专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用-CN202010309289.0在审
  • 李金野;刘建国;戴双兴;于文琦 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-04-17 - 2020-08-04 - G02B6/122
  • 一种基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用,该光波导端面耦合结构包括衬底;绝缘,其设置在衬底上;第一波导结构,包括第一波导固定宽度区和第一波导反向楔形区;第二波导结构,包括第二波导固定宽度区和第二波导反向楔形区,其折射率介于第一波导结构和第三波导结构之间,用于将经过第一波导结构的光模场过渡传输到第三波导结构中;以及第三波导结构,包括第三波导固定宽度区。本发明的结构中通过引入折射率介于第一波导和第三波导之间的第二波导,有效增加了第一波导楔形尖端尺寸,降低了小尺寸结构的制备工艺难度。
  • 基于lnoi波导端面耦合结构及其应用
  • [发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法-CN202110827558.7有效
  • 蔡鑫伦;刘潇月 - 中山大学
  • 2021-07-21 - 2022-07-26 - G02B6/26
  • 本发明为克服耦合带宽窄、耦合效率低的缺陷,提出一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法,其中包括衬底,设置在衬底上的绝缘,设置在绝缘上的第一波导、第二波导、第三波导、铌酸锂薄膜波导,以及覆盖在所述第一波导、第二波导、第三波导上的低折射率耦合波导。本发明通过设置低折射率耦合波导用于与锥形光纤模场匹配,能够拓宽带宽并提高耦合效率;通过采用第一波导、第二波导、第三波导组成反向楔形结构,实现光模场全部从低折射率耦合波导传输至第三波导,从而继续在波导中传输,解决了在短波下折射率不匹配的问题,提高耦合带宽,且其范围可覆盖近可见光至近红外波段。
  • 一种基于铌酸锂薄膜宽带端面耦合器及其制备方法
  • [发明专利]一种可调延时线芯片及其制作方法-CN202110503089.3有效
  • 吴丹;尹小杰;张家顺;王亮亮;王玥;安俊明 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-05-08 - 2023-08-15 - G02F1/01
  • 本发明提供一种可调延时线芯片及其制作方法,可调延时线芯片包括基底层、波导、上包层以及温控;基底层具有一光刻面;波导设于光刻面上,波导内用以光波传播;上包层设于波导的外侧面上,呈包覆波导设置;温控设于上包层背向波导的侧壁面上,温控用以控制温度变化;其中,波导的折射率呈大于基底层和上包层的折射率设置。波导设于基底层与上包层之间,光波在波导内折射传播,温控控制温度变化,通过热光效应,温度越高,折射率会增大,改变波导的折射率,进而控制波导的延时可调节,延时精度可从亚皮秒量级到数皮秒量级
  • 一种可调延时芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种热光移相器-CN202310985062.1在审
  • 刘敬伟;张甜甜 - 国科光芯(海宁)科技股份有限公司
  • 2023-08-04 - 2023-10-10 - G02F1/01
  • 本申请公开了一种热光移相器,包括:衬底;包覆层,包覆层形成在衬底上方;波导,波导形成在包覆层内部;加热,加热形成在波导的侧面;传热结构,传热结构同时与加热波导相接,形成在波导和加热的上方和/或下方,用于将加热产生的热能传递至波导;隔热结构,隔热结构形成在波导上方的包覆层中,用于将加热产生的热能限制在波导附近。本申请提出的技术方案,在未增加工艺难度的前提下,利用传热结构的高热导率特性将加热产生的热能直接传至波导,大幅度减小移相器的功耗与响应时间;还利用隔热结构削弱包覆层中的热扩散使热量集中于波导附近
  • 一种移相器
  • [发明专利]片上激光器及光子芯片-CN202310301026.9在审
  • 韩哲;亓岩;王宇;王延伟;颜博霞;周密;范元媛 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-03-24 - 2023-07-07 - G02B6/122
  • 本发明属于激光器领域,具体涉及一种片上激光器及光子芯片,片上激光器包括:第一光波导,第一光波导包括第一波导,第一波导呈闭环设置;第一波导内容纳有工作介质;第二光波导,第二光波导包括第二波导,第二波导呈开环设置,第一波导与第二波导之间形成耦合区域;泵浦源,泵浦源包括辐射面,辐射面在第一光波导的投影与第一波导具有重叠区域,重叠区域内的工作介质在泵浦光的照射下产生光子,光子经第一波导振荡形成激光,激光由第二波导射出。
  • 激光器光子芯片
  • [发明专利]一种基于平面光波导的微腔光学滤波器-CN202210442144.7有效
  • 张跃芳;郭嘉梁 - 季华实验室
  • 2022-04-25 - 2023-06-02 - G02B6/10
  • 一种基于平面光波导的微腔光学滤波器,包括衬底、脊形波导、平面波导以及在平面波导内的四个反射曲面镜;所述脊形波导和平面波导设置在衬底上表面,脊形波导上设有输入端口、下降端口和直通端口,输入端口的宽度和输入光波的宽度一致,直通端口用于滤波后的目标光波输出,下降端口用于滤波后其他波长的光波输出;所述四个反射曲面镜构筑成平面微纳微腔,使得通过脊形波导进入平面波导的光波在平面微纳微腔内被循环反射并发生共振实现滤波本发明通过平面波导和脊形波导的配合以及平面微纳微腔的共振滤波,较于传统的基于脊形光波导的光学滤波器,具有更加优异的综合性能。
  • 一种基于平面波导光学滤波器
  • [发明专利]一种多层堆栈可重构光子集成信号交互耦合器-CN202110658968.3在审
  • 陈长鸣;岳建;尹悦鑫;王春雪;廉天航;张大明 - 吉林大学
  • 2021-06-15 - 2021-09-17 - G02B6/12
  • 电光调制下,由衬底层、包覆层、第三波导、第二波导、第一波导、金属电极及其连接线、填充金属的介质孔、N型掺杂区和P型掺杂区组成;热光调制下,由衬底层、包覆层、第三波导、第二波导、第一波导、金属电极及其连接线组成。通过采用弯曲波导连接的方式使得第一波导、第二波导和第三波导间设置有信号交互单元,在信号交互单元存在间定向耦合效果。在电光调制或热光调制时,间耦合系数最低,使得入射光保持传播路径不变,沿入射端所在波导进行传输,从而实现三堆栈光子集成芯片的可重构信号交互功能。
  • 一种多层堆栈可重构光子集成信号交互耦合器
  • [发明专利]一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法-CN201910750281.5有效
  • 李彬;李志华;刘若男 - 中国科学院微电子研究所
  • 2019-08-14 - 2020-09-25 - G02B6/136
  • 本发明公开了一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法,包括:在半导体衬底上沿半导体衬底的厚度方向形成下包层;光刻与刻蚀下包层,在下包层内形成槽,槽的宽度大于预设波导的宽度;在槽内和下包层上沉积材料,形成第一,第一的厚度小于预设波导的厚度;以下包层的上表面为终止,采用表面平坦化工艺去除多余的第一;重复上述步骤直到槽内形成的的厚度达到预设波导的厚度为止;光刻与刻蚀,形成预设波导结构;在预设波导结构和下包层上形成上包层。该方案解决了因薄膜太厚而产生的高应力问题,并优化了波导的形状、降低了侧壁粗糙度、增加波导的陡直度,降低了波导损耗。
  • 一种氮化波导制备方法

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