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[发明专利]一种具有慢启动功能的漏极调制电路-CN201410815763.1在审
发明人：李兵;张娟;雷国忠;吕元恒;李磊;白树林 -专利权人：西安电子工程研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有慢启动功能的漏极调制电路，包括晶体管、P沟道MOS管、分压电阻和N沟道场效应管自偏置慢启动功能电路，该技术利用了N沟道场效应管沟道阻抗随栅源的压差减小而逐渐增大的原理，实现对电容缓慢充电，当充电电压达到设置的门限时，再由分时调制电路进行补充充电。
一种具有启动功能调制电路

[实用新型]一种具有慢启动功能的漏极调制电路-CN201420831143.2有效
发明人：李兵;张娟;雷国忠;吕元恒;李磊;白树林 -专利权人：西安电子工程研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有慢启动功能的漏极调制电路，包括晶体管、P沟道MOS管、分压电阻和N沟道场效应管自偏置慢启动功能电路，该技术利用了N沟道场效应管沟道阻抗随栅源的压差减小而逐渐增大的原理，实现对电容缓慢充电，当充电电压达到设置的门限时，再由分时调制电路进行补充充电。
一种具有启动功能调制电路

[发明专利]用于光传感器的电流基准电路-CN201410163920.5无效
发明人：来新泉;王玮;李佳佳;邵丽丽 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：该电流基准包括：零温度系数电流产生电路(1)、电流镜电路(2)和沟道调制效应抑制电路(3)；零温度系数电流产生电路产生的零温度系数电流输出给电流镜电路；电流镜电路对零温度系数电流进行镜像后输出给沟道调制效应抑制电路；沟道调制效应抑制电路中的负反馈环路使零温度系数电流产生电路的输出端A与电流镜电路的输出端C处的电压相等。本发明消除了因电源电压变化造成的电流镜电路中的PMOS管漏源电压变化不一致的问题，从而抑制了沟道调制效应，使参考电流IREF不随电源电压的变化而变化，提高了线性调整度。
用于传感器电流基准电路

[发明专利]一种改进的参考电流源电路-CN201610403300.3在审
发明人：李现坤;张勇;潘福跃;宣志斌;肖培磊;王彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明为了解决自偏置结构的参考电流源电路、峰值结构的电流源电路中由于电路的二阶效应，特别是MOS沟道长度调制效应引起的电流失配导致参考电流源精度比较低，提出了改进的抑制沟道长度调制效应的电路结构，通过引入一条负反馈环路，消除了参考电流源的MOS沟道长度调制效应，以实现高精度的参考电流源。
一种改进参考电流电路

[发明专利]一种低功耗高PSRR带隙基准源-CN201410293474.X有效
发明人：杨小坤;原义栋;胡毅;何洋;李振国 -专利权人：北京南瑞智芯微电子科技有限公司;国家电网公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗高PSRR带隙基准源，包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻该低功耗高PSRR带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
一种功耗 psrr 基准

[发明专利]应用于MOSFET电学仿真的BSIM3 HCI可靠性模型-CN200810204973.1有效
发明人：任铮;王星拱;唐逸;胡少坚;石艳玲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM3 HCI可靠性模型，该模型提供了根据偏压条件下的MOSFET施加偏压时间计算晶体管受HCI效应影响退化后输出特性的方法：在标准BSIM3模型基础上考虑了其受热载流子退化效应影响并随施加偏压时间发生变化的情况，同时重定义了7个标准BSIM3模型参数：零Vbs情况下长沟道阈值电压Vth0、阈值电压一阶体效应因子K1、零偏电场下迁移率μ0、迁移率衰减体效应因子μc、体硅电荷效应的沟道长度调制参数A0、体硅电荷效应的栅偏压调制参数Ags和体硅电荷效应的体硅偏压调制参数Keta。
应用于 mosfet 电学仿真 bsim3 hci 可靠性模型

[发明专利]一种具有低失调电压高PSRR的带隙基准源-CN201410371561.2有效
发明人：苏胜新;杜新纲;杨小坤;原义栋;胡毅;何洋;李振国 -专利权人：国家电网公司;北京南瑞智芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低失调电压高PSRR的带隙基准源，包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路该具有低失调电压高PSRR的带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
一种具有失调电压 psrr 基准

[发明专利]一种具有高低栅及多凹槽的氮化镓调制掺杂场效应晶体管-CN201811284888.0在审
发明人：晋超超;朱天成;侯俊马;王晓璐 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高低栅及多凹槽的氮化镓调制掺杂场效应晶体管，属于场效应晶体管技术领域，其结构自下而上分别为蓝宝石衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层。在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面形成异质结沟道，沟道处形成二维电子气。在氮化镓沟道层上表面，左低栅和右低栅的正下方具有凹陷形成的第一凹槽和第二凹槽。使调制掺杂场效应晶体管具有下述效果：①获得较大的电流密度；②削弱电流崩塌效应；③提高栅电极的控制能力；④提高器件的击穿电压。
氮化镓调制掺杂场效应晶体管低栅铝镓氮势垒层沟道层栅电极多凹槽上表面场效应晶体管氮化铝成核层电流崩塌效应二维电子气击穿电压界面形成控制能力漏极区域源极区域蓝宝石沟道处靠近源漏电极异质结源电极凹陷衬底沟道削弱

[发明专利]一种新型的GaN异质结场效应晶体管-CN201711000668.6在审
发明人：周琦;魏东;张安邦;朱若璞;董长旭;石瑜;黄芃;王方洲;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层，该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2‑DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了pn结场板来调制沟道电场。本发明将P型GaN埋层和凹槽技术相结合使阈值电压调控方案更加灵活并且可以实现更大范围的阈值电压调控；同时，P型GaN埋层在GaN沟道层的电场调制效应有效降低器件内部最大峰值电场，使电场分布更加均匀，而且因此，与传统凹槽栅GaN异质结场效应晶体管相比，新结构有效地提高了器件的阈值电压调控范围和大大改善了器件的耐压能力。
一种新型 gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]直流—交流转换电路-CN200710074347.0无效
发明人：鲁建辉 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明涉及一种直流—交流转换电路，其包括一脉冲宽度调制器、一驱动电路和一变压电路。该脉冲宽度调制器包括多个脉冲输出端，该驱动电路包括多个开关单元。每一开关单元包括至少一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和至少一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。每一脉冲输出端控制一开关单元。
直流交流转换电路

[发明专利]能消除体效应和沟道长度调制效应的线性源跟随器-CN200910242474.6无效
发明人：魏琦;乔飞;杨华中;汪蕙 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03F3/50 文献下载
摘要：能消除体效应和沟道长度调制效应的线性源跟随器属于电压跟随器技术领域。其特征在于：晶体管M2和M3形成级联方式，栅极均接输入Vin，且M2为低阈值晶体管，M3为高阈值晶体管。消除了晶体管M3的沟道长度调制效应。M2和M3的源极S都和衬底B相连接，消除了晶体管M3的体效应。本发明具有高线性度的优点。
消除效应沟道长度调制线性跟随

[发明专利]一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法-CN202310487898.9有效
发明人：廖志敏;曹正炀;娄晗歆;俞大鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法。本发明通过采用单层石墨烯作为与半导体材料接触的源漏电极，有效抑制肖特基势垒，降低了场效应晶体管的功耗；采用单层二维半导体层作为沟道材料，降低短沟道效应带来的影响；采用氦离子显微镜对单层石墨烯进行聚焦氦离子束直写刻蚀，能够稳定得到纳米尺度的沟道；本发明所定义的沟道的宽度为场效应晶体管内实际参与工作的单层二维半导体层的宽度，提升场效应晶体管性能的稳定性；利用干法转移得到范德华异质结，局域电介电层同时作为保护层将沟道材料进行封装，有效提升场效应晶体管的质量与耐久度；局域电介电层和全域电介电层形成上下调制的双栅极结构，提升场效应晶体管的性能。
一种规模化制备二维沟道场效应晶体管方法

[发明专利]光调制的半导体场效应晶体管和集成电路-CN201611130449.5有效
发明人：王敬;陈文捷;郭磊;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的半导体场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上本发明的光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置半导体层之上，部分覆盖源或漏，使发光结构与沟道区更近，可以在沟道区有效激发电子‑空穴对，提高沟道区载流子浓度，利用光照极大地改善器件的导通电流
调制半导体场效应晶体管集成电路

[发明专利]场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜-CN200680053382.8有效
发明人：井上隆;中山达峰;安藤裕二;村濑康裕;大田一树;宫本广信;山之口胜己;黑田尚孝;分岛彰男;冈本康宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度
场效应晶体管用于制备多层外延

[发明专利]无结型隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201710583767.5有效
发明人：张书琴;梁仁荣;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了无结型隧穿场效应晶体管及制备方法。该无结型隧穿场效应晶体管包括：绝缘层；沟道区，所述沟道区设置在所述绝缘层上；源极和漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述沟道区的两侧；栅介质层，所述栅介质层设置在所述沟道区上；栅极，所述栅极设置在所述栅介质层上，所述栅极包括顶栅以及静电调制栅极。由此，该无结型隧穿场效应晶体管具有以下优点的至少之一：结构简单，可以利用较为简单的工艺流程实现制备，掺杂浓度灵活可调，功耗较低等。
无结型隧穿场效应晶体管制备方法

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