤：S1将承载有工件的承载件放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽；S2驱动承载件带动工件进行运动，使得工件的部分或全部待刻蚀部位能够间歇地浸没或漏出刻蚀液，直至工件刻蚀完成，该湿法刻蚀方法能够改善工件存在色差的问题
一种湿法刻蚀方法

[发明专利]形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法-CN201010275192.9有效
发明人：倪景华;金正起;邹立;于书坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/334 文献下载
摘要：一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿法刻蚀阻挡层为掩膜，湿法刻蚀沟槽形成瓶式沟槽；去除瓶式沟槽内的湿法刻蚀阻挡层。本发明形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，从而不会存在金属污染的问题；利用原子层沉积方法或低压气相沉积方法形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，因此可以解决现有技术中随着沟槽的开口越来越小，湿法刻蚀阻挡层的均匀性以及深度很难控制的技术问题
形成沟槽以及电容器方法

[发明专利]一种湿法刻蚀工艺的控制方法-CN201310337525.X有效
发明人：陈毅俊;明玉亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法刻蚀工艺的控制方法，所述方法包括：提供需要进行湿法刻蚀工艺的产品；根据所述产品的数据信息和所述湿法刻蚀工艺的参数信息获取对该产品进行所述湿法刻蚀工艺的工艺条件；根据所述湿法刻蚀工艺的参数信息选择相应的盛放有刻蚀药液的刻蚀设备；通过所述刻蚀设备获取所述刻蚀药液的使用状况数据；判断所述使用状况数据是否符合所述工艺条件，以确定是否对所述产品进行所述湿法刻蚀工艺。本发明可以对产品的湿法刻蚀工艺进行控制，避免了产品在不满足刻蚀条件的药液中进行湿法刻蚀工艺，从而进一步提高了湿法刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
一种湿法刻蚀工艺控制方法

[发明专利]晶圆湿法减薄方法-CN202111370342.9在审
发明人：孙运龙;陈裕;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。
湿法方法

[发明专利]通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺-CN201110110334.0无效
发明人：刘格致;毛刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题，通过进行湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸，达到了优化制程同时提高良产率的技术效果
通过湿法刻蚀调节栅极侧壁特征尺寸工艺

[发明专利]一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置-CN202110556219.X在审
发明人：夏秋月 -专利权人：夏秋月
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置，属于湿法刻蚀用装置领域，一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置，本方案中，在磁性刻蚀件进行刻蚀的过程中，当磁性刻蚀件从刻蚀液中取出后，迅速对磁性刻蚀件表面的刻蚀液进行清洗，避免磁性刻蚀件表面存在的刻蚀液对磁性刻蚀件上已经形成的蚀痕进行侧蚀，不易造成加工废品，在加工过程中，利用磁性刻蚀件与连接柱轴心不共线的特点，在磁性刻蚀件自身重力作用下，使得磁性刻蚀件发生局部侧覆，使得磁性刻蚀件表面的刻蚀液及时滑落，可以实现大幅增加刻蚀的自动化加工程度，使得湿法刻蚀的时长严格安装预定的标准进行，增加湿法刻蚀的成功率，增加湿法刻蚀的加工效率。
一种具有定时保护功能湿法刻蚀装置

[发明专利]湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法及装置-CN201910773935.6有效
发明人：杨晓;陶宇骁;张成瑞;周亮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法及装置，包括如下步骤：步骤1，在衬底上制备保护膜；步骤2，利用湿法刻蚀，形成湿法槽；步骤3，利用干法刻蚀湿法槽，将湿法槽加工成芯片槽。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：解决了湿法刻蚀中误刻过刻和芯片槽过大定位困难等问题。同时还解决了干法刻蚀芯片槽与芯片中间缝隙过小，导致导电银浆加热时，介质层产生气泡的问题。
湿法叠加加工不同深度芯片方法装置

[发明专利]西格玛沟槽刻蚀方法、锗硅外延层的形成方法及PMOS器件-CN201910694171.1在审
发明人：邱靖尧 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及西格玛沟槽刻蚀方法和锗硅外延层的形成方法及PMOS器件，涉及半导体集成电路制造技术，通过在干法刻蚀后进行两次湿法刻蚀，第一次湿法刻蚀形成西格玛沟槽的初始形貌，第二次湿法刻蚀控制西格玛沟槽的关键尺寸
湿法刻蚀锗硅外延层沟槽刻蚀半导体集成电路制造形貌干法刻蚀沟槽形貌控制能力

[发明专利]三维NAND中的金属钨栅的制造方法-CN201711140467.6在审
发明人：顾立勋;郑晓芬;蒋阳波;汪亚军;吴良辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，其特征在于方法包括提供衬底；在衬底上，沉积介质阻挡层；在介质阻挡层上，沉积种子层；在种子层上，沉积金属钨；对金属钨进行干法刻蚀；以及对干法刻蚀之后的金属钨进行湿法刻蚀本发明使用先干法刻蚀，再湿法刻蚀的技术对钨进行刻蚀，其中，干法刻蚀能够使得刻蚀之后凹槽中的金属钨的宽度变得更为一致，湿法刻蚀能够获得更好的刻蚀之后的金属栅的微观轮廓。
三维 nand 中的金属制造方法

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