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[发明专利]一种低噪声的带隙基准电压源-CN201811395198.2有效
发明人：黄少卿;朱琪;顾小明;罗永波;宣志斌;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种低噪声的带隙基准电压源，属于模拟电路技术领域。所述低噪声的带隙基准电压源包括偏置电路、三级层叠ΔVBE产生电路和误差放大器；其中，三级层叠ΔVBE产生电路包括第一级层叠ΔVBE产生电路、第二级层叠ΔVBE产生电路和第三级层叠ΔVBE产生电路，每一级层叠ΔVBE产生电路分别产生一个正温度系数电压，所述误差放大器与每一级层叠ΔVBE产生电路构成闭环负反馈，三级层叠ΔVBE产生电路所产生的正温度系数电压之和即为带隙基准电压源的正温度系数ΔVBE。通过子电路层叠方式，可得到一个较大的ΔVBE，同时又能降低基准噪声和芯片面积。
一种噪声基准电压

[发明专利]一种温漂修调电路-CN201811582357.X有效
发明人：邱旻韡;李娟;陈红;罗永波;宣志斌;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种温漂修调电路，属于补偿电路技术领域。所述温漂修调电路包括：电阻R2a和电阻R2b，所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联；三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极相连接；所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联后电阻R2a连接至所述三极管Q4的集电极，电阻R2b连接至所述三极管Q4的发射极。该温漂修调电路仅需修调一组电阻即可实现修调，修调方式大大简化，避免了采用电阻修调矩阵网络带来的应用局限性；在进行电路版图设计时只需考虑R2a电阻的匹配性设计，版图设计难度降低。
一种温漂修调电路

[发明专利]一种多人合作的顶层版图布线方法-CN202310823164.3在审
发明人：来佳艳;连瑞;张世康;朱琪;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片版图设计技术领域，具体涉及一种多人合作的顶层版图布线方法。包括以下步骤：步骤1)：顶层版图设计师创建顶层版图；步骤2)：顶层版图设计师根据布线人数将顶层版图模块按区域分成多个部分；步骤3)：所有版图设计师进行各自分配区域的版图布线；步骤4)：以上布线完成后，释放各自版图权限交由顶层版图设计师进行整体顶层版图的查漏补缺和布线优化。本发明通过多人合作布线方法并利用EDA工具版图设计软件中的LAYOUTXL功能，成倍的缩短了大规模顶层版图的布线周期，大幅度提高了大规模顶层版图设计师的工作效率。
一种合作顶层版图布线方法

[实用新型]一种推土器用可调节推土头及其推土器-CN202321158134.7有效
发明人：赵树山;于健;陈永伟;朱旭东;门学博;焦宁;肖培磊;赵宗元;吴硕军 -专利权人：中天建设集团有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B65G65/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种推土器用可调节推土头包括受力盘、连接轴、环形拼接件、弹性环圈；受力盘为圆形；连接轴的一端与受力盘的背面连接，另一端与推土器的施力端连接；环形拼接件有多个，各个环形拼接件的尺寸不同，可依次环环套设，并可拆卸的安装于受力盘上，构成不同尺寸的圆形；弹性环圈有多个，尺寸不同，可一一对应的沿受力盘的外缘周向和环形拼接件的外缘周向可拆卸的安装。本实用新型所述的可调节推土头可对同一规格薄壁取土管内径细小差异做出及时的适应性改变，减少对原状软土的扰动，还可自由调节尺寸以适应不同尺寸的薄壁取土管。
一种器用调节推土头及其推土器

[发明专利]一种CMOS反相器延迟电路-CN202210176848.4有效
发明人：张保侠;周海澎;朱琪;肖培磊;陈彦杰;来佳艳 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本发明公开一种CMOS反相器延迟电路，属于集成电路领域。所述CMOS反相器延迟电路通过添加2个MOS使能管，根据需要可多作几组，可选择性的改变电容C1的充电电源的高低，而输出反相器INV2的反转电压设置为VDD/2恒定不变，从而实现延迟电路整体信号输出延迟时间可控。利用切换使能MOS管的开关实现反相器的电源切换，从而控制电容C1的充放电时间，从而控制最后一级CMOS反相器的延迟输出。而且本发明的CMOS反相器延迟电路简单实用，在需要增大时间延迟时，不用增大电容面积，极大地减小了版图面积；在需要减小时间延迟时，也不用修改电容参数，减少版图工作量；从而轻松实现延迟时间可控，缩小成本。
一种 cmos 反相器延迟电路

[发明专利]一种应用于高速数字隔离器的发送-接收电路-CN202111502167.4有效
发明人：季禹坤;邓玉清;李飞;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于高速数字隔离器的发送‑接收电路，属于数字隔离器领域，包括发送端、片上耦合电感和接收端；片上耦合电感包括耦合电感初级侧A端、B端和耦合电感次级侧C端、D端；发送端对输入逻辑信号进行编码并产生脉冲电流驱动片上耦合电感的初级侧A端、B端；片上耦合电感用于信号的隔离传输，在初级侧A端、B端产生的电流脉冲可在次级侧C端、D端感应产生脉冲电压；接收端对片上耦合电感的次级侧C端、D端脉冲电压解码和对输入逻辑信号的恢复。该发送‑接收电路用于高速数字隔离器中，通过在接收端直接滤除幅值较大的反向脉冲，避免了延长耦合电感初级侧脉冲电流的下降时间，从而提高了数字隔离器的传输速率。
一种应用于高速数字隔离器发送接收电路

[发明专利]一种驱动高边NMOS管的自举电路-CN202111563905.6有效
发明人：陈彦杰;王映杰;吴世财;李现坤;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：本发明公开一种驱动高边NMOS管的自举电路，属于电源管理领域，在电源电压VIN的基础上产生高于VIN的自举电压VBOOT，用于驱动NMOS管，所述驱动高边NMOS管的自举电路包括电平位移电路、驱动逻辑电路、驱动管模块和自举模块；所述电平位移电路将低压电源域控制输入信号转换为高压电源域输出控制信号；所述驱动逻辑电路包括高边驱动逻辑电路和低边驱动逻辑电路，分别控制高边驱动管与低边驱动管的导通与关断状态；所述驱动管模块包括高边驱动管和低边驱动管，为后端电路提供负载电流；所述自举模块产生高压电源域，为所述电平位移电路与所述高边驱动逻辑电路提供电源，实现对所述高边驱动管的控制。
一种驱动 nmos 电路

[发明专利]一种高压电源域地可浮动的低压转高压电平位移电路-CN202111233103.9有效
发明人：陈彦杰;王映杰;吴世财;李现坤;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压电源域地可浮动的低压转高压电平位移电路，属于电源管理技术领域。本发明包括高边低压控制电路、高压转换电路、驱动逻辑电路以及驱动管；所述低压控制电路用于将高边低压控制信号进行逻辑预处理，控制高压转换电路工作；所述高压转换电路用于将低压电源域域控制输入信号转换为高压电源域输出控制信号；所述驱动逻辑电路用于控制高边与低边驱动管的导通与关断状态；所述驱动管用于给后端电路提供负载电流。本发明实现了低压电源域转高压电源域的电平位移功能，且高压电源域地可浮动，解决了传统电平位移电路低压电源域与高压电源域只能共地而带来的应用上的局限性。
一种高压电源浮动低压高压电平位移电路

[发明专利]灵敏放大器-CN201811626925.1有效
发明人：常红;罗永波;宣志斌;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开一种灵敏放大器，属于集成电路技术领域。该灵敏放大器包括灵敏放大电路和输入失调自调整控制电路；其中，所述灵敏放大电路带有校准支路，所述输入失调自调整控制电路连接所述校准支路；所述输入失调自调整控制电路根据所述灵敏放大电路的失调信息产生对应的调整控制信号，所述校准支路根据调整控制信号来控制自身的工作状态，实现对灵敏放大电路在放大过程中两个内部节点放电速度的平衡，进而降低灵敏放大器的失调电压。和传统的灵敏放大器相比，本发明提供的具有输入失调电压自调整的灵敏放大器能够实现较低的失调电压。
灵敏放大器

[发明专利]一种有效抑制开关漏电的低功耗触发器-CN202111153947.2有效
发明人：王梓淇;雷晓;黄少卿;肖培磊;连瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开一种有效抑制开关漏电的低功耗触发器，属于数字电路领域，包括两个一致的逻辑单元逻辑A110和逻辑B120。逻辑A110中两对对偶连接MOS管交替导通产生高低电平，通过控制两列串联NMOS管的导通与关断产生第一个90°相移；所述逻辑A110的状态输出驱动下一个逻辑B120，完成前半周期触发状态；逻辑B120中两对对偶连接MOS管交替导通产生高低电平，通过控制两列串联NMOS管的导通与关断产生第二个90°相移，输出触发逻辑状态，并反馈至所述逻辑A110，完成后半周期的触发状态；至此两次90°相移叠加，完成180°整周期的下降沿触发，完成信号二分频。这种触发器内部逻辑对称，电平转换速度快，可以有效抑制开关漏电。
一种有效抑制开关漏电功耗触发器

[实用新型]一种预埋套管定位及封堵装置-CN202320783407.0有效
发明人：滕凯超;刘玉涛;赵宗元;吴硕军;肖培磊;陈永伟;赵树山;陈赛菊 -专利权人：中天建设集团有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： E04G15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预埋套管定位及封堵装置，包括封堵件、活动套筒和外筒，所述活动套筒的一端部移动嵌装在所述外筒的一端部内，所述活动套筒与所述外筒的另一端部分别对称固装所述封堵件，对预埋套管两端的缝隙进行封堵，防止混凝土浆液在浇筑过程中流入预埋套管，造成套管内漏液。位于所述外筒内的所述活动套筒的端部设置有限位组件，所述限位组件用于限制所述活动套筒移动，通过限位组件与封堵件的配合，解决了预埋套管定位高度不准确、容易歪斜的问题，减少了废管情况的发生次数，节省施工成本；通过更换封堵件的大小，可以匹配不同规格尺寸的预埋套管，适用范围广，安拆方便，不会对模板造成损害，可以重复使用，节约成本。
一种套管定位封堵装置

[发明专利]一种高层建筑外墙阻尼器部位的封堵方法-CN202111403873.3有效
发明人：吴硕军;刘玉涛;王左同;王庆;肖培磊;陈永伟;杨龙龙;王佳玉 -专利权人：中天建设集团有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： E04B1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种高层建筑外墙阻尼器部位的封堵方法，包括以下步骤：步骤一、安装阻尼器将阻尼器安装在阻尼器支座上，阻尼器支座两侧预留出安装内密封板和外密封板的位置；步骤二、安装密封板在靠近墙体内侧的阻尼器支座侧面安装内密封板，在靠近墙体外侧的阻尼器支座侧面安装外密封板；步骤三、涂刷防水层在墙体外侧面涂刷防水层；步骤四、保温层施工。本发明在阻尼器两侧的墙体上分别安装密封板，有效的对阻尼器的预留洞口进行密封封堵，防止预留洞口漏水或渗水。本方法施工简单、设计科学合理、构思巧妙，适用于阻尼器安装在外墙内的情况，密封性强，有效杜绝渗水、返潮等问题，具有广泛推广应用的价值。
一种高层建筑外墙阻尼部位封堵方法

[发明专利]一种自举驱动的开关电源掉电控制电路-CN202310088129.1在审
发明人：唐伟;黄烨琳;马文超;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开一种自举驱动的开关电源掉电控制电路，属于开关电源领域，适用于上管采用自举驱动的开关电源变换器，包括控制电路、输出电压检测电路、自举电容电压检测电路和欠压关断电路。本发明的自举驱动的开关电源掉电控制电路针对Buck变换器，当输入缓慢掉电，出现较长时间等于输出电压，自举电容的两端电压低于欠压点且输出电压为非欠压状态时，控制欠压关断电路关断，切断自举电容的充电回路，防止输出电压震荡；当输出电压小于UV_Value‑ΔV且自举电容电压低于欠压点阈值时，控制电路控制欠压关断电路开通，加快输出电压的放电。
一种驱动开关电源掉电控制电路

[发明专利]一种低功耗栅压自举电荷泵电路-CN202211590070.8在审
发明人：吴世财;张昊璞;黄少卿;肖培磊;宣志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗栅压自举电荷泵电路，属于集成电路领域，包括电荷泵电路、栅压自举电路和微电流源偏置电路。所述微电流源偏置电路通过偏置电压来定义偏置电流，然后通过电流镜结构镜像至所述栅压自举电路中为其启动提供初始化状态；所述栅压自举电路通过时钟电平倍增与逻辑控制电路实现对PMOS开关管的开启与关断；所述电荷泵电路采用四级PMOS管串联形式，实现将低电源电压升至所需的高电压输出。本发明的电路结构简单，具有低功耗、电荷转移效率高的特点，可实现将低电压升压至高电压稳定输出。
一种功耗电荷电路

[发明专利]一种加速芯片中长走线建立时间的电路-CN202211673362.8在审
发明人：张保侠;朱琪;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开一种加速芯片中长走线建立时间的电路，属于集成电路领域，包括前级BUFFER电路、后级KEEPER电路、第一MOS器件、第二MOS器件；BUFFER电路和KEEPER电路相串联。BUFFER电路包括串联的第一反相器和第二反相器，KEEPER电路包括串联的第三反相器和第六反相器；第二反相器的输出端通过信号线连接至第三反相器的输入端。第二MOS器件的源极端连接GND信号，漏极端连接第六反相器内部NMOS的源极端；第一MOS器件的源极端连接Vcc信号，漏极端连接第六反相器内部PMOS的源极端；第一MOS器件的栅极端与第二MOS器件的栅极端分别连接单独供给的使能信号。本发明通过增加2个开关MOS管，消除KEEPER电路内部信号线上前一状态对信号线上信号建立时间的冲突影响，简单易操作，且节省版图面积和成本。
一种加速芯片中长建立时间电路

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