专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]性能剖析方法及装置、电子设备、存储介质-CN202110009524.7在审
  • 李金洲;虞海 - 网易(杭州)网络有限公司
  • 2021-01-05 - 2021-04-09 - G06F11/34
  • 本申请实施例提供了一种性能剖析方法及装置、电子设备、存储介质,其中,方法包括:获取配置数据,并依据配置数据生成注入代码,将注入代码注入到待剖析的目标进程,接收用户命令,依据用户命令调用注入代码执行性能剖析;本申请实施例可以依据配置数据自动生成注入代码并注入目标进程中,实现了性能剖析的高效易用性;通过代码注入措施实现对目标进程的性能剖析,不需要修改目标进程的源代码,提高了性能剖析的安全性和准确性;并且可以根据用户命令控制性能剖析的过程,实现了性能剖析过程的可控制性。
  • 性能剖析方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]一种用于对电机进行性能优化的方法及系统-CN202211350398.2在审
  • 曾学辉;周战波 - 佛山市尼博微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-01-06 - H02P21/14
  • 本发明公开了一种用于对电机进行性能优化的方法及系统,属于电机控制技术领域。本发明包括:确定适合注入目标电机的高频信号,和目标电机的属性参数;在通过所述属性参数对目标电机进行调整,且注入适合注入目标电机的高频信号后,对在注入高频信号的情况下的目标电机进行电压补偿,基于目标电机注入的高频信号,确定目标电机的转子位置,基于转子位置通过控制系统,对目标电机进行闭环控制;对所述目标电机注入所述适合注入目标电机的高频信号,并根据属性参数对所述目标电机进行调整,以优化目标电机的电磁性能,通过所述电压补偿和闭环控制,以优化目标电机的控制性能,通过优化目标电机的控制性能和电磁性能,以对目标电机进行性能优化。本发明能够对电机的性能进行优化。
  • 一种用于电机进行性能优化方法系统
  • [实用新型]离子注入的手机部件-CN201120175413.5有效
  • 黄志宏;丁阳;韩辉升;张劲松;黄诚 - 南通万德电子工业有限公司
  • 2011-05-30 - 2012-05-23 - H04M1/02
  • 本实用新型提供了离子注入的手机部件,在离子注入机中将硼离子、碳离子、氮离子等离子注入到手机按键、其它用途按键、手机外壳或者手机屏幕的外表面,离子源是含有其元素的气体或者化合物,离子注入可以只注入一种离子,或者先注入一种再注入其他一种或数种离子,离子注入量为1010/cm2-1017/cm2。即手机部件为手机按键、其它用途按键、手机外壳或者手机屏幕,其制备材料为离子注入塑料、离子注入塑料合金、离子注入橡胶或者离子注入橡塑材料。本实用新型能够增强手机部件或其它用途按键的表面硬度、耐摩擦性能、抗污性能,同时不改变产品原有的优良性能,方法简单,成本低廉。
  • 离子注入手机部件
  • [发明专利]改善OTP性能的方法-CN201911325809.0在审
  • 王乐平 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-12-20 - 2020-05-12 - H01L21/8234
  • 本发明公开了一种改善OTP性能的方法,在形成PMOS的P型轻掺杂漏区或者重掺杂P型区时,降低倾斜注入注入能量及注入剂量。本发明所述的改善OTP性能的方法,通过降低P型轻掺杂漏区的注入能量和注入剂量,能改善OTP性能失效;通过降低栅极侧墙的厚度,能改善弱编程性能。同时在CMOS中的NMOS管,其N型轻掺杂漏区的注入剂量降低,以调整NMOS管的饱和漏电流,减小热载流子效应。所述方法还包括通过阈值电压调节注入来将器件的阈值电压调节到目标值。
  • 改善otp性能方法
  • [发明专利]离子注入技术在手机部件上的应用及其手机部件-CN201110141010.3无效
  • 黄志宏;丁阳;韩辉升;张劲松;黄诚 - 南通万德电子工业有限公司
  • 2011-05-30 - 2011-10-19 - H04M1/02
  • 本发明提供了离子注入技术在手机部件上的应用及其手机部件,在离子注入机中将硼离子、碳离子、氮离子等离子注入到手机按键、其它用途按键、手机外壳或者手机屏幕的外表面,离子源是含有其元素的气体或者化合物,离子注入可以只注入一种离子,或者先注入一种再注入其他一种或数种离子,离子注入量为1010/cm2-1017/cm2。离子注入手机按键、其它用途按键、手机外壳或者手机屏幕等手机部件的工序是在手机部件成型后进行的,或者是在手机部件涂装面漆之后再进行的。本发明能够增强手机部件的表面硬度,改善耐摩擦性能和抗污性能,同时不改变产品原有的其它优良性能,方法简单,减少生产能耗,成本低廉。
  • 离子注入技术手机部件应用及其

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