“淀积掩模”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果97075个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件-CN201010620286.5有效
发明人：朴钟贤;金泰亨;李一铉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。本发明公开了一种能够提高淀积效率的淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。所述淀积掩模的两端具有尖的截面，使得当淀积掩模连续地平行布置时，相邻淀积掩模的至少一部分在所述相邻淀积掩模之间的边界处彼此交叠。
淀积掩模具有模组

[发明专利]掩模组件-CN201010612051.1有效
发明人：李一铉;金泰亨;朴钟贤 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够提高有机材料淀积效率的掩模组件。该掩模组件包括：多个淀积掩模；框架，其与连续布置的所述多个淀积掩模连接；以及接合部，其用于连接相邻的淀积掩模。
模组

[发明专利]淀积掩模框架组件及其制造方法、有机电致发光器制造方法-CN200310124813.3有效
发明人：重村莘治 -专利权人：三星日本电气移动显示株式会社
申请日： 2003-11-22 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：涉及一种淀积掩模框架组件，这种淀积掩模框架组件的制造方法，以及利用淀积掩模框架组件制造有机电致发光器件的方法。所述淀积掩模框架组件包括一掩模、一框架和一掩模上盖，掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，掩模上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖的形状相应于框架。
淀积掩模框架组件及其制造方法有机电致发光

[发明专利]掩模组件-CN201010615286.6有效
发明人：朴钟贤;金泰亨;李一铉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及掩模组件。本发明公开了提高有机材料淀积效率的掩模组件，其包括：多个淀积掩模，该多个淀积掩模中每一个的相对端中的至少一端被形成为具有多个突起，所述多个突起形成了位于相邻两个淀积掩模的边界处的至少一个边界孔径区。
模组

[发明专利]光散射EUVL掩模-CN200580014229.X有效
发明人：艾米丽·E.·加拉格尔;路易斯·M.·金特;凯里·W.·蒂尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G01F9/00 文献下载
摘要：一种光散射EUVL掩模和用于形成光散射EUVL掩模的方法，包括在超低扩展衬底(100)之上淀积(300)晶体硅层(110)，在晶体硅层之上淀积硬掩模(310)，构图硬掩模(340)，蚀刻晶体硅层(350)，去除硬掩模(360)，以及在晶体硅层之上淀积Mo/Si层(360)，其中晶体硅层的蚀刻区包括位于该蚀刻区中的不平表面。该方法还包括在硬掩模之上淀积光致抗蚀剂掩模(320)，在光致抗蚀剂掩模中产生图案(330)，以及将图案转印到硬掩模(340)。
散射 euvl 掩模

[发明专利]淀积掩模及其制造方法-CN200410104768.X无效
发明人：萩原宣男;长崎英夫;森励;平田达司郎;矢木肇 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了淀积掩模及其制造方法，其通孔的定位精度提高且可精确地进行淀积。由金属薄膜制成的掩模体得以固定且紧紧地装配在具有开口的框架体上。掩模体具有：包括用于使淀积材料穿过的多个通孔的至少一个图形区，包括设置在图形区周边的多个细孔的应力松弛区，和设置在应力松弛区周边的支撑区。掩模体紧紧地装配在框架体上的支撑区处。
淀积掩模及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体部件及其制造工艺-CN200780014633.6有效
发明人：阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 -专利权人：阿祖罗半导体股份公司
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的方法，该方法包括步骤：-制备具有硅表面的衬底；-在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；-可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；-在所述氮化物成核层或者当存在时在第一氮化物缓冲层上淀积掩模层；-在所述掩模层上淀积含有镓的第一氮化物半导体层，其中，通过这样一种方式淀积所述掩模层，使得在所述第一氮化物半导体层的淀积步骤中，最初分离的微晶在一定的聚合层厚度之上首先共生
氮化物半导体部件及其制造工艺

[发明专利]形成无孔隙沟槽隔离的方法-CN99100336.5无效
发明人：洪昌基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-01-26 - 公布日： 1999-08-04 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：依此方法,在基片上形成沟槽形成掩模,该沟槽形成掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成。使用沟槽形成掩模蚀刻基片,形成沟槽,接着经湿法腐蚀去掉第一材料层的两侧壁,以形成沟槽形成掩模的钻蚀截面。最后,在基片上淀积沟槽填充绝缘层,填满沟槽形成掩模,其中沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽的内部的淀积速度。
形成孔隙沟槽隔离方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN95121875.1无效
发明人：高尧焕;朴赞光;黄圣敏;卢光明 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-12-31 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，能够确保位线与存储节接点之间的对准裕度，它包括在MOS半导体衬底上淀积第一绝缘层；形成位线图形；淀积第二绝缘层；顺序淀积有不同腐蚀速率的第三和第四绝缘层；掩模腐蚀出T形绝缘层图形；在T形绝缘层图形的侧壁处形成多晶硅间隔层；淀积第五绝缘层，腐蚀形成位线接点；淀积第六绝缘层；在第六绝缘层上构成第二光致抗蚀剂掩模图形；以及腐蚀形成存储节接点。
半导体器件制造方法

[发明专利]移相掩模板结构及其制造方法-CN201010250531.8有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅本发明提出的移相掩模板结构及其制造方法，省略了常规掩模板使用的金属铬，降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术，用对移相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬，降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤，提高掩模板性能和成品率。
移相掩模板结构及其制造方法

[发明专利]用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术-CN99118862.4有效
发明人： M·古特舍;P·斯特洛布尔;S·维格;E·吕肯;G·斯托雅克维克;B·斯普勒尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-09-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种减少从淀积于衬底上的敷金属层中刻蚀出的金属线垂直表面上的聚合物淀积的方法。包括在敷金属层上形成硬掩模层和在硬掩模层上提供光刻胶掩模。还包括用光刻胶掩模形成硬掩模层。硬掩模有在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的金属线图案。也包括去光刻胶掩模。另外，包括用硬掩模和含Cl₂和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行等离子体增强敷金属层刻蚀，其中，等离子体增强敷金属层刻蚀不用光刻胶以减少在刻蚀中的聚合物淀积。
用于减少金属线刻蚀腐蚀金属技术

[发明专利]基板托盘和成膜设备-CN200780025744.7无效
发明人：萩世司;畑山省司;西尾和敏 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：所述基板托盘保持基板并被配置为与薄膜材料源相对，该基板托盘特征在于具有：保持构件，其保持基板并具有开口，从薄膜材料源发射的要被淀积于基板上的薄膜材料粒子穿过该开口；第一掩模，被配置在保持构件和基板之间并遮蔽穿过开口的薄膜材料粒子以使其不淀积于基板上，以在基板上形成具有预定形状的薄膜；和第二掩模，被配置在保持构件和第一掩模之间并且至少部分地覆盖第一掩模，以遮蔽薄膜材料粒子以使其不淀积于第一掩模上。
托盘设备

[发明专利]互连结构的制造-CN200580015498.8无效
发明人：埃尔伯特·E.·璜;金亨俊;罗伯特·D.·米勒;萨特雅纳拉雅纳·V.·尼塔;萨姆帕斯·普拉斯霍萨曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：制造互连结构的方法，包括下列步骤：通过原子层淀积工艺或超临界流体工艺淀积一薄共形钝化电介质和/或扩散阻挡帽盖层和/或硬掩模。
互连结构制造

[发明专利]减少金属硅化物掩模层缺陷的方法-CN201310287393.4无效
发明人：顾梅梅;陈建维;易义军;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少金属硅化物掩模层缺陷的方法。通过化学气相淀积氮化硅薄膜，在硅片上形成金属硅化物掩模层；化学气相法淀积的氮化硅薄膜中含有H元素；对金属硅化物掩模层执行紫外光治疗处理；对金属硅化物掩模层进行光刻和刻蚀以形成金属硅化物掩模层图案；然后溅射形成金属性物质层本发明在氮化硅薄膜淀积后进行紫外光治疗处理，通过利用高能紫外光将薄膜中的Si-H、N-H等键断裂，有效降低氮化硅薄膜中H元素含量，防止氮化硅薄膜中H元素与光阻反应，从而减少金属硅化物掩模层工艺中的缺陷，
减少金属硅化物掩模层缺陷方法

[发明专利]薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件-CN01110972.6有效
发明人：山崎舜平;广木正明;石丸典子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-03-06 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时,在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压,用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制,从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。
薄膜形成器件方法发光

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 97075 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top