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[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器-CN202210886691.4在审
发明人：陶诗琦;孙昊骋;袁帅 -专利权人： 上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器，包括：薄膜铌酸锂波导芯层和起偏器波导芯层保护部；所述起偏器波导芯层保护部包裹所述薄膜铌酸锂波导芯层；所述薄膜铌酸锂波导芯层包括起偏波导系统，所述起偏波导系统包括：输入波导单元、耦合单元和输出波导单元；所述输入波导单元、所述耦合单元和所述输出波导单元依次相连；所述输入波导单元包括：绝热锥型波导传输段；其中，所述起偏器波导芯层保护部用于保护所述薄膜铌酸锂波导芯层。本申请基于薄膜铌酸锂材料实现具有高消光比、低损耗和小尺寸的片上起偏器件，可应用于集成光学系统中，不仅有利于器件的集成化和芯片的小型化，而且工艺技术成熟，成本低廉。
一种基于薄膜铌酸锂干涉耦合器型起偏器

[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的片上起偏器及其制作方法-CN202111153676.0有效
发明人：王宣皓;陶诗琦;曾成;孙昊骋 -专利权人： 上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于薄膜铌酸锂的片上起偏器及其制作方法，本起偏器包括自下而上依次布置的基底层、缓冲层、波导芯层和波导上包层；其中，基底层、缓冲层和波导上包层用于保护波导芯层；波导芯层中包含有起偏波导系统，起偏波导系统包括锥形波导传输段、连接波导段、非对称Y分支段、输出波导段、吸收波导段；锥形波导传输段、连接波导段和非对称Y分支段顺序连接；输出波导段的输入端和吸收波导段的输入端均连接非对称Y分支段的输出端。本申请在薄膜铌酸锂片上实现起偏功能，有助于实现基于单片集成光子芯片的光纤陀螺，便于减小器件尺寸，有利于器件的集成化和芯片的小型化；工艺技术成熟，可以有效降低成本。
一种基于薄膜铌酸锂片上起偏器及其制作方法

[发明专利]一种工作点自稳定型薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器-CN202111405646.4在审
发明人：袁帅;孙昊骋;陶诗琪 -专利权人： 上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种工作点自稳定型薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，通过设置的调制臂位于2×2MMI结构和1×2分光结构之间，上下调制臂设计完全对称，调制臂两侧具有对称设计的调制电极起信号加载的作用，对称的电极结构也保证了马赫曾德尔干涉结构上下臂之间不会引入相位差，光从所述2×2MMI结构的一个输入端口或者所述1×2分光结构进入，由于所述2×2MMI结构的自映像效应，会引入π/2的相位差，使得调制器的工作点自动稳定在3dB工作点，而无需施加其他控制装置进行工作点的调整与稳定，且工作点不随时间与温度等外界因素影响，可以长期稳定在线性工作区中心位置保持不动。
一种工作稳定薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器

[发明专利]一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片-CN202111373916.8在审
发明人：陶诗琦;孙昊骋 -专利权人： 上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片，其特征在于，包括基底层、下包层、波导芯层、金属层和上包层；基底层、下包层和波导芯层自下而上连接，上包层位于波导芯层上方，金属层位于波导芯层中波导的两侧，并穿过上包层连接波导芯层和外界空气；基底层用作芯片支撑，下包层用作为波导芯层提供高折射率对比度，金属层用作电光调制或吸收杂散光，上包层用作保护所述波导芯层；波导芯层集成有分束调制芯片，用于对光源进行分束调制，波导芯层为薄膜铌酸锂。本申请在薄膜铌酸锂材料上实现了高集成度、小型化和低成本的分束调制芯片，同时确保了系统的高稳定性。
一种单片集成基于薄膜铌酸锂调制芯片