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[发明专利]开采区域采动程度的判断方法、装置、存储介质和系统-CN201711481683.7有效
发明人：郭俊廷;李全生;于瑞雪 -专利权人：中国神华能源股份有限公司;北京低碳清洁能源研究所;神华神东煤炭集团有限责任公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提出一种开采区域采动程度的判断方法、装置、存储介质和系统，方法包括：统计地表下沉率与深厚比的变化关系，绘制地表下沉率与深厚比的变化曲线或确定地表下沉率与深厚比的函数关系式，统计地表下沉率与宽深比的变化关系，绘制地表下沉率与宽深比的变化曲线或确定地表下沉率与宽深比的函数关系式，根据地表下沉率与深厚比的变化曲线的拐点以及地表下沉率与宽深比的变化曲线的拐点确定采动程度类型对应的深厚比与宽深比取值区间；计算开采区域实际的宽深比和深厚比本发明解决了现有技术中只采用宽深比这一判断方法造成的对厚、特厚或薄煤层的采动程度判断结果偏差大的技术问题。
开采区域程度判断方法装置存储介质系统

[发明专利]一体化增亮扩散片-CN200910030836.5有效
发明人：庄孝磊;周芳;申溯;陈林森 -专利权人：苏州大学;苏州苏大维格光电科技股份有限公司
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种一体化增亮扩散片，包括一本体，本体上相对设置有入光面和出光面，其特征在于：所述入光面内设有由复数个低深宽比微透镜构成的微透镜阵列，其深宽比在0.01～0.1之间；所述出光面内设有由复数个高深宽比微透镜构成的微透镜阵列，其深宽比大于0.25；所述低深宽比微透镜阵列与所述高深宽比微透镜阵列的填充系数不小于60％。本发明将低深宽比微透镜阵列和高深宽比微透镜阵列分别设置于本体的入光面、出光面内，通过两者的有机结合，可有效提高增益率和光能利用率，实现兼具扩散增亮复合功能的整合光学膜片，由此降低背光模组的生产成本，减小其成品厚度
一体化扩散

[发明专利]多层电容元件以及多层电容元件的设计方法-CN202010472946.3在审
发明人：陈骏盛 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：电容元件包括具有凹槽基板、第一深宽比调制结构以及多个导电层及多个介电层。第一深宽比调制结构位于所述凹槽中，以将所述凹槽定义为第一区域以及第一调制区域，其中所述第一调制区域的深宽比与所述第一区域的深宽比不同。多个导电层及多个介电层交替地堆叠于所述凹槽中。
多层电容元件以及设计方法

[发明专利]传感器及其制造方法-CN201310271600.7有效
发明人：陈志源;詹姆斯·G·费兰札;克莱文·沈;安东尼·J·罗特费尔德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开一种传感器及其制造方法，该方法包括：提供结晶半导体基板；形成第一图案化沟槽结构于结晶半导体基板中；形成一第二图案化沟槽结构于第一图案化沟槽结构中，第二图案化沟槽结构的宽度小等于第一图案化沟槽结构的宽度；形成深宽比捕获材料于第一图案化沟槽结构与第二图案化沟槽结构中，形成于第二图案化沟槽结构中的深宽比捕获材料具有差排缺陷，位于第一图案化沟槽结构中的该深宽比捕获材料不会出现差排缺陷；制作一光检测器，形成于深宽比捕获材料上或于深宽比捕获材料中，以输出电子，电子是于光检测器中通过光吸收所产生本发明利用深宽比捕获材料将以非硅为主体的半导体元件整合于硅工艺中，且该光感测元件具有相对大的微米尺寸。
传感器及其制造方法

[发明专利]在基板处理腔室中使用的准直器-CN201811129929.9有效
发明人：马丁·李·瑞克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在一些实施方式中，准直器包含：本体，所述本体具有中央区域、周边区域以及设置在中央区域和周边区域之间的过渡区域；在中央区域中的多个具有第一深宽比的第一孔；在周边区域中的多个具有第二深宽比的第二孔，第二深宽比小于第一深宽比
处理腔室中使用准直器

[发明专利]在基板处理腔室中使用的准直器-CN201580061359.2有效
发明人：马丁·李·瑞克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在一些实施方式中，准直器包含：本体，所述本体具有中央区域、周边区域以及设置在中央区域和周边区域之间的过渡区域；在中央区域中的多个具有第一深宽比的第一孔；在周边区域中的多个具有第二深宽比的第二孔，第二深宽比小于第一深宽比
处理腔室中使用准直器

[发明专利]一种填充方法及设备-CN202111392537.3在审
发明人：康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛;单利军;刘宇;张雅君 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种填充方法，应用于元件，元件至少为两个，元件连接在衬底层上，两个相邻的元件与衬底层围合形成有一个第一凹槽区域，方法包括：获取与第一凹槽区域对应的第一深宽比；当第一深宽比超过指定阈值的情况下，在第一凹槽区域中沉积与第一深宽比对应的第一填充层，以使元件与第一填充层围合形成第二凹槽区域；获取与第二凹槽区域对应的第二深宽比；当第二深宽比不超过指定阈值的情况下，沉积第一覆盖层，以使第一覆盖层和第一填充层将元件完全覆盖
一种填充方法设备

[发明专利]半导体的制造方法-CN202110880371.3在审
发明人：邱威超;刘永进;陈裕文;张浚威;郭景森;许峰嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：制造方法中提到的植入遮罩形成技术包括通过非微影术技术提高植入遮罩中图案的初始深宽比，其可包括在植入遮罩上形成抗硬化层。可通过光学微影术技术将图案形成为初始深宽比，初始深宽比降低或最小化在图案形成期间图案塌陷的可能性。接着，在植入遮罩上形成抗硬化层以提高图案的高度且减小图案的宽度，这提高了图案的开口或沟槽的高度与开口或沟槽的宽度之间的深宽比。这样，植入遮罩中的图案可以降低或最小化图案形成期间图案塌陷的可能性的方式形成为超高深宽比。
半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的清洗方法-CN202210517412.7在审
发明人：徐正弘 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法，其中，采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件，以去除腐蚀性水溶液的残留部分并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，更容易在深宽比结构的表面铺展，更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子解离，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏
半导体器件清洗方法

[发明专利]基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法-CN201310344883.3有效
发明人：蒋维涛;刘红忠;马浩赟;王兰兰;尹磊;史永胜;陈邦道;丁玉成 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B29C55/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法，包括以下步骤：1）采用复型方法制备柔性孔阵列模具；2）将聚合物的溶液涂覆于基材上形成聚合物薄膜；3）使柔性孔阵列模具与聚合物薄膜良好接触，使聚合物填充到模具上的孔内；4）最后通过柔性孔阵列模具对聚合物薄膜进行机械拉伸，拉伸完成后固化脱模，制备出端部有质量块的大深宽比纳米纤维结构。本发明可以模具对聚合物的机械拉伸，形成大深宽比的纳米纤维，克服了复型方法中制备大深宽比纳米结构的难题；本发明工艺结构简单，仅通过机械力拉伸，控制机械力拉伸的方向，制备出大深宽比纳米纤维阵列，与电纺丝，化学法
基于机械拉伸大深宽纳米纤维结构及其制备方法

[发明专利]具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法-CN201410200481.0有效
发明人：张万屹;林正伟;穆政昌;陈功益;王世青;翁玮呈 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一绝缘结构、一第一接触结构以及一第二接触结构。第一接触结构和第二接触结构形成于绝缘结构中。第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料。第二接触结构具有一第二深宽比，第一深宽比大于第二深宽比。第二接触结构包括第一金属材料及第二金属材料，第二金属材料形成于第一金属材料上。
具有不同接触结构半导体及其制造方法

[发明专利]粘性土中输电线路板柱基础的设计方法-CN201710780078.3有效
发明人：胡超;吴海洋;曾二贤;徐彬;高彬;包永忠;冯衡;胡星;杨景胜;白强;夏谦;任建法;王新洋;黄佩 -专利权人：中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： E02D27/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种粘性土中输电线路板柱基础的设计方法，它包括S1：确定当次运算的埋深和底部宽度，计算基础深宽比；S2：计算土体的抗剪强度，并进一步计算得到基础深宽比限值；S3：基于基础深宽比和基础深宽比限值，计算得到中间参数α和β，其中中间参数α取值小于等于1；S4：基于参数β，计算得到破坏因子；S5：基于破坏因子、土体的抗剪强度、底板面积、土体重度、埋深和板柱基础自重，计算得到抗拔承载力；S6：比较抗拔承载力和上拔荷载
深宽比线路板柱基础土体输电中间参数承载力粘性土抗拔抗剪埋深底板荷载次运算板柱分析

[发明专利]具有防缠绕且宽深比可调的扣垡犁-CN201710800389.1在审
发明人：舒彩霞;肖文芳;廖庆喜;廖宜涛;肖文立;张青松;马磊 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： A01B49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防缠绕且宽深比可调的扣垡犁，包括呈整体设置的犁柱总成、圆盘、犁壁、犁铧及犁托，犁壁和犁铧均与犁托相连构成犁体曲面；还包括通过销轴与犁柱总成相连的耕深调节装置、焊接在耕深调节装置后部上端的耕宽调节装置、安装在耕深调节装置后部的圆盘支架总成及焊接在犁托与耕深调节装置之间的轴套总成，以及与轴套总成相配合的转动轴。通过调整犁体耕深或耕宽，得到最适宜的宽深比，既能增加犁体的适用范围，节省作业时间，将能量消耗降到最低，又能有效地减少重耕和漏耕现象产生，同时保证机具作业的耕深稳定性；且耕深调节装置与耕宽调节装置结构简单
具有缠绕可调扣垡犁

[实用新型]具有防缠绕且宽深比可调的扣垡犁-CN201721155412.8有效
发明人：舒彩霞;肖文芳;廖庆喜;廖宜涛;肖文立;张青松;马磊 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： A01B49/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防缠绕且宽深比可调的扣垡犁，包括呈整体设置的犁柱总成、圆盘、犁壁、犁铧及犁托，犁壁和犁铧均与犁托相连构成犁体曲面；还包括通过销轴与犁柱总成相连的耕深调节装置、焊接在耕深调节装置后部上端的耕宽调节装置、安装在耕深调节装置后部的圆盘支架总成及焊接在犁托与耕深调节装置之间的轴套总成，以及与轴套总成相配合的转动轴。通过调整犁体耕深或耕宽，得到最适宜的宽深比，既能增加犁体的适用范围，节省作业时间，将能量消耗降到最低，又能有效地减少重耕和漏耕现象产生，同时保证机具作业的耕深稳定性；且耕深调节装置与耕宽调节装置结构简单
具有缠绕可调扣垡犁

[发明专利]一种厚大矿体露天开采底宽及采深计算方法-CN201210052931.7无效
发明人：赵文奎 -专利权人：赵文奎
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： E21C47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚大矿体露天开采底宽及采深计算方法，其特征在于在每个横剖面图上将最小底宽放在矿体歼灭的最底部中间部位，按照事先选择的最终帮坡角将最小底宽的两端与地表相连接，然后计算境界剥采比时在每个横剖面图上沿横向增加底宽的大小，增加的数量一般为最小底宽的整数倍，根据每一底宽计算出相应的境界剥采比，将境界剥采比跟经济合理剥采比相比较，小于经济合理剥采比且最接近的一个境界剥采比相对应的宽度就是该横剖面图上的合理底宽，最后在纵剖面图和地质平面图上将每个横剖面上计算出的采深和底宽进行调整，最后得出较为合理的最终开采境界底宽和采深。
一种矿体露天开采计算方法

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