[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110827558.7 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113568106B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫伦;刘潇月 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/122;G02B6/138;G02B6/136 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明为克服耦合带宽窄、耦合效率低的缺陷，提出一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法，其中包括衬底，设置在衬底上的绝缘层，设置在绝缘层上的第一波导芯层、第二波导芯层、第三波导芯层、铌酸锂薄膜层和波导层，以及覆盖在所述第一波导芯层、第二波导芯层、第三波导芯层上的低折射率耦合波导层。本发明通过设置低折射率耦合波导层用于与锥形光纤模场匹配，能够拓宽带宽并提高耦合效率；通过采用第一波导芯层、第二波导芯层、第三波导芯层组成反向楔形结构，实现光模场全部从低折射率耦合波导层传输至第三波导芯层，从而继续在波导层中传输，解决了在短波下折射率不匹配的问题，提高耦合带宽，且其范围可覆盖近可见光至近红外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 宽带 端面 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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